具有盲孔以用于适应与屏下部件交换的信号的显示面板的制作方法

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具有盲孔以用于适应与屏下部件交换的信号的显示面板
1.相关申请
2.本技术要求以下美国专利申请的优先权的权益：在2020年4月9日提交的美国临时专利申请号63/007,851、在2020年10月29日提交的美国临时专利申请号63/107,393、在2021年2月25日提交的美国临时专利申请号63/153,834以及在2021年3月19日提交的美国临时专利申请号63/163,453，其内容全部通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本公开涉及显示面板，特别是一种通过其中的盲孔接受一个或多个电磁信号的分层显示面板。

背景技术：

4.在诸如有机发光二极管(oled)的光电设备中，在诸如阳极和阴极的一对电极之间设置至少一个半导体层。阳极和阴极电耦合到电源，并分别生成空穴和电子，这些空穴和电子通过至少一个半导体层相互迁移。当一对空穴和电子结合时，可能会发射光子。
5.oled显示面板可以包括多个(子)像素，每个(子)像素具有相关联的一对电极。此类面板的各种层和涂层通常通过基于真空的沉积技术形成。
6.作为非限制性示例，此类显示面板可用于诸如移动电话的电子设备中。
7.在一些非限制性应用中，可能需要在显示面板内创建开口或盲孔，以允许屏下(under-display)部件(可以是电磁信号(包括但不限于电子和/或光学信号)的接收器或传感器和/或发射器)被定位成使得电子和/或光学信号(包括而不限于光和/或光子)可以从设备之外并穿过盲孔与屏下部件交换。
8.在一些非限制性应用中，可以通过形成和/或在形成后修改显示面板来实现通过显示面板的这种盲孔，使得盲孔的区域基本上(substantially)没有显示面板的基本上不传输电磁(em)信号的部件。
9.在一些非限制性示例中，一些此类部件，诸如一种或多种薄膜晶体管(tft)结构和与其电耦合以选择性地驱动(子)像素的相关联的导电金属线，可以在制造过程期间铺设成使得它们不位于盲孔区域内。
10.可以提供其他部件，包括但不限于电极，包括但不仅限于阳极和阴极，以便它们也位于盲孔区域外。
11.在一些应用中，可能需要在oled制造过程中，通过选择性沉积导电涂层以形成设备特征，诸如但不限于电极和/或与其电耦合的导电元件，为面板的横跨其侧向或方向的每个(子)像素的图案中的导电涂层形成图案。
12.在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在沉积导电电极材料作为电极(包括但不限于阴极和/或阳极)期间和/或在一些非限制性示例中电耦合到电极的导电电极材料的沉积期间插入精细金属掩模(fmm)。然而，通常用作电极的材料具有相对较高的蒸发温度，这会影响fmm的重复使用能力和/或可能实现的图案的准确性，同时也会增加成本、
工作量和复杂性。
13.在一些非限制性示例中，这样做的一种方法涉及沉积电极材料以形成电极，然后移除(包括通过激光钻孔工艺)其不需要的区域以形成图案。然而，移除过程通常涉及碎屑的产生和/或存在，这可能会影响制造过程的产量。在一些非限制性示例中，电极的移除也可能对显示面板的结构完整性产生不利影响。
14.此外，此类方法可能不适用于某些应用和/或具有某些地形特征的某些设备面板。
15.此外，通常很难控制钻孔工艺的范围，因此在一些非限制性示例中，不仅电极被移除，而且电极下面的一个或多个设备层也被移除。
16.在一些非限制性示例中，由于该移除过程用于移除盲孔区域内的阳极和阴极，因此该过程的结果是，位于阳极和阴极之间的至少一个半导体层也被移除。在一些非限制性示例中，也可以移除基板，以便通过钻孔工艺形成孔径。这种活区中的孔(hiaa)结构可能会带来许多复杂因素，包括但不限于设备结构完整性的降低，以及一个或多个层氧化的可能性。在一些非限制性的示例中，只有花费大量的精力和费用，包括引入额外的处理步骤，才能减轻这种复杂性。
17.移除至少一个半导体层会带来额外的复杂性。一个或多个此类半导体层容易受到污染，包括但不限于氧化，从而导致性能、寿命和/或产量下降。因此，通常在高真空条件下进行此类半导体层的沉积，以最小化这种污染的可能性。
18.因此，即使这样的移除过程没有实质上引入碎屑，也可能需要在高真空条件下采取额外的处理步骤，以在其后密封至少一个半导体层的裸露边缘，并且在一些非限制性示例中，密封阳极和阴极的裸露边缘，以防止显示面板从高真空环境中移除后，通过盲孔区域进一步污染。
19.此类附加处理步骤可包括但不限于，添加一层材料以沿着至少一个半导体层和/或阳极和/或阴极与盲孔区域的边界包围其裸露边缘。在一些非限制性示例中，该材料可以包含一层玻璃料和/或薄膜封装(tfe)涂层。
20.chung,jinkoo等人在2019年5月24日提交并在2020年11月12日发布的题为“display device(显示设备)”的美国专利申请公开号2020/0357871公开了一种包括显示面板和光学构件的显示设备。该显示面板包括下部基板和上部基板。该显示面板形成透光区和靠近透光区的显示区。光学构件邻近显示面板的后表面，并与对应于透光区的部分重叠。显示区包括薄膜晶体管和有机发光元件，该有机发光元件被配置为接收来自薄膜晶体管的电流。透光区不包括设置在显示区中的金属层。上部基板和下部基板在透光区中不具有通孔结构。
21.yazdandoost、mohammadyeke等人在2019年4月8日提交并在2019年10月17日发布的题为“electronic device display for through-display imaging(用于穿透显示成像的电子设备显示器)”的pct国际专利申请公开号wo 2019/199693公开了用于穿透显示成像的系统和方法。显示器包括通过不透明背衬限定的成像孔径。光学成像阵列与孔径对齐。在孔径上方，显示器的布置和/或配置可提高透光率。例如，成像孔径上方或与其相邻的显示器区域可以用比显示器其他区域更低的像素密度形成，从而增加像素间距离(例如间距)，并增加光可以穿过显示器到达光学成像阵列的面积。
22.在2020年10月10日提交并且在2021年1月15日发布并指定给广东oppo移动通信公
司的题为“显示器和电子设备”的cn专利申请公开号cn112234082公开了一种显示屏和电子设备。该显示屏包括显示层、驱动层和基板。驱动层布置在显示层的下面。基板布置在驱动层的下面。第一膜层、第二膜层和第三膜层依次堆叠。第二膜层的表面形成了不均匀的微观结构。微观结构用于改变光穿过显示层和驱动层后的传播。减少或消除穿过显示器的光衍射的路径。在驱动层下面的基板的第二膜层上形成不均匀的微观结构。微观结构可以改变穿过显示层和驱动层的光的传播路径，也就是说，它可以对从驱动层发出的衍射光作出反应。干扰并破坏其传播路径，从而减少或消除穿过整个显示屏的光的衍射，从而提高放置在显示屏下面的相机的成像质量。
23.提供用于在显示面板中提供盲孔区域的改进机制将是有益的。
附图说明
24.现在将参考以下图描述本公开的示例，其中不同图中的相同附图标记指示相同的元件，和/或在一些非限制性示例中指示类似和/或对应的元件，其中：
25.图1是图示根据本公开的一个示例的吸附在表面上的吸附原子的相对能量状态的示例能量分布图；
26.图2是图示根据本公开的一个示例的膜核的形成的示意图；
27.图3a是根据本公开的一个示例的，从横截面的方向来看，具有多个层的示例显示面板的简化框图，该多个层包括侧向方向的第一部分和第二部分中的盲孔区域；
28.图3b是示出根据本公开的一个示例的包括图3a的设备作为其显示器的示例用户设备的面以及盲孔区域在其中的示例位置的示意图；
29.图3c是根据本公开的一个示例的，从横截面的方向来看，用户设备的示例版本的简化框图；
30.图4是从横截面的方向来看的图3a的设备的一部分的简化框图，其示出了发射区域和周围的非发射区域；以及
31.图5是根据本公开的一个示例的，从横截面的方向来看，图3a的设备的一部分的示例的简化框图，其示出了其显示器的各个层，包括其中的盲孔区域。
32.在本公开中，具有一个或多个数值(包括但不限于下标)和/或一个或多个小写字母字符的附图标记可以被视为是指由附图标记描述的元素或特征的特定实例和/或其子集。如上下文所示，在不参考一个或多个附加值和/或一个或多个字符的情况下，对附图标记的引用通常可以指由附图标记描述的一个或多个元件或一个或多个特征和/或指其描述的所有实例集。
33.在本公开中，出于解释而非限制的目的，列出了具体细节，以提供对本公开的透彻理解，包括但不限于特定架构、接口和/或技术。在某些实例中，省略了对公知的系统、技术、部件、设备、电路、方法和应用的详细描述，以免用不必要的细节模糊本公开的描述。
34.此外，应当认识到，本文再现的框图可以表示体现本技术的原理的说明性部件的概念视图。
35.因此，系统和方法部件在适当的地方由附图中的常规符号表示，附图仅示出与理解本公开的示例相关的那些特定细节，以免将本公开与对受益于本文描述的本领域普通技术人员而言将容易明白的细节混淆。
36.本文提供的任何附图不得按比例绘制，也不得视为以任何方式限制本公开。
37.在某些示例中，虚线轮廓中显示的任何功能或操作都可以视为是可选的。

技术实现要素：

38.本公开的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。
39.本公开公开了一种分层显示面板，该显示面板在至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，并穿过第二部分接受一个或多个电磁(em)信号。沉积材料的封闭涂层位于第一部分的层表面上。第二部分没有这种一个或多个封闭涂层。第二部分可包括成核抑制涂层(nic)。将沉积材料沉积在第一部分的nic表面上的初始粘附概率可以基本上小于0.3，和/或小于将沉积材料沉积在层表面上的初始粘附概率。第二部分可以包括由沉积材料组成的至少一个微粒结构。第二部分可以包括uva吸收层。第二部分可以包括低折射率涂层和沿其表面延伸的高折射率介质，其中低折射率涂层的折射率可以小于高折射率介质的折射率。第一部分可以包括用于发射一个或多个em信号的一个或多个发射区域。面板可以包括基板和一个或多个半导体层。每个发射区域可包括第一电极和第二电极。第一电极位于基板和一个或多个半导体层之间，并且一个或多个半导体层位于第一电极和第二电极之间。
40.根据本公开的一个广泛方面，公开了一种显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，该面板适于通过第二部分以相对于层的一定角度接受至少一个电磁(em)信号，以用于与至少一个屏下部件交换，该面板包括设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；其中，第二部分基本上没有沉积材料的封闭涂层。
41.在一些非限制性示例中，至少一个屏下部件可以包括以下项的至少一个：适于接收的接收器；以及适于发射的发射器；至少一个em信号穿过面板超出用户设备。
42.根据本公开的一个广泛方面，公开了一种显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，该面板适于通过第二部分以相对于层的一定角度接受至少一个电磁(em)信号，该面板包括设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；其中，第二部分基本上没有沉积材料的封闭涂层。
43.在一些非限制性示例中，面板还可以在第二部分中在其裸露层表面上包括成核抑制涂层(nic)，其中，将沉积材料沉积到第一部分中的nic表面上的初始粘附概率可以基本上小于以下至少一个：0.3，以及将沉积材料沉积到裸露层表面上的初始粘附概率。
44.在一些非限制性示例中，第二部分可以包括由沉积材料组成的至少一个微粒结构。
45.在一些非限制性示例中，第二部分可以包括uva吸收层。
46.在一些非限制性示例中，面板进一步包括设置在第二部分中的面板的裸露层表面上的低折射率涂层和沿低折射率涂层的表面延伸的高折射率介质，其中，低折射率涂层的折射率小于高折射率介质的折射率。
47.在一些非限制性示例中，沉积材料可以包括银(ag)和镱(yb)中的至少一种。
48.在一些非限制性示例中，至少一层封闭涂层的平均膜厚度可以在约5nm-80nm之
间。
49.在一些非限制性示例中，第一部分可以包括至少一个发射区域，以用于以相对于层的一定角度发射em信号。
50.在一些非限制性示例中，面板可以进一步包括基板；以及设置在其上的至少一个半导体层；并且其中：每个发射区域包括第一电极和第二电极，第一电极设置在基板和至少一个半导体层之间，并且至少一个半导电层设置在第一电极与第二电极之间。
51.在一些非限制性示例中，第二电极可包括沉积材料的至少一层封闭涂层。
52.在一些非限制性示例中，面板的裸露层表面可以是至少一个半导体层的裸露层表面。在一些非限制性示例中，基板可以基本上连续地延伸穿过第一部分和第二部分。在一些非限制性示例中，至少一个半导体层可以基本上连续地延伸穿过第一部分和第二部分。
53.在一些非限制性示例中，第一部分可以包括多个发射区域。在一些非限制性示例中，第一部分可以包括相邻发射区域之间的至少一个非发射区域。在一些非限制性示例中，第二部分可以基本上没有任何发射区域。
54.在一些非限制性示例中，面板可以进一步包括至少一个覆盖层，该覆盖层设置在第一部分中的至少一层封闭涂层的裸露层表面上和第二部分中的面板的裸露层表面上。
55.根据本公开的一个广泛方面，公开了一种用户设备，包括：显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸；以及至少一个屏下部件，该屏下部件适于通过面板的第二部分以相对于层的一定角度交换至少一个电磁(em)信号；其中，该面板包括设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；并且其中，第二部分基本上没有沉积涂层的封闭涂层。
56.上文结合本公开的可实施的各方面描述了可以实现的示例。在相关领域具有普通技能的人员将认识到，示例可以与描述它们的各方面一起实现，但也可以与该方面或另一方面的其他示例一起实现。当示例相互排斥或在其他方面互不兼容时，对于在相关领域具有普通技能的人员来说，这将是显而易见的。可以就一个方面描述一些示例，但也可以适用于其他方面，这对于在相关领域具有普通技能的人员来说是显而易见的。
57.本公开的一些方面或示例可提供一种分层显示面板，该分层显示面板在至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，并通过第二部分接受一个或多个em信号。沉积材料的封闭涂层位于第一部分的层表面上。第二部分没有这种封闭涂层。
具体实施方式
58.本公开大体上涉及显示面板，该显示面板可以包括电子设备，并且更具体地，包括光电设备。光电设备通常涵盖将电信号转换为光子的任何设备，反之亦然。
59.相关技术领域的普通技术人员将认识到，虽然本公开针对光电设备，但其原理可适用于具有多个层的任何面板，电磁(em)信号可以以相对于至少一个层的平面的一定角度全部或部分穿过该多个层。
60.薄膜形成
61.在气相沉积过程中，在底层材料的裸露层表面11上形成薄膜涉及成核和生长的过程。
62.在薄膜形成的初始阶段，足够数量的蒸汽单体(在一些非限制性示例中可以是以
蒸汽形式的沉积材料的分子和/或原子)通常会从气相冷凝，以在底层的呈现裸露层表面11上形成初始核。当蒸汽单体继续撞击此类表面时，这些初始核的特征尺寸s1和/或沉积密度可能会增加以形成小微粒。此类特征尺寸s1所指维度的非限制性示例可包括此类微粒的高度、宽度、长度和/或直径。
63.在达到饱和岛密度后，相邻微粒通常会开始聚结，从而增加此类微粒的平均特征尺寸s1，同时降低其沉积密度。
64.随着单体的持续气相沉积，相邻微粒的聚结可能会持续，直到基本封闭的涂层最终沉积在底层材料的裸露层表面11上。这种封闭涂层的行为，包括由此产生的光学效应，通常可能相对均匀、一致且不出所料。
65.在一些非限制性示例中，薄膜的形成可能至少有三种基本生长模式，最终形成封闭涂层：1)岛状(volmer-weber)、2)逐层(frank-van der merwe)和3)stranski-krastanov。
66.当陈旧的单体簇在裸露层表面11上成核并生长以形成离散岛时，通常会出现岛状生长。当单体之间的相互作用强于单体与表面之间的相互作用时，可能会出现这种生长模式。
67.成核速率可以描述每单位时间表面上有多少给定尺寸的核(其中自由能不会推动此类核簇生长或收缩)(“临界核”)。在薄膜形成的初始阶段，由于核的沉积密度较低，核不太可能从单体直接撞击在表面上而生长，因此核可能覆盖表面相对较小的一小部分(例如，相邻核之间存在较大的间隙/空间)。因此，临界核的生长速率通常取决于表面上的吸附原子(如吸附单体)迁移并附着到附近核的速率。
68.吸附在底层材料的裸露层表面11上的吸附原子的能量分布图的示例如图1所示。具体地，图1图示了与以下各项相对应的示例定性能量分布图：从局部低能位点逃逸的吸附原子(110)；吸附原子在裸露层表面11上的扩散(120)；以及吸附原子的解吸(130)。
69.在110中，局部低能位点可以是底层的裸露层表面11上的任何位点，该位点上的吸附原子的能量较低。通常，成核位点可以包括裸露层表面11上的缺陷和/或异常，包括但不限于架状突出部分、台阶边缘、化学杂质、结合位点和/或扭结(“异质性”)。
70.基板异质性的位点可能增加edes，导致在这些位点观察到的核的沉积密度更高。此外，表面上的杂质或污染也可能增加edes，导致核的沉积密度更高。对于在高真空条件下进行的气相沉积工艺，表面上杂质的类型和沉积密度可能会受到真空压力和构成该压力的残余气体成分的影响。
71.一旦吸附原子被困在局部低能位点，在一些非限制性示例中，在表面扩散发生之前，通常可能会有能量势垒。该能量势垒可在图1中表示为δe。在一些非限制性示例中，如果逃逸局部低能位点的势垒δe足够大，该位点可充当成核位点。
72.在120中，吸附原子可以在裸露层表面11上扩散。作为非限制性示例，在局部吸附剂的情况下，吸附原子可能趋向于在表面电位的最小值附近振荡，并迁移到各个相邻位点，直到吸附原子被解吸，和/或并入由吸附原子簇和/或生长膜形成的生长岛中。在图1中，与吸附原子的表面扩散相关联的活化能可以表示为es。
73.在130中，与吸附原子从表面解吸相关联的活化能可以表示为edes。在相关领域具有普通技能的人员将认识到，任何未解吸的吸附原子都可以停留在裸露层表面11上。作为
非限制性示例，此类吸附原子可在裸露层表面11上扩散，成为在裸露层表面11上形成岛状物的吸附原子簇的一部分，和/或被并入为生长膜和/或涂层的一部分。
74.吸附原子在表面上吸附后，吸附原子可能会从表面解吸，或者在解吸、与其他吸附原子相互作用以形成小簇或附着在生长核之前，在表面上迁移一定距离。吸附原子在初始吸附后停留在表面上的平均时间量可通过以下公式得出：
[0075][0076]
在上面的公式中，ν是表面上吸附原子的振动频率，k是玻尔兹曼常数，t是温度，e
des
是吸附原子从表面解吸所涉及的能量。从这个公式可以注意到，e
des
值越低，吸附原子从表面解吸就越容易，因此吸附原子停留在表面的时间就越短。吸附原子可以扩散的平均距离可以由下式给出：
[0077][0078]
其中，α0是晶格常数，es是表面扩散的活化能。对于较低的e
des
值和/或较高的es值，吸附原子在解吸之前可能扩散更短的距离，因此可能不太可能附着在生长核上或与另一个吸附原子或吸附原子簇相互作用。
[0079]
在微粒的沉积层形成的初始阶段期间，吸附的吸附原子可以相互作用以形成微粒，单位面积的微粒临界浓度由下式给出：
[0080][0081]
其中，ei是将含有i个吸附原子的临界簇分解为单独的吸附原子所涉及的能量，n0是吸附位点的总沉积密度，ni是由下式给出的单体沉积密度：
[0082][0083]
其中是蒸汽冲击速率。通常，i可以取决于所沉积的材料的晶体结构并且可以确定用于形成稳定核的临界微粒尺寸。
[0084]
生长微粒的临界单体供给速率可由蒸汽冲击速率和吸附原子在解吸前可扩散的平均面积给出：
[0085][0086]
因此，临界成核速率可由上述公式组合得出：
[0087][0088]
从上述公式可以看出，值得注意的是，对于吸附原子的解吸能低、吸附原子扩散的活化能高、处于高温和/或受到蒸汽冲击速率影响的表面，临界成核速率可能会受到抑制。
[0089]
在高真空条件下，撞击在表面上的分子通量(每cm
2-sec)可通过以下公式得出：
[0090][0091]
其中p是压力，m是分子量。因此，在气相沉积过程中，反应气体(如h2o)的分压越高，可能导致表面上杂质沉积密度越高，从而导致e
des
增加并因此导致核沉积密度越高。
[0092]
在本公开中，“成核抑制”可指的是这样的涂层、材料和/或其层：其表面表现出在其上沉积沉积材料426(包括但不限于沉积涂层325，在一些非限制性示例中，其可能形成)的初始粘附概率s0接近于0，包括但不限于小于约0.3，使得沉积材料426(和/或沉积涂层325)在该表面上的沉积可以被抑制。
[0093]
在本公开中，“成核促进”可指的是这样的涂层、材料和/或其层：其表面表现出在其上沉积沉积材料426(包括但不限于沉积涂层325，在一些非限制性示例中，其可能形成)的初始粘附概率s0接近于1，包括但不限于大于约0.7，使得沉积材料426(和/或沉积涂层325)在该表面上的沉积可以被促使。
[0094]
在不希望受特定理论约束的情况下，可以假设，此类核的形状和尺寸以及此类核随后成长为微粒并随后成长为薄膜可能取决于许多因素，包括但不限于蒸汽、表面和/或凝聚膜核之间的界面张力。
[0095]
表面成核抑制和/或成核促进性能的一种量度可以是给定沉积材料426的表面的初始粘附概率s0，沉积材料426包括(导电)沉积涂层325。
[0096]
在一些非限制性示例中，粘附概率s可由下式给出：
[0097][0098]
其中，n
ads
是停留在裸露层表面11上的吸附原子数(即，并入膜中)，n
total
是表面上的撞击单体的总数。s等于1的粘附概率可以表明，撞击在表面上的所有单体都被吸附，随后并入生长膜中。粘附概率s等于0可以表明撞击在表面上的所有单体都被解吸，随后表面上没有形成膜。
[0099]
可以使用测量粘附概率s的各种技术来评估沉积材料在不同表面上的粘附概率s，所述技术包括但不限于walker等人在j.phys.chem.c 2007,111,765(2006)中所描述的双石英晶体微天平(qcm)技术。
[0100]
随着沉积材料426(包括但不限于由此形成的沉积涂层325)的沉积密度增加(例如，增加平均膜厚d)，粘附概率s可能改变。
[0101]
因此，初始粘附概率s0可以指定为在形成任意相当数量的临界核之前表面的粘附概率s。初始粘附概率s0的一种量度可能涉及沉积材料426的表面在其沉积的初始阶段的粘附概率s，其中沉积材料426横跨表面的平均膜厚d等于或低于阈值。在一些非限制性示例的描述中，初始粘附概率s0的阈值可以通过非限制性示例指定为1nm。平均粘附概率s可通过下式得出：
[0102][0103]
其中s
nuc
是微粒覆盖面积的粘附概率s，a
nuc
是微粒覆盖基板表面面积的百分比。
[0104]
作为非限制性示例，低初始粘附概率s0可以随着平均膜厚d的增加而增加。作为非限制性示例，这可以基于无微粒表面的面积、裸基板10和具有高沉积密度的面积之间的粘
附概率s的差异来理解。作为非限制性示例，撞击在微粒表面上的单体可以具有接近1的粘附概率s。
[0105]
基于图1所示的能量分布图110、120、130，可以假设，表现出相对较低的解吸活化能(e
des
)和/或相对较高的表面扩散活化能(es)的材料可以作为nic材料416来沉积，并且可适合在各种应用中使用。
[0106]
在不希望受特定理论约束的情况下，可以假设，在一些非限制性示例中，成核和生长过程中出现的各种界面张力之间的关系可以根据毛细理论中的杨氏方程来确定：
[0107]
γ
sv
＝γ
fs
+γ
vf
cosθ
[0108]
其中，γ
sv
对应于基板10和蒸汽之间的界面张力，γ
fs
对应于沉积材料426和/或由此形成的薄膜沉积涂层325和基板10之间的界面张力，γ
vf
对应于蒸汽和膜之间的界面张力，θ是膜-核接触角。图2图示了该方程中表示的各种参数之间的关系。
[0109]
基于杨氏方程，可以导出，对于岛状生长，膜-核接触角θ可以大于0，因此γ
sγ
《γ
fs
+γ
vf
。
[0110]
对于层状生长，在沉积材料426“湿润”基板10的情况下，核接触角θ可以等于0，因此γ
sγ
＝γ
fs
+γ
vf
。
[0111]
对于stranski-krastanov(s-k)生长，膜过度生长的单位面积应变能相对于蒸汽和沉积材料426之间的界面张力较大，γ
sγ
》γ
fs
+γ
vf
。
[0112]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，可以假设，在nic材料416和基板10的裸露层表面11之间的界面处沉积材料426(包括但不限于由此形成的沉积涂层325)的成核和生长模式可能遵循岛状生长模型，其中θ》0。
[0113]
特别是在nic材料416对沉积材料426表现出相对较低的初始粘附概率s0(在一些非限制性示例中，在walker等人描述的双qcm技术中确定的条件下)的情况下，沉积材料426可以存在相对较高的薄膜接触角θ。
[0114]
相反，当沉积材料426可以在不使用nic材料416的情况下选择性地沉积在表面上时，作为非限制性示例，通过采用荫罩，这种沉积材料426的成核和生长模式可能不同。特别是，已经观察到，至少在一些非限制性示例中，使用荫罩图案化工艺形成的涂层可以表现出小于约10
°
的相对较低的薄膜接触角θ。
[0115]
现在发现，有些令人惊讶的是，在一些非限制性示例中，(成核抑制)nic410(和/或其组成的nic材料416)可以表现出相对较低的临界表面张力。
[0116]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，涂层、层和/或构成此类涂层和/或层的材料的“表面能”通常可以对应于涂层、层或材料的临界表面张力。根据一些表面能模型，表面的临界表面张力可能与此类表面的表面能基本对应。
[0117]
通常，表面能较低的材料可以表现出较低的分子间作用力。通常，与具有高分子间作用力的另一材料相比，具有低分子间作用力的材料可能容易在较低温度下结晶或经历其他相变。至少在一些应用中，在相对较低的温度下容易结晶或发生其他相变的材料可能对设备的长期性能、稳定性、可靠性和/或寿命有害。
[0118]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，可以假设，某些低能表面可以表现出相对较低的初始粘附概率s0，因此可以适合形成nic材料416。
[0119]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，可以假设，特别是对于低表面能表
面，临界表面张力可以与表面能正相关。例如，表现出临界表面张力相对较低的表面也可以表现出相对较低的表面能，而表现出临界表面张力相对较高的表面也可以表现出相对较高的表面能。
[0120]
参考上文所描述的杨氏方程，较低的表面能可能致使产生较大的接触角θ，同时也降低γ
sv
，从而提高该表面相对于沉积材料426具有低润湿性和低初始粘附概率s0的可能性。
[0121]
在各种非限制性示例中，本文的临界表面张力值可以对应于在正常温度和压力(ntp)附近测量的这些值，在一些非限制性示例中，这些值可以对应于20℃的温度和1atm的绝对压力。在一些非限制性示例中，可以根据zisman方法确定表面的临界表面张力，进一步详情参见zisman,w.a在《化学进展》43(1964年)，第1-51页中所述。
[0122]
在一些非限制性示例中，nic材料416的裸露层表面11可以表现出小于以下值的临界表面张力：约20达因/厘米、约19达因/厘米、约18达因/厘米、约17达因/厘米、约16达因/厘米、约15达因/厘米、约13达因/厘米、约12达因/厘米或约11达因/厘米。
[0123]
在一些非限制性示例中，nic材料416的裸露层表面11可以表现出大于以下值的临界表面张力：约6达因/厘米、约7达因/厘米、约8达因/厘米、约9达因/厘米或约10达因/厘米。
[0124]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，确定固体的表面能的各种方法和理论是已知的。作为非限制性示例，表面能可基于接触角θ的一系列测量值进行计算和/或推导，其中各种液体与固体表面接触，以测量液体-蒸汽界面与表面之间的接触角度θ。在一些非限制性示例中，固体表面的表面能可以等于完全润湿了表面的具有最高表面张力的液体的表面张力。作为非限制性示例，可使用zisman曲线图来确定最高表面张力值，该值将致使表面接触角θ为0
°
。
[0125]
在不希望受特定理论约束的情况下，可以假设，在一些非限制性示例中，沉积涂层325的接触角θ可以至少部分基于沉积材料426沉积在其上的nic材料416的特性(包括但不限于初始粘附概率s0)来确定。因此，允许选择性沉积表现出相对高接触角θ的沉积材料426的图案化材料316可以提供一些益处。
[0126]
如本领域技术人员所知，表现出以下特性的组合的nic材料416：(i)相对较低的临界表面张力，例如不超过：约19达因/厘米或约15达因/厘米；(ii)可见波长范围内相对较低的折射率n，例如不大于：约1.45或约1.35；以及(iii)可见波长范围内相对较低的衰减系数，例如不超过：约0.05或约0.01，可能适于对金属沉积材料426进行图案设计，同时也允许显著程度的光透射，特别是如果它与具有高临界表面张力的层形成界面，例如该临界表面张力大于：约30达因/厘米或约300达因/厘米。
[0127]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，可以使用各种方法来测量接触角θ，包括但不限于静态和/或动态固定跌落法和悬垂跌落法。
[0128]
在一些非限制性示例中，解吸活化能(e
des
)(在一些非限制性示例中，在约300k的温度t下)可以小于：热能(kbt)的约2倍、约1.5倍、约1.3倍、约1.2倍、约1.0倍、约0.8倍或约0.5倍。在一些非限制性示例中，表面扩散的活化能(es)(在一些非限制性示例中，在约300k的温度t下)可以大于：热能(kbt)的约1.0倍、约1.5倍、约1.8倍、约2倍、约3倍、约5倍、约7倍或约10倍。
[0129]
在不希望受特定理论约束的情况下，可以假设，在沉积材料426在底层的裸露层表面11和nic材料416之间的界面处和/或附近的膜成核和生长过程中，由于nic 410对沉积材料426的固体表面成核的抑制，可以观察到沉积材料426的边缘和底层之间相对较高的接触角θ。这种成核抑制性能可以是由底层、薄膜蒸汽和nic 410之间的表面能最小化所驱动的。
[0130]
表面的成核抑制和/或成核促进性能的一种度量可以是给定(电气导电)沉积材料426相对于参考表面上同一导电沉积材料426的初始沉积速率在表面上的初始沉积速率，其中两个表面都经受和/或暴露于(导电)沉积材料426的蒸发通量。
[0131]
显示面板
[0132]
现在转到图3a，该图示出示例分层设备，诸如显示面板310的横截面视图。在一些非限制性示例中，详情如图4所示，显示面板310可以包括沉积在基板10上的多个层，最终形成形成显示面板310的面301的最外层。
[0133]
图中所示的是被标识为x轴的侧向轴线，以及被标识为z轴的纵向轴线。标识为y轴的第二侧向轴线被示为与x轴和z轴基本上横向。侧向轴线中的至少一个可以定义显示面板310的侧向方向。纵向轴线可以定义显示面板310的横向方向。
[0134]
显示面板310的层可以在基本平行于由侧向轴线定义的平面的侧向方向延伸。在相关领域具有普通技能的人将认识到，在一些非限制性示例中，这种基本上平面的表示可以是用于说明目的的抽象。在一些非限制性示例中，横跨显示面板310的侧向范围，可以存在不同厚度和维度的局部基本上为平面的地层，包括在一些非限制性示例中，基本上完全不存在的层和/或由非平面过渡区域(包括侧向间隙甚至不连续性)分隔的一个或多个层。
[0135]
因此，尽管出于说明目的，显示面板310在其横截面方向显示为基本上平行的平面层的基本成层结构，但该显示面板可以局部图示不同的地形以定义各特征，每个特征都可以基本上展现出在横截面方向所讨论的成层轮廓。
[0136]
显示面板310的面301基本上沿着由侧向轴线定义的平面延伸横跨其侧向方向。
[0137]
显示面板310的侧向方向可以理解为包括至少一个第一部分311和至少一个第二部分312。每个至少一个第二部分312对应于盲孔区域313。
[0138]
在一些非限制性示例中，显示面板310可以充当用户设备400的面301，该用户设备在其中容纳至少一个屏下部件330，以用于以相对于面301的层的角度通过面301交换至少一个em信号331。
[0139]
在一些非限制性示例中，显示面板310上可以存在至少一个盲孔区域313。如图中的各种示例所示，在一些非限制性示例中，至少一个盲孔区域313可以位于靠近显示面板310边缘的位置。
[0140]
现在转到图3b，所示的示意图示出了示例用户设备300的示例面。在图3b的平面图中，示出了一对分别标识为x轴和y轴的侧向轴线，在一些非限制性示例中，这些轴线可以基本上彼此横向。
[0141]
在这种用户设备400的至少一个这样的面300上，有显示器，在一些非限制性示例中，该显示器可以是图3a的显示面板310。在这些面300中的至少一个面上，可以存在至少一个盲孔区域313。如图中的各种示例所示，在一些非限制性示例中，至少一个盲孔区域313可以位于面301的边缘。
[0142]
在一些非限制性示例中，如图中的前两个示例所示，从平面上来看，盲孔区域
313a、313b可以基本上呈圆形，对应于横截面上基本上呈圆形的圆柱形盲孔区域313。在一些非限制性示例中，如图中第三示例所示，盲孔区域313c可以具有不同的构造，包括但不限于在平面上观察时的细长椭圆构造。
[0143]
在一些非限制性示例中，盲孔区域313的横截面尺寸可能约为几毫米，对应于相关联的屏下部件330的有源传感器和/或发射体区域的横截面大小。
[0144]
在一些非限制性示例中，用户设备400可以是计算设备，诸如但不限于智能手机、平板电脑、膝上型计算机和/或电子阅读器，和/或一些其他电子设备，诸如监视器、电视机和/或智能设备，包括但不限于汽车显示器和/或挡风玻璃、家用电器和/或医疗、商业和/或工业设备。
[0145]
在一些非限制性示例中，面301可以对应于主体320和/或其中的开口321和/或与其配合，在其中可以容纳至少一个屏下部件330。
[0146]
在一些非限制性示例中，至少一个屏下部件330可以在显示面板310的与面301相对的表面上与显示面板310一体形成，或者作为组装模块形成。在一些非限制性示例中，至少一个屏下部件330可以形成在显示面板310的基板10的与面301相对的表面上。
[0147]
由显示面板310的至少一个第二部分312定义的盲孔区域313允许至少一个em信号331以与由侧向轴线定义的平面成一定角度通过显示面板310的面301交换，或同时通过显示面板310s的层，包括但不限于显示面板310的面301交换。
[0148]
换句话说，至少一个em信号331穿过第二部分312的盲孔区域313，使得其穿过面301。因此，至少一个em信号331排除了可以从第二部分312到第一部分311(反之亦然)沿侧向方向延伸的任何em辐射，包括但不限于侧向横跨显示面板310的导电涂层传导的任何电流。
[0149]
此外，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，至少一个em信号331本身可以与em辐射区分，包括但不限于与电流和/或由此产生的电场区分，因为至少一个em信号331单独或与其他em信号331一起传送一些信息内容，包括但不限于标识符，通过该标识符可以将至少一个em信号331与其他em信号311区分开来。在一些非限制性示例中，可以通过指定、改变和/或调制至少一个em信号331的波长、频率、相位、定时、带宽、电阻、电容、阻抗、电导和/或其他特性中的至少一个来传送信息内容。
[0150]
在一些非限制性示例中，穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313的至少一个em信号331可以包含至少一个光子，并且在一些非限制性示例中，可以具有位于但不限于可见光谱、ir光谱和/或nir光谱内的波长光谱。
[0151]
在一些非限制性示例中，穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313的光子可以包括入射到其上的环境光。
[0152]
在一些非限制性示例中，通过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313交换的至少一个em信号331可以由至少一个欠显示部件331发送和/或接收。
[0153]
在一些非限制性示例中，如通过图3c中的非限制性示例所示，至少一个屏下部件330可以包括接收器330r，其适于接收和处理至少一个em信号331，包括但不限于在用户设备400之外穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313的光子331r、332r、333r、334r。此类接收器330r的非限制性示例包括屏下相机(udc)和/或传感器，包括但不限于ir传感器、nir传感器、lidar传感器、指纹传感器、光学传感器、红外接近传感器、虹膜识别传感器和/
或面部识别传感器。
[0154]
在一些非限制性示例中，如通过图3c中的非限制性示例所示，至少一个屏下部件330可以包括发射器330
t
，该发射器适合发射至少一个em信号331，包括但不限于在用户设备400之外穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313的光子331
t
、332
t
。这种发射器330
t
的非限制性示例包括光源，包括但不限于内置闪光灯、闪光灯、ir发射体和/或nir发射体，和/或lidar感测模块、指纹感测模块、光学传感器、ir传感器、虹膜识别模块和/或面部识别模块。
[0155]
在一些非限制性示例中，如通过图3c中的非限制性示例所示，至少一个em信号331，包括但不限于在用户设备400之外穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313的光子331r、332r、333e、334e，包括但不限于由包括发射器330t的至少一个屏下部件330发射的那些光可以从显示面板310发出，并且可以从用户设备400外部的表面340反射出来，并通过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313向包括接收器330r的至少一个屏下部件330传回。
[0156]
在一些非限制性示例中，如通过图3c中的非限制性示例所示，用户设备400内可以存在多个屏下部件330，其中第一部件包括发射器330
t
，该发射器用于发射至少一个em信号331，包括但不限于光子，以在用户设备400之外穿过显示面板310的第二部分312的盲孔区域313，以及第二部件包括接收器330r，该接收器用于接收至少一个em信号331，包括但不限于光子。
[0157]
尽管未示出，但在一些非限制性示例中，这样的发射器330
t
和接收器330r可以体现在至少一个屏下部件330的单个公用部件中。
[0158]
在一些非限制性示例中，如通过图3c中的非限制性示例所示，至少一个屏下部件530可能不会发射em信号331，包括但不限于光子，而是形成面301的显示面板310可以包括发射光子333e、334e的光电设备，包括但不限于光致发光设备，包括但不限于有机发光二极管(oled)设备。
[0159]
在一些非限制性示例中，发射的光子333e、334e可以通过其侧向方向的第一部分311以与显示面板310的层成一定角度发射，包括但不限于基本上以纵向方向发射。
[0160]
在一些非限制性示例中，发射的光子333e、334e可以从表面340反射出来，并通过显示面板310返回，以由至少一个屏下部件330r接收。
[0161]
现在转到图4，该图示出了根据本公开的从横截面方向看的示例光电设备400的一部分的简化框图。所示设备400的部分将被理解为主要对应于显示面板310的至少一个第一部分311中的一个(一部分)和至少一个第二部分312中的一个(一部分)。
[0162]
该设备400可以包括基板10，在基板10上，包括多个层(分别包括第一电极404、至少一个半导体层405和第二电极406)的前面板可以设置为当耦合到电源时，至少在第一部分311中提供光子发射和/或发射的光子的操纵的机制。
[0163]
在一些非限制性示例中，基板10可以由适于其使用的材料形成，包括但不限于无机材料，包括但不限于玻璃、蓝宝石，和/或其他合适的无机材料和/或有机材料，包括但不限于聚合物，包括但不限于聚酰亚胺和硅基聚合物。
[0164]
在一些非限制性示例中，可以在基板10和第一电极404之间提供在一些非限制性示例中包括背板层和/或由背板层形成和/或形成为背板层的附加层。在一些非限制性示例
中，背板层可以包含用于驱动设备400的电源电路和/或开关元件，包括但不限于一个或多个电子和/或光电部件，包括但不限于薄膜晶体管(tft)晶体管、电阻器和/或电容器(统称为tft结构401)，在一些非限制性示例中，这些部件可以通过光刻工艺形成。在一些非限制性示例中，此类tft结构401可以包括形成在缓冲层的一部分上的半导体有源区，该半导体有源区上沉积有栅极绝缘层以基本覆盖该半导体有源区。在一些非限制性示例中，可以在栅极绝缘层的顶部形成栅极电极，并且可以在其上沉积层间绝缘层。
[0165]
在一些非限制性示例中，在显示面板310的侧向方向的第一部分311内，可以存在设备400的至少一个发射区域407。在一些非限制性示例中，第一部分311内可以存在多个发射区域407。
[0166]
相比之下，第二部分312基本上没有任何发射区域407，以便提供盲孔区域313，通过该盲孔区域可以交换至少一个em信号331。
[0167]
每个发射区域407包括第一电极404和第二电极406。至少一个半导体层405位于第一电极404和第二电极406之间。
[0168]
在一些非限制性示例中，第一电极404和/或第二电极406可分别对应于阳极和阴极，反之亦然。在一些非限制性示例中，第一电极404和/或第二电极406可电耦合到电源和/或接地端子，在一些非限制性示例中，通过至少一个驱动电路，在一些非限制性示例中该驱动电路可在背板层中并入至少一个tft结构401。在一些非限制性示例中，第一电极404可以包括阳极。在一些非限制性示例中，第二电极406可以包括阴极。
[0169]
在一些非限制性示例中，设备400的每个发射区域407对应于单个显示像素408
p
。在一些非限制性示例中，每个像素408
p
可以以给定波长光谱发射光。在一些非限制性示例中，波长光谱可以对应于但不限于可见光谱中的颜。
[0170]
在一些非限制性示例中，设备400的每个发射区域407可以对应于显示像素408
p
的子像素408s。在一些非限制性示例中，多个子像素408s可以组合以形成或表示单个显示像素408
p
。在一些非限制性示例中，单个显示像素408
p
可以由三个或更多子像素408s表示，这些子像素408s在一些非限制性示例中可以对应于r(红)、g(绿)和/或b(蓝)子像素408s。
[0171]
在一些非限制性示例中，由给定子像素408s发射的光的发射光谱可以对应于表示子像素408s的颜。
[0172]
在一些非限制性示例中，设备400的各个发射区域407可以在第一部分311中以侧向图案铺设。在一些非限制性示例中，图案可以沿着第一侧向方向延伸，在一些非限制性示例中可以沿着第一侧向轴线延伸。在一些非限制性示例中，图案也可以沿着第二侧向方向延伸，在一些非限制性示例中可以沿着第二侧向轴线延伸。
[0173]
这种图案的非限制性示例如图5示意性示出。然而，为了简化说明，不是示出对应于子像素408s的每个发射区域407，而是由对应的tft结构401表示子像素408s的图案，每个tft结构都标有对应于r(红)408r、g(绿)408g和b(蓝)408b子像素的关联子像素408s。
[0174]
再次参考图4，在一些非限制性示例中，至少一个半导体层405可以包括多个层，包括但不限于空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)中的任何一个或多个。
[0175]
当通过第一电极404和第二电极406在至少一个半导体层405上施加电位差时，空穴可以通过阳极注入，而电子可以通过阴极注入至少一个半导电层405中，直到它们可以结
合以形成束缚态电子空穴对(激子)。特别是如果激子是在eml中形成的，则激子可能会通过发射光子的辐射复合过程衰减。
[0176]
在一些非限制性示例中，设备400的各个发射区域407可以在至少一个侧向方向上被一个或多个非发射区域409基本包围和分隔，其中设备400沿纵向方向的结构和/或构造可以变化，包括但不限于移除第一电极404、第二电极406和/或其间的至少一个半导体层405中的至少一个，以基本上抑制光子从其发射。
[0177]
在一些非限制性示例中，非发射区域409可以包括侧向方向中基本上没有发射区域407的那些区域。在一些非限制性示例中，至少一个非发射区域409的至少一部分可以对应于侧向方向的第二部分312。
[0178]
在一些非限制性示例中，对于相关联的(子)像素408，可以形成tft源电极和tft漏电极，使得它们延伸通过通过层间绝缘层和栅极绝缘层两者形成的开口，使得它们电耦合到半导体有源区，在一些非限制性示例中，基本上耦合在与其相对应的发射区域407的侧向方向内，即耦合在第一部分311中。在一些非限制性示例中，然后可以在tft结构401上方形成tft绝缘层402。
[0179]
因此，在一些非限制性示例中，第一电极404可以设置在设备400的裸露层表面11上，在一些无限制性示例中，在发射区域407的侧向方向的至少一部分内，即在第一部分311中。
[0180]
在一些非限制性示例中，至少在(子)像素408的发射区域407的侧向方向内，裸露层表面11可以包括各种tft结构401的tft绝缘层402，这些tft结构构成对应于单个显示(子)像素408的发射区域407的驱动电路。在一些非限制性示例中，第一电极404可延伸通过tft绝缘层402，以通过并入至少一个tft结构401的至少一个驱动电路电耦合到电源和/或接地端子。
[0181]
在纵向方向，在一些非限制性示例中，每个发射区域407的构造可以通过基本上在整个周围的一个或多个非发射区域409的侧向方向的至少一部分中引入至少一个像素定义层(pdl)403来定义。在一些非限制性示例中，pdl403的横截面厚度和/或轮廓可以通过沿边界的厚度增加的区域，给予周围非发射区域409的侧向方向与被包围的发射区域407的侧向方向的每个(子)像素408的发射区域407基本上呈谷形的构造。
[0182]
在一些非限制性示例中，在此类发射区域407的侧向方向的至少一部分中，至少一个半导体层405可以沉积在设备400的裸露层表面11上，在一些非限制性示例中裸露层表面11可以至少在第一部分311内包括第一电极404。
[0183]
至少一个半导体层405可以沉积在第一电极404上，至少在与其对应的发射区域407的侧向方向。
[0184]
通过使一个或多个第二部分322基本上让穿过其的em信号331可发送并以与显示面板310的层成一定角度穿过面301，盲孔区域313形成于第二部分312中。在一些非限制性示例中，此类一个或多个第二部分312可对应于至少一个非发射区域409的至少一部分。
[0185]
尽管未示出，但在一些非限制性示例中，一个或多个第二部分312中的pdl 403的厚度，在一些非限制性示例中，至少在一个或多个第一部分311中与相邻的一个或多个发射区域407侧向间隔开的区域中的pdl 403厚度，以及在一些非限制性示例中，tft绝缘层402的pdl 403的厚度可以减小，以增强其透射率。
0.0001、0.01-0.0003、0.01-0.0005、0.01-0.0008、0.01-0.001、0.01-0.005、0.01-0.008、0.008-0.0001，约为0.008-0.0003、0.008-0.0005、0.008-0.0008、0.008-0.001、0.008-0.005、0.005-0.0001、0.005-0.0003、0.005-0.0005、0.005-0.0008或0.005-0.001。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以是或包含ag。
[0198]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，以及在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以具有抵抗多种沉积材料426的沉积的初始粘附概率s0(在一些非限制性示例中，在walker等人描述的双qcm技术中确定的条件下)，该初始粘附概率小于阈值。在一些非限制性示例中，阈值可以约为：0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.08、0.005、0.003或0.001。
[0199]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，以及在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以具有抵抗两种或更多种沉积材料426的沉积的初始粘附概率s0(在一些非限制性示例中，在walker等人描述的双qcm技术中确定的条件下)，该初始粘附概率小于阈值，所述两种或更多种沉积材料426选自：ag、mg、yb、cd和zn。在一些进一步的非限制性示例中，nic 410可以表现出两种或更多种沉积材料426的阈值s0或低于阈值的s0，这些材料选自：ag、mg和yb。
[0200]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以表现出抵抗第一沉积材料426的沉积的初始粘附概率s0或低于第一阈值的初始粘附概率，以及抵抗第二沉积材料426的沉积的初始粘附概率s0或低于第二阈值的初始粘附概率。在一些非限制性示例中，第一沉积材料426可以是ag，而第二沉积材料426可以是mg。在一些其他非限制性示例中，第一沉积材料426可以是ag，而第二沉积材料426可以是yb。在一些其他非限制性示例中，第一沉积材料426可以是yb，而第二沉积材料426可以是mg。在一些非限制性示例中，第一阈值可以大于第二阈值。
[0201]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，在经受ag的蒸汽通量后，其(光)透射率可以等于或高于阈值透射率值。
[0202]
在一些非限制性示例中，可在用于沉积光电设备电极的典型条件下，将形成为薄膜的nic 410和/或nic材料416的表面裸露于ag蒸汽通量后测量透射率，通过非限制性示例，该光电设备的电极可以是oled设备的阴极。
[0203]
在一些非限制性示例中，使表面经受ag蒸汽通量的条件如下：(i)真空压力约为10-4
托或10-5
托；(ii)ag的蒸汽通量与约1埃/秒的参考沉积速率基本一致，通过非限制性示例，其可以使用qcm监测或测量ag的蒸汽通量；以及(iii)表面经受ag的蒸汽通量，直到达到15nm的参考厚度，并且在达到该参考厚度后，表面不再进一步经受ag的蒸汽通量。
[0204]
在一些非限制性示例中，经受ag蒸汽通量的表面可以基本上处于室温(例如约25℃)下。在一些非限制性示例中，经受ag蒸汽通量的表面可以位于距离蒸发ag的蒸发源约65cm的位置。
[0205]
在一些非限制性示例中，可以在与可见光谱相对应的波长处测量阈值透射率值。作为非限制性示例，可以在约460nm的波长处测量阈值透射率值。在一些非限制性示例中，
阈值透射率值可以表示为通过样品传输的入射电磁功率的百分比。在一些非限制性示例中，阈值透射率值可以至少为：约60％、约65％、约70％、约75％、约80％、约85％或约90％。
[0206]
在一些非限制性示例中，当以膜和/或涂层的形式沉积时，以及在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，nic 410和/或nic材料416的抵抗沉积材料426的沉积的初始粘附概率s0与沉积在其上的沉积材料426的厚度之间可以存在正相关。
[0207]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，高透射率通常可以指示沉积材料426没有封闭涂层，通过非限制性示例，该封闭涂层可以是ag。另一方面，低透射率通常可以表明存在沉积材料426的封闭涂层，该封闭涂层包括但不限于ag、mg和/或yb，因为金属薄膜，特别是当形成为封闭涂层时，可以表现出高度的光吸收性。
[0208]
进一步假设，对于沉积材料426，包括但不限于ag、mg和/或yb，表现出低初始粘附概率s0的表面可以表现出高透射率。另一方面，对于沉积材料426，包括但不限于ag、mg和/或yb，表现出高粘附概率s0的表面可以表现出低透射率。
[0209]
制造了一系列样品来测量透射率，并目视观察是否形成了ag的封闭涂层。通过在玻璃基板上沉积约50nm厚的材料涂层来制备每个样品，然后以约的速率使涂层表面经受ag蒸汽通量，直到达到15nm的参考层厚度。然后对每个样品进行目视分析，并测量通过每个样品的透射率。
[0210]
本文中一些非限制性示例中使用的材料的分子结构阐述如下。
[0211]
[0212]
[0213]
[0214][0215]
目视识别已形成基本封闭的ag涂层的样品，并通过测量透射率进一步确认这些样品中存在此类涂层，所述测量表明在460nm波长下的透射率不超过50％。
[0216]
还对未形成ag封闭涂层的样品进行了目视识别，并通过测量透射率进一步确认这些样品中没有此类涂层，所述测量表明在460nm波长下的透射率超过70％。
[0217]
下表总结了结果。
[0218]
材料ag的封闭涂层？ht211型存在ht01型存在taz型存在
balq型存在liq型存在示例材料1存在示例材料2存在示例材料3不存在示例材料4不存在示例材料5不存在示例材料6不存在示例材料7不存在示例材料8不存在示例材料9不存在
[0219]
基于前述，发现表中前7个样品(ht211至示例材料2)中使用的材料可能不特别适合抑制沉积材料426，包括但不限于银和/或含银材料在其上的沉积。
[0220]
另一方面，发现示例材料3至示例材料9在至少一些应用中可能适合作为nic 410，以用于抑制沉积材料426，包括但不限于ag和/或含ag材料在其上的沉积。
[0221]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，表面能y1可以小于约：24达因/厘米、22达因/厘米、20达因/厘米、18达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米或11达因/厘米。在一些非限制性示例中，表面能y1可以超过约：6达因/厘米、7达因/厘米或8达因/厘米。在一些非限制性示例中，表面能y1可介于以下约值之间：10-20达因/厘米或13-19达因/厘米。在一些非限制性示例中，可以根据zisman方法确定表面的临界表面张力，进一步详情参见w.a.zisman在“advances in chemistry”43(1964)，第1-51中所述。
[0222]
通过非限制性示例，制作了一系列样品来测量各种材料形成的表面的临界表面张力。测量结果总结如下。
[0223]
材料临界表面张力(达因/厘米)ht211型25.6ht01型》24taz型22.4balq型25.9liq型24示例材料126.3示例材料224.8示例材料319示例材料47.6示例材料515.9示例材料6《20示例材料713.1示例材料820
示例材料918.9
[0224]
基于前述临界表面张力的测量和先前关于存在或不存在基本上封闭的ag涂层的观察，发现当作为涂层沉积时形成低表面能表面的材料，通过非限制性示例，可以是临界表面张力介于以下值之间的材料：13-20达因/厘米或13-19达因/厘米，可以特别用于形成nic 410以抑制沉积材料426，包括但不限于银和/或含银材料在其上的沉积。
[0225]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，可以假设，通过非限制性示例，形成表面能低于约13达因/厘米的表面的材料在某些应用中可能不适合作为nic材料410，因为此类材料可能表现出对此类材料周围的层的差粘附性，表现出低的熔点，和/或表现出低的升华温度。
[0226]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，以及在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以具有低折射率n。在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，对于波长为550nm的光子，折射率n可以小于约：1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.37、1.35、1.32或1.3。在不希望受任何特定理论约束的情况下，已经观察到，至少在一些设备400中，提供具有低折射率n的nic 410可以增强外部光通过其第二部分312的传输。作为非限制性示例，当nic 410具有低折射率n时，与未提供低折射率nic 410的类似配置的设备400相比，包括其中的气隙的器设备400(该气隙可布置在nic 410附近或与其相邻)可以表现出更高的透射率。
[0227]
作为非限制性示例，制作了一系列样品，以测量由一些不同材料形成的涂层在550nm波长处的折射率。测量结果总结如下。
[0228]
[0229][0230]
基于前述折射率n的测量和先前关于存在或不存在基本上封闭的ag涂层的观察，发现形成低折射率n涂层的材料，通过非限制性示例，可以是折射率n不超过1.4或1.38的材料，可适用于形成nic 410以抑制沉积材料426，包括但不限于ag和/或含ag材料在其上的沉积。
[0231]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，对于波长超过约以下值中的至少一个的光子，消光系数k可以小于约0.01：600nm、500nm、460nm、约420nm或410nm。在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，至少在可见光谱中，可能不会基本上衰减穿过其的光。在一些非限制性示例中，nic410和/或nic材料416当以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，至少在ir光谱和/或nir光谱中，可能不会基本上衰减穿过其的光。
[0232]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，对于波长至少小于以下波长的光子：400nm、390nm、380nm或370nm，消光系数k可以大于约：0.05、0.1、0.2或0.5。这样，nic 410和/或nic材料416当以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以吸收入射到设备上的uva光谱光中的光，从而降低uva光谱中的光对设备性能、设备稳定性、设备可靠性和/或设备寿命方面产生不良影响的可能性。
[0233]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，并且在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，可以具有小于约以下值的玻璃化转变温度tg：300℃、150℃、130℃、30℃、0℃、-30℃或-50℃。
[0234]
在一些非限制性示例中，nic材料416的升华温度可以介于约以下值之间：100-320℃、120-300℃、140-280℃或150-250℃。在一些非限制性示例中，此类升华温度可允许nic材料416易于使用物理气相沉积(pvd)作为涂层进行沉积。
[0235]
材料的升华温度可以使用对在相关领域具有普通技能的人员来说显而易见的各种方法来确定，包括但不限于，在坩埚中的高真空下加热材料，并通过确定可达到的温度：
[0236]
●
观察材料开始沉积在离坩埚固定距离安装的qcm表面上；
[0237]
●
通过非限制性示例，观察在离坩埚固定距离安装的qcm表面上的特定沉积速率
和/或
[0238]
●
通过非限制性示例，达到材料的约10-4
托或10-5
托的临界蒸汽压力。
[0239]
在一些非限制性示例中，材料的升华温度可以通过以下方式来确定：通过在高真空环境下，作为非限制性示例，约在10-4
托下在蒸发源中加热材料，并通过确定可能达到的使材料蒸发的温度，从而产生足以引起材料，作为非限制性示例，以约的沉积速率沉积在离源固定距离安装的qcm表面上的蒸汽通量。
[0240]
在一些非限制性示例中，qcm可安装在离坩埚约65cm的位置，以确定升华温度。
[0241]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或图案化材料316可以包含氟(f)原子和/或硅(si)原子。作为非限制性示例，用于形成nic 410的nic材料416可以是包含f和/或si的化合物。
[0242]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以是包含f的化合物。在一些非限制性示例中，nic材料416可以是包含f和碳(c)原子的化合物。在一些非限制性示例中，nic材料416可以是包含f和c的化合物，其原子比对应于至少约为以下值的f/c的商：1、1.5或2。在一些非限制性示例中，f与c的原子比可通过计算化合物结构中存在的所有f原子，对于c原子，仅计算化合物结构中存在的sp3杂化c原子来确定。在一些非限制性示例中，nic材料416可以是一种化合物，其包括作为其分子亚结构的部分的含有f和c的一份(moiety)，其原子比对应于至少约为以下值的f/c的商：1、1.5或2。
[0243]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以是或包含低聚物。
[0244]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以是或包含具有分子结构的化合物，该分子结构包含主链和键合到主链的至少一个官能团。
[0245]
在一些非限制性示例中，此类化合物可以具有含有硅氧烷基团的分子结构。在一些非限制性示例中，硅氧烷基团可以是线性、支链或环状硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含硅氧烷基团和至少一个含氟官能团。在一些非限制性示例中，含有氟的至少一个官能团可以是氟烷基团。此类化合物的非限制性示例包括氟硅氧烷。此类化合物的非限制性示例为示例材料6和示例材料9。
[0246]
在一些非限制性示例中，该化合物可以具有包含倍半硅氧烷基团的分子结构。在一些非限制性示例中，倍半硅氧烷基团可以是多面体倍半硅氧烷齐聚物(poss)。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含倍半硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含倍半硅氧烷基团和至少一个含氟官能团。在一些非限制性示例中，含有氟的至少一个官能团可以是氟烷基团。此类化合物的非限制性示例包括氟倍半硅氧烷和/或氟-poss。此类化合物的非限制性示例是示例材料8。
[0247]
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包含经取代或未经取代芳基和/或经取代或未经取代杂芳基的分子结构。在一些非限制性示例中，芳基可以是苯基或萘基。在一些非限制性示例中，芳基的一个或多个c原子可以被杂原子取代，杂原子通过非限制性示例可以是氧(o)、氮(n)和/或硫(s)，以衍生出杂芳基。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含经取代或未经取代的芳基，和/或经取代或未经取代的杂芳基。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含经取代或未经取代的芳基，和/或经取代或未经取代的杂芳基和至少一个含有氟的官能团。在一些非限制性示例中，含有氟的至少一个官能团可以是氟烷基团。
[0248]
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包含经取代或未经取代、线性、支链或环状碳氢基团的分子结构。在一些非限制性示例中，烃基的一个或多个c原子可以被杂原子取代，该杂原子通过非限制性示例可以是o、n和/或s。
[0249]
在一些非限制性示例中，该化合物可以具有包含磷腈基团的分子结构。在一些非限制性示例中，磷腈基可为线性、支链或环状磷腈基团。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含磷腈基团。在一些非限制性示例中，主链可以是或包含磷腈基和至少一个含氟官能团。在一些非限制性示例中，含有氟的至少一个官能团可以是氟烷基团。此类化合物的非限制性示例包括氟磷腈。此类化合物的非限制性示例是示例材料4。
[0250]
在一些非限制性示例中，化合物可以是含氟聚合物。在一些非限制性示例中，化合物可以是含有f的嵌段共聚物。在一些非限制性示例中，化合物可以是低聚物。在一些非限制性示例中，低聚物可以是含氟低聚物。在一些非限制性示例中，化合物可以是含有f的嵌段低聚物。氟聚合物和/或氟低聚物的非限制性示例是具有示例材料3、示例材料5和/或示例材料7的分子结构的那些。
[0251]
在一些非限制性示例中，化合物可以是金属络合物。在一些非限制性示例中，金属络合物可以是有机金属络合物。在一些非限制性示例中，有机金属络合物可含有f。在一些非限制性示例中，有机金属复合物可以包括至少一个含有f的配体。在一些非限制性的示例中，至少一个含有f的配体可以是或含有氟烷基。
[0252]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以是或包含有机-无机杂化材料。此类材料通常可包括有机部分或一份，以及无机的另一部分或另一份。此类材料的非限制性示例是那些含有硅氧烷基团、倍半硅氧烷基团、poss基团、磷腈基团和/或金属络合物的材料。
[0253]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以包括多种不同的材料。
[0254]
在一些非限制性示例中，nic材料416可以掺杂、覆盖和/或补充另一种材料，该另一种材料可以充当种子或充当裸露层表面11上的缺陷和/或异常，包括但不限于架状突出部分、台阶边缘、化学杂质、结合位点和/或扭结(“异质性”)，以充当沉积材料426的成核位点。在一些非限制性示例中，此类其他材料可包含成核促进涂层(npc)材料。在一些非限制性示例中，此类其他材料可包含有机材料，诸如通过非限制性示例，多环芳香化合物，和/或包含非金属元素(诸如但不限于o、s、n或c)的材料，其存在可被视为源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中的杂质。在一些非限制性示例中，此类其他材料可沉积在厚度是单层的一小部分的层中，以避免形成其连续涂层30。相反，此类其他材料的单体将倾向于在侧向方向上间隔开，以便为沉积材料426形成离散的成核位点。
[0255]
在一些非限制性示例中，nic 410可以以可以由其中的基本上没有nic涂层的封闭涂层的至少一个区域所定义的图案进行设置。在一些非限制性示例中，至少一个区域可以将nic 410分隔成其多个离散片段。在一些非限制性示例中，nic 410的多个离散片段可以在其侧向方向上彼此物理间隔开。在一些非限制性示例中，nic 410的多个离散片段可以按规则结构排列，包括但不限于阵列或矩阵，使得在一些非限制性示例中，nic 410离散片段以重复图案构造。
[0256]
在一些非限制性示例中，nic 410的多个离散片段中的至少一个分别对应于发射区域407。
[0257]
在一些非限制性示例中，发射区域407的孔径比可以不超过约：50％、40％、30％或
20％。
[0258]
在一些非限制性示例中，nic 410的平均膜厚度可以在约1nm-100nm之间。在一些非限制性示例中，nic 410的平均膜厚可以小于约：80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm或10nm。在一些非限制性示例中，图案化层的平均膜厚度可以超过约：3nm、5nm或8nm。
[0259]
在一些非限制性示例中，nic 410的平均膜厚可以小于约10nm。在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，有点令人惊讶地发现，相对于平均膜厚超过10nm的nic 410，nic 410的大于零且小于约10nm的平均膜厚，至少在一些非限制性示例中，可以通过非限制性示例，为实现沉积材料426的增强图案化对比度提供某些优势。
[0260]
在一些非限制性示例中，nic 410可以形成单个单体涂层。
[0261]
在一些非限制性示例中，nic 410可以用作光学涂层。在一些非限制性示例中，nic 410可以修改从设备400的至少一个发射区域407发射的光的至少一种属性和/或特征。在一些非限制性示例中，nic 410可能表现出一定程度的薄雾，致使发射的光散射。在一些非限制性示例中，nic 410可以包含晶体材料，用于使透射到其中的光散射。在一些非限制性示例中，光的这种散射可以有助于增强来自设备400的光的外耦合。在一些非限制性示例中：nic 410最初可以作为基本上非晶态的(包括但不限于基本上非晶的)涂层沉积，因此，在其沉积之后，nic 410可以结晶，然后用作光耦合器。
[0262]
在一些非限制性示例中，nic 410可以专门沉积以发挥其作用。在一些非限制性示例中，nic 410可以作为制造过程的一部分进行沉积，但也可以用作nic 410。
[0263]
沉积的材料
[0264]
在nic 410横跨至少第二部分312的选择性沉积后，设备400的裸露层表面11可暴露于沉积材料426的蒸汽通量中，包括但不限于在开放掩膜和/或无掩膜沉积工艺中。
[0265]
在一些非限制性示例中，在一个或多个非发射区域409的侧向方向内(包括但不限于第二部分312的整体)的设备400的裸露层表面11可以包括nic410。因此，在这样的一个或多个区域中，沉积材料426可能倾向于不形成为其封闭涂层。
[0266]
在一些非限制性示例中，这些区域可以基本上没有沉积材料426的封闭涂层。
[0267]
因此，可以看出，设备400的第二部分312的至少一个盲孔区域313可以基本上没有任何非透射元件，诸如tft结构401、相关联的导电金属线、第一电极404或第二电极406。
[0268]
微粒结构
[0269]
在不希望受限于任何特定理论的情况下，可以假设，当nic 410暴露于沉积材料426在其上的沉积时，虽然沉积材料426的封闭涂层在其上的形成可能会被基本上抑制在nic 410的封闭涂层上，但在一些非限制性示例中，沉积材料426的一些蒸汽单体最终可在其上形成至少一个微粒，包括但不限于纳米微粒(np)和/或其网络(统称为微粒结构61)。
[0270]
因此，在一个或多个非发射区域409的侧向方向内(包括但不限于第二部分312的整体)的设备400的裸露层表面11可以包括中间阶段层和/或非连续涂层。在本公开中，为了描述的简单性，术语“非连续层”将被理解为包括中间阶段层和非连续涂层中的一个或两个。
[0271]
因此，这些区域可以包括非连续层，该非连续层包括沉积材料426的至少一个微粒结构61。在一些非限制性示例中，至少一些微粒结构61可以彼此断开连接。换句话说，在一些非限制性示例中，非连续层可包含物理上彼此分离的特征，包括微粒结构61，从而不在其
上形成封闭涂层。
[0272]
因此，在一些非限制性示例中，这些区域可包含沉积材料426的形成为微粒结构61的薄分散层。
[0273]
在一些非限制性示例中，沉积材料426的微粒结构61中的至少一个可以与nic 410的裸露层表面11物理接触。在一些非限制性示例中，沉积材料426的几乎所有微粒结构61都可以与nic 410的裸露层表面11物理接触。
[0274]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，有点令人惊讶地发现，沉积材料426的这种薄的分散层的存在，包括但不限于至少一个微粒结构61、包括但不限于金属微粒结构61在包括但不限于非连续层中、在nic 410的裸露层表面11处和/或其附近处、包括但不限于在其上有覆盖层的接口处的存在，可以表现出一种或多种不同的特性以及伴随而来的不同行为，包括但不仅限于设备400对设备400发射的光子和/或em信号的光学效应和特性，和/或如本文所讨论的，通过面301的第二部分312进行交换。在一些非限制性示例中，通过明智地选择nic 410上此类微粒结构61的特征尺寸、尺寸分布、形状、覆盖范围、构造、沉积密度和/或分散性，可以在一定程度上控制此类效应和性能。
[0275]
在一些非限制性示例中，nic 410上微粒结构61的特征尺寸、尺寸分布、形状、覆盖范围、构造、沉积密度和/或分散性中的至少一种的形成可以在一些非限制性示例中通过明智地选择nic材料416的至少一个特征、nic 410的平均膜厚、nic 410中引入的异质性和/或沉积环境，包括但不限于nic 410的沉积的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法中的至少一种来控制。
[0276]
在一些非限制性示例中，此类微粒结构61的特征尺寸、尺寸分布、形状、覆盖范围、构造、沉积密度和/或分散性的形成可以在一些非限制性示例中通过明智地选择沉积材料426的至少一个特征、nic 410可以暴露于沉积材料426沉积的程度(在一些非限制性示例中，该暴露程度可以根据沉积材料426的参考层厚度和/或沉积环境，包括但不限于微粒结构61的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法来指定)来控制。
[0277]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，某些金属np可能会表现出表面等离子体激元(sp)激发和/或自由电子的相干振荡，其结果是此类np可能吸收和/或散射em光谱范围，包括但不限于可见光谱和/或其子范围内的光。这种局部sp(lsp)激发和/或相干振荡的光学响应，包括但不限于吸收可被集中的em光谱(吸收光谱)的(子)范围、折射率n和/或消光系数k，可以通过这些np的不同特性，包括但不仅限于纳米结构和/或其附近介质的特征尺寸、尺寸分布、形状、覆盖范围、构造、沉积密度、分散性和/或性质，包括但不限于材料和/或聚集程度，来定制。
[0278]
在一些非限制性示例中，沉积材料426的至少一个微粒结构61的存在可以有助于增强设备400的光提取、性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
[0279]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，虽然本文提出了光学效果的简化模型，但可能适用于其他模型和/或解释。
[0280]
在一些非限制性示例中，沉积材料426的至少一个微粒结构61的存在可以减少和/或减轻纵向方向上与其相邻设置的薄膜层和/或涂层包括但不限于nic 410和/或任何覆盖层的结晶，从而稳定与其相邻设置的一个或多个薄膜的性能，以及在一些非限制性示例中，减少光散射。
[0281]
在一些非限制性示例中，沉积材料的至少一个微粒结构61的存在可在至少一部分uv光谱中提供增强的吸收。在一些非限制性示例中，控制此类微粒结构61的特征，包括但不限于沉积材料426的特征尺寸、尺寸分布、形状、覆盖范围、构造、沉积密度、分散性和微粒结构61的折射率n，可以有助于控制包括在uv光谱中的吸收光谱的吸收程度、波长范围和峰值波长λ
max
。至少一部分uv光谱中增强的光吸收，例如，对于提高设备性能、稳定性、可靠性和/或寿命可能是有利的。在一些非限制性示例中，微粒结构61的各种特性可由周围介质、涂层和/或层的特性调制。在一些非限制性示例中，微粒结构61设置成与nic 410和/或低折射率涂层接触，以调制微粒结构61的吸收特性和/或折射率n。
[0282]
在一些非限制性示例中，可根据其对透射和/或吸收波长光谱，包括其波长范围和/或峰值强度的影响来描述光学效应。
[0283]
此外，虽然所提出的模型可能表明对穿过此类微粒结构61的光子的传输和/或吸收施加了某些影响，但在一些非限制性示例中，此类影响可能反映出局部影响，这些影响可能不会在广泛、可观察的基础上得到反映。
[0284]
通常，一个或多个非发射区域409的侧向方向(观察窗)中微粒结构61的尺寸，包括但不限于第二部分312的整体，可能反映出统计分布。
[0285]
在一些非限制性示例中，对于微粒结构61的特征尺寸s1的特定分布，吸收光谱强度可能倾向于与此类区域的沉积密度成正比。
[0286]
前述还假设，作为简化假设，对每个微粒结构61的np建模可以具有完美的球形。通常，这些区域(观察窗)中微粒结构61的形状可能高度依赖于沉积工艺。在一些非限制性示例中，微粒结构61的形状可能对由此表现出的sp激发，包括但不限于对共振带的宽度、波长范围和/或强度以及随之而来的吸收带，有重大影响。
[0287]
在一些非限制性示例中，包围这些区域的材料，无论是它们下面的材料(使得微粒结构61可以沉积在其裸露层表面11上)还是随后被设置在其裸露的层表面11中的材料，都可能影响微粒结构61的光学效应，影响通过这些区域的光子和/或信号的传输。
[0288]
可以假设，在一些非限制性示例中，将微粒结构61设置在nic 410的可以由低折射率n材料组成的裸露层表面11上和/或与其物理接触和/或接近，可以改变微粒结构61的吸收光谱。
[0289]
由于至少一个微粒结构61可以布置在nic 410上和/或与nic 410物理接触和/或接近nic 410，因此设备400可以被配置为使得微粒结构61的吸收光谱可以由于nic 410的存在而进行调谐和/或修改。在一些非限制性示例中，设备400可以被配置为使得，由于nic 410的存在而可以对此类吸收光谱进行调谐和/或修改，使得此类吸收光谱可以与至少一部分em光谱(包括但不限于可见光谱、uv光谱和/或ir光谱)基本上重叠和/或可以不重叠。在一些非限制性示例中，设备400可以被配置为使得，由于nic 410或低折射率层的存在而可以对这种吸收光谱进行调谐和/或修改，使得这种吸收光谱可以与uva光谱的至少一部分基本上重叠，从而减弱uva光或信号在其中的传输。
[0290]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含键离解能小于约以下值的金属：300kj/mol、200kj/mol、165kj/mol、150kj/mol、50kj/mol或20kj/mol。
[0291]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含电负性小于约以下值的金属：1.4、1.3或1.2。
[0292]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含选自钾(k)、钠(na)、锂(li)、钡(ba)、铯(cs)、镱(yb)、银(ag)、金(au)、铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、锌(zn)、镉(cd)、锡(sn)或钇(y)的元素。在一些非限制性示例中，元素可包含k、na、li、ba、cs、yb、ag、au、cu、al和/或mg。在一些非限制性示例中，元素可包含cu、ag和/或au。在一些非限制性示例中，元素可以是cu。在一些非限制性示例中，元素可以是al。在一些非限制性示例中，元素可包含mg、zn、cd和/或yb。在一些非限制性示例中，元素可包含mg、ag、al、yb和/或li。在一些非限制性示例中，元素可包含mg、ag和/或yb。在一些非限制性示例中，元素可包含mg和/或ag。在一些非限制性示例中，元素可以是ag。
[0293]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可以是纯金属。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以是纯ag或基本上纯ag。在一些非限制性示例中，基本上纯的ag的纯度可至少为：约95％、约99％、约99.9％、约99.99％、约9.999％或约99.9995％。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以是纯mg或基本上纯mg。在一些非限制性示例中，基本上纯的mg的纯度可以至少为：约95％、约99％、约99.9％、约99.99％、约99.999％或约99.9995％。
[0294]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含合金。在一些非限制性示例中，合金可以是含ag合金、含mg合金或含agmg合金。在一些非限制性示例中，含有agmg的合金可以具有体积为1:10(ag:mg)至约10:1的合金成分。
[0295]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含替代ag和/或与ag结合的其他金属。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含ag与至少一种其他金属的合金。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含ag与mg和/或yb的合金。在一些非限制性示例中，此类合金可以是二元合金，其成分从约5vol.％ag至约95vol.％ag，其余为其他金属。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含ag和mg。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含ag:mg合金，其具有按体积约为1:10至10:1的成分。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含ag和yb。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含yb:ag合金，其具有按体积约为1:20至10:1的成分。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含mg和yb。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含mg:yb合金。在一些非限制性示例中，沉积材料426可包含ag、mg和yb。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含ag:mg:yb合金。
[0296]
在一些非限制性示例中，沉积材料426可以包含至少一个附加元素。在一些非限制性示例中，此类附加元素可以是非金属元素。在一些非限制性示例中，非金属元素可以是o、s、n或c。在相关领域具有普通技能的人员将认识到，在一些非限制性示例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在一种或多种此类附加元素，一种或多种此类附加元素可以作为杂质并入在沉积材料426的表面上。在一些非限制性示例中，一种或多种此类附加元素的浓度可限制在阈值浓度以下。在一些非限制性示例中，一种或多种此类附加元素可与沉积材料426的一种或多种其他元素一起形成化合物。在一些非限制性示例中，沉积材料426中非金属元素的浓度可以小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.000001％。在一些非限制性示例中，沉积材料426可以具有其中的o和c的组合量小于约以下值的成分：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.00001％或0.0000001％。
[0297]
现在，令人有些惊讶地发现，降低沉积材料426中某些非金属元素的浓度，特别是在沉积材料426基本上由一种或多种金属和/或一种或多种金属合金组成的情况下，可以有
助于至少一个微粒结构61的选择性沉积。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设某些非金属元素，通过非限制性示例，诸如o和/或c，当存在于沉积材料426的蒸汽通量和/或沉积室和/或环境中时，可以沉积在nic 410的表面上，以充当沉积材料426的一种或多种金属元素的成核位点。可以假设，降低可以充当成核位点的此类非金属元素的浓度可以有助于减少沉积在nic 410的裸露层表面11上的沉积材料426的量。
[0298]
在一些非限制性示例中，沉积材料426和底层可包含普通金属。
[0299]
在一些非限制性示例中，nic 410和/或nic材料416当在一些非限制性示例中以膜和/或涂层的形式沉积时，以及在类似于nic 410在设备400中沉积的情况下，当以与至少一个微粒结构61沉积在设备400中类似的形式并且在这种情况下沉积时，在一些非限制性示例中可以具有表面能y1，该表面能y1可以小于沉积材料426的表面能y2。
[0300]
在一些非限制性示例中，y2/y1的商可以至少约为：1、5、10或20。
[0301]
在一些非限制性示例中，nic 410上至少一个微粒结构61的表面覆盖范围c1可以不超过最大阈值覆盖范围百分比。
[0302]
在一些非限制性示例中，可以使用各种成像技术，包括但不限于透射电子显微镜(tem)、原子力显微镜(afm)和/或扫描电子显微镜(sem)，通过测量和/或计算至少一个微粒结构61的存在来执行表面覆盖范围的评估。
[0303]
在一些非限制性示例中，可以使用多种成像技术，包括但不限于tem、afm和/或sem，通过测量和/或计算至少一个微粒结构61的存在来评估表面覆盖范围。
[0304]
在一些非限制性示例中，至少一个此类标准可以通过数值度量进行量化。在一些非限制性示例中，该度量可以是离散度d的计算，该离散度描述了至少一个微粒结构61在这些区域中的微粒(面积)大小分布，其中：
[0305][0306]
其中
[0307][0308]
si是第i个微粒的(面积)大小，
[0309]
是微粒(面积)大小的平均数，以及
[0310]
是微粒(面积)大小的(面积)平均大小。
[0311]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，分散度d大致类似于多分散指数(pdi)，并且与样品微粒结构61的分子量相对，这些平均值大致类似于有机化学中熟悉但适用于(面积)大小的数均分子量和重均分子量的概念。
[0312]
在相关领域具有普通技能的人员也会认识到，在计算分散度d的上下文中，(面积)大小的概念可用于反映每个微粒结构61代表沿三个轴(即纵向轴线和一对侧向轴线)的三维体积概念。
[0313]
在一些非限制性示例中，微粒(面积)大小的分散度d和/或数均数和微粒(面积)大小的(面积)大小均数可能涉及微粒直径数均值和微粒直径的(面积)大小均数中的至少一
个的计算：
[0314][0315]
在一些非限制性示例中，沉积材料426，包括但不限于作为微粒结构61的沉积材料，可通过无掩膜和/或开放掩膜沉积工艺进行沉积。
[0316]
在一些非限制性示例中，至少一个微粒结构61和底层一起可以形成发光设备(包括但不限于oled)的发射电极404、406的至少一部分。在一些非限制性示例中，至少一个微粒结构61和底层一起可以形成其阴极的至少一部分。
[0317]
在一些非限制性示例中，可以使用精细金属掩膜(fmm)在nic 410的侧向范围内以图案沉积至少一个微粒结构61。
[0318]
在一些非限制性示例中，至少一个微粒结构61可以设置成图案，该图案可以由其中的至少一个区域定义，该区域基本上没有沉积材料426的封闭涂层。在一些非限制性示例中，至少一个区域可以将沉积材料426分离为其多个离散片段。在一些非限制性示例中，沉积材料426的多个离散片段可以在其侧向方向上彼此物理间隔开。在一些非限制性示例中，沉积材料426的这种多个离散片段中的至少两个可以电耦合。在一些非限制性示例中，沉积材料426的这种多个离散片段中的至少两个可以分别电耦合到公共导电层或涂层，包括但不限于底层，以允许电流在它们之间流动。在一些非限制性示例中，沉积材料426的这种多个离散片段中的至少两个可以彼此电绝缘。
[0319]
在一些非限制性示例中，可以根据若干标准中的至少一个标准，包括但不限于形成在底层的裸露层表面11的一部分上的沉积材料426的聚集实例的特征尺寸、尺寸分布、形状、构造、覆盖范围、沉积分布、分散性和/或存在和/或程度来评估(有点随意地)此类至少一个微粒结构61的特性。
[0320]
在一些非限制性示例中，根据这样的至少一个标准，可以使用多种成像技术，包括但不限于tem、afm和/或sem，通过测量和/或计算其中的至少一种属性，对至少一个微粒结构61进行评估。
[0321]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，此类评估可能在更大和/或更小程度上取决于所考虑的裸露层表面11的范围，在一些非限制性示例中，该裸露层表面的范围可以包括其面积和/或区域。在一些非限制性示例中，至少一个微粒结构61可以在整个范围内，在裸露层表面11的第一侧向方向和/或基本上与其横向的第二侧向方向上进行评估。在一些非限制性示例中，可在包括至少一个应用观察窗的范围内评估至少一个微粒结构61。
[0322]
在一些非限制性示例中，至少一个观察窗可以位于裸露层表面11的侧向方向的周长、内部位置和/或网格坐标处。在一些非限制性示例中，可以使用多个至少一个观察窗来评估至少一个微粒结构61。
[0323]
在一些非限制性示例中，观察窗可以对应于用于评估至少一个微粒结构61的成像技术，包括但不限于tem、afm和/或sem的视野。在一些非限制性示例中，观察窗可以对应于给定的放大级别，包括但不限于：2.00μm、1.00μm、500nm或200nm。
[0324]
在一些非限制性示例中，评估至少一个微粒结构61，包括但不限于其裸露层表面11使用的至少一个观察窗，可以涉及通过任何数量的机制进行计算和/或测量，包括但不仅限于手动计数和/或已知估计技术，在一些非限制性示例中可以包括曲线、多边形和/或形
状拟合技术。
[0325]
在一些非限制性示例中，评估至少一个微粒结构61(包括但不限于，至少一个使用的观察窗)的裸露层表面11可以涉及计算和/或测量计算和/或者测量值的平均值、中值、模式、最大值、最小值和/或其他概率、统计和/或数据操作。
[0326]
在一些非限制性示例中，用于评估此类至少一个微粒结构61的至少一个标准中的一个标准可以是一个或多个非发射区域409的侧向方向上的沉积材料426的表面覆盖范围，包括但不限于第二部分312的整体。在一些非限制性示例中，表面覆盖范围可由此类区域的沉积材料426的(非零)覆盖范围表示。在一些非限制性示例中，可以将百分比覆盖范围与最大阈值百分比覆盖范围进行比较。
[0327]
在一些非限制性示例中，相对于穿过具有实质上超过最大阈值百分比覆盖范围的表面覆盖范围的此类区域的一部分的光子，表面覆盖范围可以基本上不超过最大阈值百分比覆盖范围的沉积层320(的一部分)可能会产生此类区域的这些部分对穿过该区域的光子(无论是完全通过设备400传输和/或由此发射的光子)给予不同光学特性的表现。
[0328]
在一些非限制性示例中，表面上一定量导电材料的表面覆盖范围的一个度量可以是(光)透射率，因为在一些非限制性示例中，导电材料，包括但不限于金属，包括但不仅限于：ag、mg和/或yb会衰减和/或吸收光子。
[0329]
在相关领域中具有普通技能的人员应当认识到，在一些非限制性示例中，表面覆盖范围可以理解为涵盖微粒尺寸和沉积密度中的一者或两者。因此，在一些非限制性示例中，这三个标准中的两个或更多个可能正相关。实际上，在一些非限制性示例中，低表面覆盖范围的标准可以包括低沉积密度标准与低粒径标准的某种组合。
[0330]
在一些非限制性示例中，通过其评估此类区域的至少一个标准中的一个标准可以是组成微粒结构61的特征尺寸。
[0331]
在一些非限制性示例中，至少一个微粒结构61可以具有不超过最大阈值尺寸的特征尺寸s1。特征尺寸s1的非限制性示例可以包括高度、宽度、长度和/或直径。
[0332]
在一些非限制性示例中，几乎所有的微粒结构61都可以具有位于指定范围内的特征尺寸s1。
[0333]
在一些非限制性示例中，此类特征尺寸s1可由特征长度表征，在一些非限制性示例中可将其视为特征尺寸的最大值。在一些非限制性示例中，该最大值可沿微粒结构61的长轴线延伸。在一些非限制性示例中，长轴线可以理解为在由多个侧向轴线定义的平面中延伸的第一维度。在一些非限制性示例中，特征宽度可标识为沿微粒结构61的短轴线延伸的微粒结构61的特征尺寸的值。在一些非限制性示例中，短轴线可以理解为在同一平面内延伸但基本上与长轴线横向的第二维度。
[0334]
在一些非限制性示例中，沿第一维度的至少一个微粒结构61的特征长度可以小于最大阈值尺寸。
[0335]
在一些非限制性示例中，沿第二维度的至少一个微粒结构61的特征宽度可以小于最大阈值尺寸。
[0336]
在一些非限制性示例中，可通过计算和/或测量此类至少一个微粒结构61的特征尺寸，包括但不限于质量、体积、直径长度、周长、长轴线和/或短轴线，来评估微粒结构61的尺寸。
[0337]
在一些非限制性示例中，通过其评估此类沉积层320的至少一个标准中的一个标准可以是其沉积密度。
[0338]
在一些非限制性示例中，微粒结构61的特征尺寸可与最大阈值尺寸相比较。
[0339]
在一些非限制性示例中，微粒结构61的沉积密度可与最大阈值沉积密度相比较。
[0340]
在一些非限制性示例中，微粒结构61可以具有大致圆形。在一些非限制性示例中，微粒结构61可以具有基本球形。
[0341]
在一些非限制性示例中，微粒结构61可以具有小于约200nm的最大阈值尺寸。作为非限制性示例，此类维度可以对应于单个微粒的宽度、长度、直径和/或高度。在一些非限制性示例中，微粒结构61的微粒的直径为：约1-200nm、约1-160nm、约1-100nm、约1-50nm、约1-30nm或约1-20nm。
[0342]
在一些非限制性示例中，微粒结构61的微粒的平均和/或中间维度为：约1-200nm、约1-150nm、约1-100nm、约1-50nm、约1-30nm、约1-20nm、约5-18nm或约8-15nm。作为非限制性示例，此类平均值和/或中间维度可以对应于微粒的平均直径和/或中间直径。
[0343]
在一些非限制性示例中，通过非限制性示例，微粒结构61下面的裸露层表面在给定区域中的百分比可以小于：约35％、约30％、约25％、约20％、约18％、约15％、约13％或约10％。在一些非限制性示例中，通过非限制性示例，微粒结构61下面的裸露层表面在给定区域中的百分比可以为：约10-35％、约10-30％、约15-25％或约18-25％。
[0344]
为了简化起见，在一些非限制性示例中，可以假设每个微粒结构61的纵向范围可以基本上相同(无论如何，不能从平面图sem图像直接测量)，因此微粒结构61(面积)的大小可以表示为沿一对侧向轴线的二维面积覆盖范围。在本公开中，对(面积)大小的引用可以理解为是指这种二维概念，并与可以理解为指一维概念(诸如线性尺寸)的大小(不带前缀“面积”)相区别。
[0345]
事实上，在一些早期研究中，在一些非限制性示例中，此类微粒结构61沿纵向轴线的纵向范围相对于侧向范围(至少沿一个侧向轴线)可能倾向于较小，使得其纵向范围的体积贡献可能远小于此类侧向范围。在一些非限制性示例中，这可以用可以小于1的纵横比(纵向范围与侧向范围的比率)来表示。在一些非限制性示例中，此类纵横比可以约为：1:10、1:20、1:50、1:75和1:300。
[0346]
在这方面，上文所述的纵向范围基本上相同且可以忽略的假设，将微粒结构61表示为二维面积覆盖范围可能是合适的。
[0347]
考虑到沉积过程的非决定性性质，特别是在底层材料的裸露层表面11上存在缺陷和/或异常的情况下，相关技术领域具有普通技能的人员将认识到，包括但不限于异质性，包括但不仅限于台阶边缘、化学杂质、结合位点、扭结和/或其上的杂质，从而在其上形成微粒结构61，随着沉积过程的继续，其聚结的不均匀性，并考虑到观察窗的大小和/或位置的不确定性，以及计算和/或测量其大小、间距、沉积密度、聚集程度等时固有的复杂性和可变性，在观察窗内的特征和/或拓扑方面可以存在相当大的可变性。
[0348]
在本公开中，为了简化说明，省略了沉积材料的某些细节，包括但不限于一个或多个层的厚度轮廓和/或边缘轮廓。
[0349]
在一些非限制性示例中，设备400的在一个或多个非发射区域409的侧向方向内，包括但不限于在第二部分312的整体内的裸露层表面11，可以基本上没有沉积材料426的任
何微粒结构61。
[0350]
第二电极
[0351]
同时，在一些非限制性示例中，由于nic 410被限制在第二部分312的整体内，和/或在第一部分311的一个或多个非发射区域409的侧向方向内，在第一部分311的一个或多个发射区域407的侧向方向内的设备400的裸露层表面11可以包括至少一个半导体层405。因此，在第一部分311的一个或多个发射区域407的这种侧向方向内，入射到裸露层表面11上的沉积材料426的蒸汽通量可以形成沉积材料426的封闭涂层，其可以用作和/或形成第二电极406的一部分。
[0352]
在一些非限制性示例中，第二电极406可以部分延伸到过渡区域417中的nic 410上方。
[0353]
因此，在一些非限制性示例中，nic 410可用于一个或多个目的，即：基本上防止沉积材料426作为第二电极406(的一部分)沉积在第二部分312中；允许沉积材料426作为第二电极406(的一部分)在第一部分311的部分(在一些非限制性示例中，对应于一个或多个发射区域407的侧向方向)中进行(选择性和/或图案化)沉积；和/或在一些非限制性示例中，为在已沉积nic410的位置处的至少一种微粒结构61的沉积提供基础；所有这些都在沉积材料426的沉积期间不使用掩模。
[0354]
低折射率涂层
[0355]
在一些非限制性示例中，在至少一个盲孔区域313中设置至少一层低折射率涂层。在一些非限制性示例中，至少一层低折射率涂层布置在基板10与至少一个屏下部件330相对的一侧。在一些非限制性示例中，至少一层低折射率涂层设置在至少一个半导体层405上或与其相邻。
[0356]
至少一层低折射率涂层通常在至少一部分可见光谱中表现出相对较低的折射率n。作为非限制性示例，低折射率涂层的折射率可以不超过约：1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.37、1.35、1.32、1.3或1.25。在一些非限制性示例中，低折射率涂层的折射率n在以下约值之间：1.2-1.55、1.2-1.5、1.25-1.45或1.25-1.4。在一些非限制性示例中，低折射率涂层的折射率n在约550nm的波长处可以小于约：1.4、1.37或1.35对于增强通过至少一个盲孔区域313的透光率可能特别有利。
[0357]
在不希望受到任何特定理论的约束的情况下，已经发现，至少在一些设备400中提供低折射率涂层可以增强外部光通过其至少一个盲孔区域313的传输。通过非限制性示例，现在已经发现，有点令人惊讶的是，具有低折射率涂层的显示面板310，其折射率n低于作为非限制性示例的oled中使用的典型封盖层(cpl)，相对于不存在这种低折射率涂层的等效显示面板而言，可以表现出增强的透光性。这尤其令人惊讶，因为相关技术领域的普通技术人员可以合理地预期，包括低折射率涂层将在低折射率涂层和相邻的高折射率n层之间创建界面，该界面可能致使光被反射，从而减少通过该设备的透射光的量。在至少一个非限制性示例中，发现在cpl和半导体层405之间设置15nm厚的低折射率涂层的设备与未提供此类低折射率涂层的另一设备相比，在500nm波长处测量的透光率约高5％。
[0358]
在一些非限制性示例中，对于波长至少超过约以下值的光子，低折射率层的消光系数k可以小于约0.01：600nm、500nm、460nm、420nm或410nm。这样，例如，低折射率层可能不会实质上衰减和/或吸收通过显示面板310透射的光。
[0359]
在一些非限制性示例中，低折射率层可以是和/或充当nic层310。
[0360]
至少一层低折射率涂层中最上面(最后沉积的)一个的裸露层表面11可以定义为分界面。在一些非限制性示例中，高折射率介质可设置在分界面上。
[0361]
在一些非限制性示例中，高折射率介质可以以物理高折射率涂层的形式提供，包括但不限于作为制造过程的一部分沉积在设备400上的覆盖层。在一些非限制性示例中，高折射率涂层可包含氟化锂(lif)。
[0362]
在一些非限制性示例中，在至少一部分可见光谱中，至少一层低折射率涂层的折射率n可以低于高折射率介质，包括但不限于高折射率涂层的折射率。
[0363]
虽然在一些非限制性示例中，与典型光电设备中使用的典型材料相比，可以认为至少一层低折射率涂层的折射率n较低，但在相关领域具有普通技能的人员将认识到，为了本公开的目的，如果至少一层低折射率涂层的折射率n小于高折射率介质的折射率，则至少一层低折射率涂层的折射率n不一定如此受限。
[0364]
此外，在一些非限制性示例中，无论是在制造过程中和/或在操作过程中还是在之后，设备400都可以在分界面处提供气隙和/或空气接口，其中至少一层低折射率涂层的折射率n可以低于空气的折射率，而通常认为空气的折射度略高于1.0。
[0365]
uva吸收涂层
[0366]
在一些非限制性示例中，uva吸收涂层可设置在至少一个盲孔区域313中。这种uva吸收涂层通常可以吸收uva光谱中的光。
[0367]
在至少一些应用中，提供这种uva吸收涂层以减少或减轻uva光对屏下部件330的透射可能特别有益。作为非限制性示例，这种uva吸收涂层的存在可以通过减少uva光引起的干扰来提高使用屏下部件330捕获的图像质量。
[0368]
在一些非限制性示例中，此类uva吸收涂层可设置在基板10的与至少一个屏下部件330相对的一侧。
[0369]
在一些非限制性示例中，此类uva吸收涂层可设置在至少一个半导体层405上和/或与其相邻。
[0370]
在一些非限制性示例中，此类uva吸收涂层可设置在至少一层低折射率涂层上和/或与其直接接触。
[0371]
在一些非限制性示例中，uva吸收涂层可包含至少一个微粒结构61。
[0372]
覆盖层
[0373]
在一些非限制性示例中，第二电极40和nic 410的裸露层表面11可以覆盖有一层或多层和/或涂层，包括但不限于势垒涂层520、玻璃封盖和/或薄膜封装(tfe)层、偏振器530、其他层540，包括但不仅限于，光学透明粘合剂(oca)和/或触摸屏材料)和/或者玻璃覆盖层550(在一些非限制性示例中，统称为“覆盖层”)，以形成显示面板310的至少一个面301。
[0374]
这已在fusella等人在nature 2020，585，第379-382页(“fusella等人”)中的“plasmonic enhancement of stability and brightness in organic light-emitting devices(有机发光设备稳定性和亮度的等离子体增强)”中报道，oled设备的稳定性可以通过在阴极层上方并入一层基于np的外耦合层来提高，以从等离子体模式中提取能量。基于np的外耦合层是通过在阴极顶部的有机层顶部旋转铸造20nm立方ag np来制备的。
[0375]
然而，由于大多数商用oled设备是使用基于真空的工艺制造的，溶液中的自旋铸造可能不构成在阴极上方形成这种np基外耦合层的合适机制。
[0376]
本发明人发现，阴极上方的这种基于np的外耦合层(诸如但不限于势垒涂层520、玻璃封盖和/或tfe层、偏振器530、其他层540和/或玻璃覆盖层中的至少一个)可以在真空中通过将金属沉积材料426沉积到nic 410上，在一些非限制性示例中，金属沉积材料426可以是在和/或沉积在阴极上，来制造(因此，可能适合用在商业oled制造工艺中)。该工艺可避免使用可能对oled设备造成损坏和/或可能对设备可靠性产生不利影响的溶剂或其他湿化学品。
[0377]
在一些非限制性示例中，为了大幅增加通过至少一个盲孔区域313的透射率，可以形成偏振器530，以便在设备400的第二部分312的至少一个盲孔区域312的侧向方向上基本上不提供偏振，包括但不限于在其中具有对应的孔径。
[0378]
在一些非限制性示例中，先前讨论的关于光子吸收涂层的光学响应可以包括对入射到其上的光子的吸收，从而减少反射。在一些非限制性示例中，吸收可集中在em光谱的范围内，包括但不限于可见光谱和/或其子范围。在一些非限制性示例中，使用光子吸收层作为光电设备的一部分可以减少对其中偏振器530的依赖。
[0379]
相关技术领域的普通技术人员将认识到，尽管未示出，但在设备400的第二部分312的至少一个盲孔区域313的侧向方向内缺少第一电极401可能会促使至少一个半导体层405和/或nic 410沉积在低于所示的水平，结果，在玻璃覆盖层下面的一些层处，可以在设备的第二部分312的至少一个盲孔区域313的侧向方向内形成间隙。
[0380]
为了减少由此产生的任何不良光学效应，在一些非限制性示例中，可以在基板10和玻璃覆盖层之间的一些层处沉积折射率匹配的填充材料(未示出)，以填充该间隙。在一些非限制性示例中，此类填充材料可包括用于减少光学干扰，包括但不限于显示器内em信号的内部反射引起的光学干扰的光学介质，包括但不仅限于覆盖玻璃和/或玻璃料玻璃。在一些非限制性示例中，光学介质可以具有与至少一个半导体层405、基板10和/或玻璃中的至少一个的折射率基本匹配的折射率。
[0381]
技术
[0382]
有机光电设备可以包括任何光电设备，其中一个或多个活性层和/或地层主要由有机(含碳)材料，更具体地，有机半导体材料形成。
[0383]
如果光电设备通过发光过程发射光子，则该设备可被视为电致发光设备。在一些非限制性示例中，电致发光设备可以是有机发光二极管(oled)设备。在一些非限制性示例中，电致发光设备可以是电子设备的一部分。作为非限制性示例，电致发光设备可以是oled照明面板或模块，和/或计算设备，诸如智能手机、平板电脑、膝上型计算机、电子阅读器和/或一些其他电子设备，诸如监视器和/或电视机，的oled显示器或模块。
[0384]
在一些非限制性示例中，光电设备可以是将光子转换为电的有机pd(opv)设备。在一些非限制性示例中，光电设备可以是电致发光qd设备。
[0385]
在本公开中，除非特别指出相反的情况，否则将是对oled设备的引用，并理解在一些示例中，该公开可以以相关领域具有普通技能的人员显而易见的方式同样适用于其他光电设备，包括但不限于opv和/或qd设备。
[0386]
此类设备的结构可从两个方面的每个方面，即从横截面方向和/或从侧向(平面
图)方向进行描述。
[0387]
在本公开中，可以遵循一种定向约定，基本上通常延伸到上述侧向方向，其中基板可以被视为设备的“底部”，层可以设置在基板的“顶部”。按照这种惯例，第二电极可以位于所示设备的顶部，即使(在一些示例中可以是这种情况，包括但不限于在制造过程中，其中一个或多个层可以借助于气相沉积过程引入)基板可以物理倒置，从而使顶面，其中一个层，诸如但不限于，要设置的第一电极可以物理地位于基板下面，以便允许沉积材料(未示出)向上移动并作为薄膜沉积在其顶面上。
[0388]
在引入本文的横截面方向的上下文中，此类设备的部件可以在基本上是平面的侧向地层中显示。在相关技术领域具有普通技能的人员将认识到，此类基本上平面的表示仅用于说明目的，并且在此类设备的侧向范围内，可以存在不同厚度和尺寸的局部基本上为平面的地层，包括在一些非限制性示例中，基本上完全不存在的层和/或由非平面过渡区域(包括侧向间隙甚至不连续性)分隔的一个或多个层。因此，尽管出于说明目的，设备在其横截面方向上显示为基本分层结构，但在下面讨论的平面图方向上，该设备可以说明不同的地形以定义特征，每个特征都可以基本上表现出在横截面方向讨论的分层轮廓。
[0389]
在本公开中，术语“层”和“成层”可以互换使用，以指代类似概念。
[0390]
图中所示的每一层的厚度仅供说明，不一定代表相对于另一层的厚度。
[0391]
为了简单描述，在本公开中，单层中多个元素的组合可以用冒号“：”表示，而多层涂层中包含多个层的多个元素(组合)可以用斜线“/”分隔两个这样的层来表示。在一些非限制性示例中，斜线之后的层可以沉积在斜线之前的层之后和/或之上。
[0392]
为了说明的目的，涂层、层和/或材料沉积在其上的底层材料的裸露层表面可以理解为沉积时呈现用于在其上沉积的涂层、层或材料的此类底层材料的表面。
[0393]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，当部件、层、区域和/或其一部分被称为“形成”、“设置”和/或“沉积”在另一底层材料、部件、层、区域和/或部分上和/或上方时，此类形成、设置和/或沉积可以直接和/或间接地在此类底层材料、部件、层、区域和/或部分的裸露层表面上(在此类形成、设置和/或沉积时)，并且可以在其之间存在一个或多个中间材料、一个或多个部件、一个或多个层、一个或多个区域和/或一个或多个部分。
[0394]
虽然本公开讨论了薄膜形成，涉及至少一层或涂层的气相沉积，但在相关领域具有普通技能的人员将认识到，在一些非限制性示例中，可以使用多种技术，包括但不限于，蒸发(包括但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻、印刷(包括但不仅限于喷墨和/或蒸汽喷射印刷、卷对卷印刷和/或微接触转移印刷)、pvd(包括但不仅限于溅射)、化学气相沉积(cvd)(包括但并不限于等离子体增强cvd(pecvd)，和/或有机气相沉积(ovpd))、激光退火、激光诱导热成像(liti)图案化、原子层沉积(ald)、涂层(包括但不限于旋涂、双涂层、线涂层和/或喷涂)和/或其组合，来选择性地沉积设备的各种部件。
[0395]
一些工艺可与荫罩结合使用，在一些非限制性示例中，荫罩可以是开放式遮罩和/或精细金属遮罩(fmm)，在沉积任何不同层和/或涂层期间，通过遮蔽和/或防止沉积材料沉积在裸露于其上的底层材料表面的某些部分上来实现各种图案。
[0396]
在本公开中，术语“蒸发”和/或“升华”可以互换使用，通常指源材料转化为蒸汽的沉积过程，包括但不限于通过加热，不限于以固态沉积到目标表面上。可以理解，蒸发工艺可以是一种pvd工艺，其中一种或多种源材料在低压(包括但不限于真空)环境下蒸发和/或
升华以形成蒸汽单体，并通过一种或几种蒸发源材料的去升华沉积在目标表面上。各种不同的蒸发源可用于加热源材料，因此，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，源材料可以以各种方式加热。作为非限制性示例，源材料可通过电丝、电子束、感应加热和/或通过电阻加热进行加热。在一些非限制性示例中，源材料可装入加热坩埚、加热舟、努森池(可以是渗出蒸发器源)和/或任何其他类型的蒸发源中。
[0397]
在一些非限制性示例中，沉积源材料可以是混合物。在一些非限制性示例中，沉积源材料的混合物的至少一种组分可能不会在沉积过程中沉积(或在一些非限制性示例中，与此类混合物的其他组分相比沉积量相对较小)。
[0398]
在本公开中，对材料的层厚度、膜厚度和/或平均层和/或膜厚度的引用，无论其沉积机理如何，都可以指沉积在目标裸露层表面上的材料量，该材料量对应于用具有参考层厚度的均匀厚度的材料层覆盖目标表面的材料量。作为非限制性示例，沉积厚度为10nm的材料层可能表明沉积在表面上的材料量可以对应于用于形成厚度为10nm的均匀材料层的材料量。将认识到，考虑到上文讨论的薄膜形成机理，通过非限制性示例，由于单体可能堆积或聚集，沉积材料的实际厚度可能不均匀。作为非限制性示例，沉积厚度为10nm的层可能会产生实际厚度大于10nm的沉积材料的某些部分，或者实际厚度小于10nm的沉积材料的其他部分。因此，在一些非限制性示例中，沉积在表面上的材料的特定层厚度可以对应于目标表面上沉积材料的平均厚度。
[0399]
在本公开中，对参考层厚度的引用可指可沉积在表现出高初始粘附概率或初始粘附系数s0的参考表面(即，具有约和/或接近1.0的初始粘附概率s0的表面)上的沉积材料，本文也称为导电涂层材料的层厚度。参考层厚度可能并不表示沉积在目标表面(诸如但不限于nic的表面)上的沉积材料的实际厚度。相反，参考层厚度可以是指将沉积在参考表面，在一些非限制性示例中，是指在相同的沉积周期内，在使目标表面和参考表面受到沉积材料相同的蒸汽通量时，位于用于监测沉积速率和参考层厚度的沉积室内的石英晶体的表面，上的沉积材料的层厚度。相关技术领域的普通技术人员将认识到，在目标表面和参考表面在沉积期间没有同时受到相同的蒸汽通量的情况下，则可以使用适当的工具系数来确定和/或监测参考层厚度。
[0400]
在本公开中，参考沉积速率可以指的是沉积材料层在参考表面上生长的速率，前提是沉积材料层与样品表面在沉积室中的位置和配置相同。
[0401]
在本公开中，对沉积材料的若干x单层的引用可指沉积一定量的材料以用材料的组成单体的x单层覆盖裸露层表面的所需面积，诸如但不限于在封闭涂层中。
[0402]
在本公开中，对沉积材料的1/x部分单层的引用可以指的是沉积一定量的材料，以用材料的组成单体的单层覆盖表面的所需面积的0.x部分。在相关领域具有普通技能的人员将认识到，通过非限制性示例，由于单体可能堆积和/或聚集，沉积材料在表面所需面积上的实际局部厚度可能不均匀。作为非限制性示例，沉积材料的1个单层可能会导致表面所需面积的某些局部区域未被材料覆盖，而表面的所需面积的其他局部区域可能会具有沉积在其上的多个原子层和/或分子层。
[0403]
在本公开中，如果通过任何合适的确定机制确定目标表面上基本上没有材料，则目标表面(和/或其一个或多个目标区域)可以被视为“基本上没有材料”、“基本上不存在材料”和/或“基本上未被材料覆盖”。
[0404]
在本公开中，术语“粘附概率”和“粘附系数”可以互换使用。
[0405]
在本公开中，术语“成核”可指薄膜形成过程的成核阶段，其中气相单体冷凝到表面上以形成核。
[0406]
在本公开中，在一些非限制性示例中，如上下文所示，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用，以指代类似概念，并且在本文中对图案化涂层的引用时，在选择性沉积以图案化导电涂层的上下文中，在一些非限制性示例中，可适用于在对其选择性沉积以图案化沉积材料和/或电极涂层材料的上下文中的nic材料。
[0407]
类似地，在一些非限制性示例中，如上下文所示，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用，以指代类似概念，并且在本文中引用npc时，在选择性沉积以图案化导电涂层的上下文中，在一些非限制性示例中，可适用于对其选择性沉积以图案化电极涂层的上下文中的npc材料。
[0408]
虽然图案化材料可以是成核抑制或成核促进的，但在本公开中，除非上下文另有规定，否则本文对图案化材料的引用意在指代nic。
[0409]
在一些非限制性示例中，对图案化材料的引用可以表示具有本文所述特定成分的涂层。
[0410]
在本公开中，术语“导电涂层”和“电极涂层”可以互换使用，以指代类似概念和本文中对导电涂层的引用，在通过nic和/或npc的选择性沉积图案化的上下文中，在一些非限制性示例中，可适用于通过选择性沉积图案化材料图案化的电极涂层。在一些非限制性示例中，对电极涂层的引用可以表示具有本文所述的特定成分的涂层。同样，在本公开中，术语“沉积材料”、“导电涂层材料”和“电极涂层材料”可以互换使用，以指代类似概念和对本文中导电涂层材料的引用。
[0411]
在本公开中，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，有机材料可以包括但不限于多种有机分子和/或有机聚合物。此外，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，掺杂有各种无机物质(包括但不限于元素和/或无机化合物)的有机材料仍然可以被视为有机材料。此外，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，可以使用各种有机材料，并且本文所述的工艺通常适用于所有此类有机材料。此外，具有相关领域普通技能的人员将认识到，含有金属和/或其他有机元素的有机材料仍然可以被视为有机材料。此外，在相关领域具有普通技能的人员将认识到，各种有机材料可以是分子、低聚物和/或聚合物。
[0412]
如本文所用，低聚物通常是指包括至少两个单体单元或单体的材料。如本领域技术人员所认识到的，低聚物可以在至少一个方面与聚合物不同，包括但不限于：(1)其中包含的单体单元的数量；(2)分子量；以及(3)其他材料性质和/或特性。通过非限制性示例，可以在naka k.(2014)“monomers,oligomers,polymers,andmacromolecules(单体、低聚物、聚合物和大分子)”(综述)和海德堡柏林施普林格公司在kobayashi s.、m
ü
llenk.编辑的“encyclopedia of polymeric nanomaterials《聚合物纳米材料百科全书》”中到聚合物和低聚物的进一步描述。
[0413]
低聚物或聚合物通常包括化学键合在一起形成分子的单体单元。这种单体单元可以彼此基本相同，从而使分子主要由重复的单体单元形成，或者分子可以包括两个或更多个不同的单体单位。此外，分子可以包括一个或多个末端单元，其可以不同于分子的单体单元。低聚物或聚合物可以是线性的、分支的、环状的、环线性的和/或交联的。低聚物或聚合
1400nm、750-1300nm、800-1300nm、800-1200nm、850-1300nm或900-1300nm。
[0427]
在本公开中，本文中使用的术语“吸收光谱”通常可指吸收可在其上集中的em光谱的波长(子)范围。
[0428]
在本公开中，本文中使用的术语“吸收边缘”、“吸收非连续性”和/或“吸收极限”通常可指物质吸收光谱中的尖锐非连续性。在一些非限制性示例中，吸收边可能倾向于出现在吸收光子的能量可以对应于电子跃迁和/或电离势的波长处。
[0429]
在本公开中，本文中使用的术语“消光系数”通常可指em系数在通过材料传播时衰减的程度。在一些非限制性示例中，消光系数可以理解为对应于复折射率n的虚分量k。在一些非限制性示例中，材料的消光系数k可通过多种方法测量，包括但不限于椭圆偏振法。
[0430]
在本公开中，本文中用于描述介质的术语“折射率”可指根据该介质中的光速与真空中的光速的比值计算的值。在本公开中，特别是当用于描述基本上透明材料(包括但不限于薄膜层和/或涂层)的特性时，术语可以对应于表达式n＝n+ik中的实部n，其中n代表复折射率，k代表消光系数。
[0431]
如相关技术领域中具有普通技能的人员所认识到的，基本上透明的材料，包括但不限于薄膜层和/或涂层，通常在可见光谱内表现出相对较低的k值，因此表达式的虚成分对复折射率n的贡献可以忽略不计。另一方面，例如由金属薄膜形成的透光电极可以在可见光谱中表现出相对较低的n值和相对较高的k值。因此，这种薄膜的复折射率n可以主要由其虚分量k决定。
[0432]
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对折射率无特殊性的引用可以是对复折射率n的实部n的引用。
[0433]
在一些非限制性示例中，折射率n和透射率之间通常可以存在正相关，或者换句话说，折射率n和吸收之间通常可以存在负相关。在一些非限制性示例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近0的波长。
[0434]
将认识到，本文描述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在em光谱可见范围内的波长处测量的一个或多个此类值。在一些非限制性示例中，折射率n和/或消光系数k值可以对应于在约456nm的一个或多个波长处测得的值，该波长可以对应于b(蓝)子像素的峰值发射波长，可以对应于在约528nm的一个或多个波长处测得的值，该波长可以对应于g(绿)子像素的峰值发射波长，和/或可以对应于在约624nm的一个或多个波长处测得的值，该波长可以对应于r(红)子像素的峰值发射波长。在一些非限制性示例中，本文描述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在约589nm的波长处测得的值，该波长近似对应于弗劳恩霍夫d线。
[0435]
在本公开中，可以结合像素的至少一个子像素的概念来讨论像素的概念。仅用于简单描述，除非上下文另有规定，否则此类复合概念可在本文中称为“(子)像素”，并且该术语被理解为表示像素和/或至少一个子像素中的一个或两个。
[0436]
在一些非限制性示例中，表面上材料量的一个度量可以是此类材料对表面的覆盖范围的百分比。在一些非限制性示例中，可使用多种成像技术，包括但不限于tem、afm和/或sem来评估表面覆盖范围。
[0437]
在本公开中，术语“微粒”、“岛”和“簇”可以互换使用，以指代类似概念。
[0438]
在本公开中，为了描述的简单性，本文中使用的术语“涂膜”、“封闭涂层”和/或“封
闭涂层“可指用于导电涂层的导电涂层材料的薄膜结构和/或涂层，其中表面的相关部分可被由此基本涂覆，使得这样的表面可以基本上不被沉积在其上的涂膜或通过该涂膜暴露。
[0439]
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对薄膜的无特定性的引用可以是指对基本上封闭的涂层的引用。
[0440]
在一些非限制性示例中，封闭涂层，在一些非限制性示例中，导电涂层和/或导电涂层材料的封闭涂层可被设置为覆盖下层表面的一部分，使得在该部分内，其中的底层表面的小于约40％、30％、25％、20％、15％、10％、5％、3％或1％被或通过封闭涂层暴露。
[0441]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，可以使用各种技术和工艺(包括但不限于本文所述的技术和工艺)对封闭涂层进行图案化，以便在封闭涂层沉积后故意留下底层表面的裸露层表面的要暴露的一部分。在本公开中，作为非限制性示例，如果在这种图案化上下文中沉积的薄膜和/或涂层，以及在底层表面的裸露层表面的这些故意裸露部分之间沉积的薄膜或涂层本身基本上包含封闭涂层，则这种图案化膜可被视为构成封闭涂层。
[0442]
在相关领域具有普通技能的人员将认识到，由于沉积过程中的固有可变性，以及在一些非限制性示例中，由于沉积材料、在一些非限制性示例中的导电涂层材料和底层材料的裸露层表面中的一种或两种中杂质的存在，使用各种技术和工艺包括但不限于本文所述的技术和工艺进行的薄膜沉积可能导致在其中形成小孔，包括但不仅限于针孔、撕裂和/或裂缝。在本公开中，通过非限制性示例，如果沉积的薄膜和/或涂层基本上包括封闭涂层并且满足规定的任何指定的覆盖范围标准，尽管存在此类孔径，但此类薄膜仍可被视为构成封闭涂层。
[0443]
在本公开中，为了描述的简单性，本文中使用的术语“非连续涂层”可指用于导电涂层的薄膜结构和/或材料涂层，其中由此涂覆的表面的相关部分既不能基本上缺少此类材料，也不能形成其封闭涂层。在一些非限制性示例中，导电涂层材料的非连续涂层可表现为设置在此类表面上的多个离散岛。
[0444]
在本公开中，为了描述的简单性，蒸汽单体沉积到底层材料的裸露层表面上的结果，尚未达到形成封闭涂层的阶段，可以称为“中间阶段层”。在一些非限制性示例中，此类中间阶段层可以反映出沉积过程尚未完成，其中，此类中间步骤层可被视为封闭涂层形成的中间阶段。在一些非限制性示例中，中间阶段层可以是完整沉积过程的结果，因此其本身构成形成的最后阶段。
[0445]
在一些非限制性示例中，中间阶段层可以比非连续涂层更类似于薄膜，但在表面覆盖层中可以有孔径和/或间隙，包括但不限于一个或多个树枝状突起和/或一个或多个树枝状凹陷。在一些非限制性示例中，此类中间阶段层可包括沉积材料的单个单层的1/x部分，以使其不形成封闭涂层。
[0446]
在本公开中，为了描述的简单性，关于涂层，包括但不限于导电涂层，的术语“树枝状”可指从侧向方向观察时类似于分支结构的一个或多个特征。在一些非限制性示例中，导电涂层可以包括树枝状突起和/或树枝状凹陷。在一些非限制性示例中，树枝状突起可对应于导电涂层的一部分，该部分表现出分支结构，该分支结构包含物理连接并基本上向外延伸的多个短突起。在一些非限制性示例中，树枝状凹陷可对应于导电涂层的间隙、开口和/或未覆盖部分的分支结构，这些间隙、开口或未覆盖部分物理连接并基本上向外延伸。在一些非限制性示例中，树枝状凹陷可以对应于(包括但不限于)树枝状突起的图案的镜像和/
或反向图案。在一些非限制性示例中，树枝状突起和/或树枝状凹陷可以具有表现出和/或模拟分形图案、网格、网状物和/或叉指结构的构造。
[0447]
在一些非限制性示例中，片状电阻可以是部件、层和/或零件的一种特性，它可以改变流过此类部件、层或零件的电流的特性。在一些非限制性示例中，涂层的片状电阻通常可对应于涂层的特征片状电阻，该片状电阻是在与设备的其他部件、层和/或零件隔离的情况下测量和/或确定的。
[0448]
在本公开中，沉积密度可指区域内的分布，在一些非限制性示例中，该分布可包括沉积在其中的材料的面积和/或体积。在相关技术领域具有普通技能的人员将认识到，此类沉积密度可以与可以包含此类沉积材料的微粒本身内的质量或材料密度无关。在本公开中，除非上下文另有规定，否则对沉积密度和/或密度的引用可意在对此类沉积材料，包括但不限于作为一个区域内的至少一个微粒的分布的引用。
[0449]
在一些非限制性示例中，金属的键离解能可以对应于在298k下测量的标准状态焓变化，该焓变化是由金属的两个相同原子形成的双原子分子的键断裂引起的。通过非限制性示例，键离解能可以基于已知文献，包括但不限于luo,yu-ran在“bond dissociation energies《键离解能》”(2010)来确定。
[0450]
如果本公开的特征或方面是以markush组的形式描述的，则在相关领域具有普通技能的人员将认识到，本公开也因此以markusch组成员的子组的任何个体成员的形式描述。
[0451]
除非另有说明，否则单数形式的引用可以包括复数形式，反之亦然。
[0452]
如本文所用，诸如“第一”和“第二”的关系术语以及诸如“a”、“b”等的编号装置可仅用于将一个实体或元件与另一个实体和元件区分开来，而不必要求或暗示此类实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
[0453]
术语“包括”和“包含”可以扩展使用，并以开放方式使用，因此应解释为意指“包括但不限于”。术语“示例”和“示例性”可仅用于出于说明目的识别实例，不应解释为将本公开的范围限制为所述实例。特别是，术语“示例性”不应解释为表示或赋予其所用表达的任何赞扬、有益或其他性质，无论是在设计、性能或其他方面。
[0454]
此外，术语“临界”，特别是当用于表达式“临界核”、“临界成核速率”、“临界浓度”、“临界簇”、“临界单体”、“临界粒径”和/或“临界表面张力”时，可以是相关技术领域具有普通技能的人员熟悉的术语，包括与测量结果或某些性质、特性或现象发生了一定的变化的某一状态有关或处于该状态。因此，术语“临界”不应解释为表示或赋予其所用表达的任何意义或重要性，无论是在设计、性能或其他方面。
[0455]
任何形式的术语“耦合”和“通信”可以意指通过某些接口、装置、中间部件或连接(无论是光学、电气、机械、化学或其他方式)的直接连接或间接连接。
[0456]
术语“在...上”或“在...上方”用在对相对于另一部件的第一部件和/或“覆盖”或“覆盖”另一部件的引用时，可以涵盖第一部件直接在另一部件上(包括但不限于物理接触)的情况以及一个或多个中间部件位于第一部件和另一部件之间的情况。
[0457]
除非另有说明，否则诸如“向上”、“向下”、“左”和“右”的方向术语可用于指附图中所引用的方向。类似地，诸如“向内”和“向外”等词可用于分别表示朝向和远离装置、区域或体积或其指定部分的几何中心的方向。此外，本文所述的所有尺寸可能仅仅是为了举例说
明某些实施例，而不是为了将本公开的范围限制在可能偏离如所规定的此类尺寸的任何实施例。
[0458]
如本文所用，术语“基本上”、“基本上的”、“大约”和/或“约”可用于表示和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，这些术语可指事件或情况准确发生的实例，以及事件或情况近似发生的实例。作为非限制性示例，当与数值结合使用时，这些术语可指不超过该数值约
±
10％的变化范围，诸如不超过：
±
5％、
±
4％、
±
3％、
±
2％、
±
1％、
±
0.5％、
±
0.1％或
±
0.05％。
[0459]
如本文所用，短语“基本上由
……
组成”可以理解为包括具体叙述的那些元件和不会实质上影响所述技术的基本和新颖特性的任何附加元件，而短语“由
……
组成”在不使用任何修饰语的情况下，可以排除未具体叙述的任何元件。
[0460]
如在相关领域具有普通技能的人员将要理解的，对于任何和所有目的，特别是在提供书面描述方面，本文所公开的所有范围也可以涵盖任何和所有可能的子范围和/或其子范围的组合。任何列出的范围都可以很容易地被认为是充分描述和/或能够将同一范围至少分解为相等的分数，包括但不限于二分之一、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作为非限制性示例，本文所讨论的每个范围可以容易地分解为下三分之一、中三分之一和/或上三分之一等。
[0461]
如在相关领域具有普通技能的人员所理解的那样，所有语言和/或术语，诸如“至多”、“至少”、“大于”、“小于”等，可以包括和/或指的是所叙述的一个或多个范围，也可以指的是随后可以分解为如本文所讨论的子范围的范围。
[0462]
如在相关领域具有普通技能的人员所理解的，范围包括所述范围的每个单独成员。
[0463]
概述
[0464]
摘要的目的是使相关专利局或公众，特别是不熟悉专利或法律术语或措辞的本领域普通技术人员，能够从粗略的检查中快速确定本技术公开的性质。摘要无意界定本公开的范围，也无意以任何方式限制本公开的范围。
[0465]
上文已经讨论了本公开示例的结构、制造和使用。所讨论的具体示例仅说明制作和使用本文所公开概念的具体方法，并不限制本公开的范围。相反，本文所述的一般原则被视为仅说明本公开的范围。
[0466]
应当认识到，本公开由权利要求书而非所提供的实施细节所描述，并且可以通过改变、省略、添加或替换和/或在没有任何一个或多个元件和/或一个或多个限制的情况下使用替代品和/或等效功能元件(无论是否在本文中特别公开)进行修改，这对于在相关领域具有普通技能的人员来说是显而易见的，所述修改可以对本文所公开的示例进行，并且可以在不偏离本公开的情况下，提供许多可在各种具体上下文中体现的适用的发明概念。
[0467]
特别是，在上述一个或多个示例中描述和说明的特征、技术、系统、子系统和方法，无论是否描述或说明为离散或单独，都可以在不脱离本公开范围的情况下组合或集成到另一个系统中，以创建由上述可能未明确描述的特征的组合或子组合组成的替代示例，或者可以省略或不实现某些特征。在对整个本技术进行审查后，适用于此类组合和子组合的特征对于本领域技术人员来说是显而易见的。更改、替换和变更的其他示例很容易确定，并且可以在不偏离本文所公开的精神和范围的情况下进行。
[0468]
本文中所有叙述本公开的原理、方面和示例的陈述及其具体示例，旨在涵盖其结构和功能等效物，并覆盖和包含技术的所有适当变化。此外，此类等效物包括当前已知的等效物以及未来开发的等效物，即开发的执行相同功能的任何元件，无论其结构如何。
[0469]
本公开包括但不限于以下条款：
[0470]
1一种显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，该面板适于通过第二部分以相对于层的一定角度接受至少一个电磁(em)信号，以用于与至少一个欠显示部件交换，该面板包括设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层，
[0471]
其中，第二部分基本上没有沉积材料的封闭涂层。
[0472]
2根据条款1所述的面板，其中，该面板适合与主体配合，以形成用于在其中容纳至少一个屏下部件的用户设备，其中，第一部分包括用于从主体发射出至少一个em信号的至少一个发射区域。
[0473]
3根据条款1或2所述的面板，其中，至少一个屏下部件包括以下项中的至少一个：
[0474]
适于接收的接收器；以及
[0475]
适合发射的发射器；
[0476]
至少一个em信号穿过面板超出用户设备。
[0477]
4根据条款1至3中任何一项所述的面板，其中，至少一个屏下部件包括接收器，该接收器用于接收穿过面板超出用户设备的至少一个em信号。
[0478]
5根据条款4所述的面板，其中，穿过面板超出用户设备的至少一个em信号从该面板发出并由其背面的表面反射。
[0479]
6根据条款5所述的面板，其中，从面板发出的至少一个em信号由以下至少一个发射：
[0480]
至少一个屏下部件并穿过该面板的非发射区域；以及
[0481]
面板的发射区域。
[0482]
7根据条款1至6所述的面板，其中，至少一个屏下部件包括发射器，该发射器适于发射穿过面板超出用户设备的至少一个em信号。
[0483]
8一种显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，该面板适于通过第二部分以相对于层的一定角度接受至少一个电磁(em)信号，该面板包括设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层，
[0484]
其中，第二部分基本上没有沉积材料的封闭涂层。
[0485]
9根据条款8所述的面板，进一步包括在第二部分中的面板的裸露层表面上的成核抑制涂层(nic)，其中，将沉积材料沉积到第一部分中的nic表面上的初始粘附概率基本上小于以下至少一个：
[0486]
0.3，以及
[0487]
将沉积材料沉积到裸露层表面上的初始粘附概率。
[0488]
10根据条款9所述的面板，其中，nic包含nic材料。
[0489]
11根据条款9或10所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有用于沉积材料的小于以下约值中的至少一个的初始粘附概率s0：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、
0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001。
[0490]
12根据条款9或10所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有用于银(ag)和镁(mg)中的至少一种的小于以下约值中的至少一个的初始粘附概率s0：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001。
[0491]
13根据条款9至11任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有用于沉积材料的在以下约值之间的初始粘附概率s0：0.15-0.0001、0.1-0.0003、0.08-0.0005、0.08-0.0008、0.05-0.001、0.03-0.0001、0.03-0.0003、0.03-0.0005、0.03-0.0008、0.03-0.001、0.03-0.005、0.03-0.008、0.03-0.01、0.02-0.0001、0.02-0.0003、0.02-0.0005、0.02-0.0008、0.02-0.001、0.02-0.005、0.02-0.008、0.02-0.01、0.01-0.0001、0.01-0.0003、0.01-0.0005、0.01-0.0008、0.01-0.001、0.01-0.005、0.01-0.008、0.008-0.0001、0.008-0.0003、0.008-0.0005、0.008-0.0008、0.008-0.001、0.008-0.005、0.005-0.0001、0.005-0.0003、0.005-0.0005、0.005-0.0008和0.005-0.001。
[0492]
14根据条款9至12中任何一项所述的面板，其中，nic材料的初始粘附概率s0小于多种不同沉积材料的至少一个阈值。
[0493]
15根据条款14所述的面板，其中，多种材料选自以下至少一种：银(ag)、镁(mg)、镱(yb)、镉(cd)和锌(zn)。
[0494]
16根据条款14或15所述的面板，其中，nic材料具有低于多种沉积材料中第一种的第一阈值的初始粘附概率s0，以及多种沉积材料中第二种的初始粘附概率s0。
[0495]
17根据条款16所述的面板，其中，第一阈值大于第二阈值。
[0496]
18根据条款9至16任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个在经受银(ag)的蒸汽通量后的透光率至少为阈值透射率值。
[0497]
19根据条款18所述的面板，其中，蒸汽通量处于为以下至少约值的真空压力下：10-4
托和10-5
托。
[0498]
20根据条款18或19所述的面板，其中，蒸汽通量的沉积速率约为1埃/sec。
[0499]
21根据条款18至20中任何一项所述的面板，其中，施加蒸汽通量，直到达到15nm的参考厚度。
[0500]
22根据条款18至21中任何一项所述的面板，其中，对其施加蒸汽通量的表面温度约为25℃。
[0501]
23根据条款18至22中任何一项所述的面板，其中，对其施加蒸汽通量的表面距离ag的蒸发源约为65cm。
[0502]
24根据条款18至23中任何一项所述的面板，其中，阈值透射率值从以下至少一个约值中选择：60％、65％、70％、75％、80％、85％和90％。
[0503]
25根据条款18至24中任何一项所述的面板，其中，在约460nm波长处测量阈值透射率值。
[0504]
26根据条款9至25中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有小于以下至少一个约值的表面能(y1)：24达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米、10达因/厘米、9达因/厘米和8达因/厘米。
[0505]
27根据条款9至26中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有介于以下约值之间的表面能(y1)：13-20达因/厘米和13-19达因/厘米。
[0506]
28根据条款9至27中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个对于550nm波长处的光子具有小于以下至少一个约值的折射率n：1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.38、1.37、1.35、1.32和1.3。
[0507]
29根据条款9至28中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个对于在超过以下至少一个约值的波长处的光子具有小于0.01的消光系数k：600nm、500nm、460nm、420nm和410nm。
[0508]
30根据条款9至29中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个对于波长小于以下至少一个约值的光子400nm、390nm、380nm和370nm，具有可以大于以下约值的消光系数k：0.05、0.1、0.2和0.5。
[0509]
31根据条款9至30中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个具有小于以下约值的玻璃化转变温度tg：300℃、150℃、130℃、30℃、0℃、-30℃和-50℃。
[0510]
32根据条款9至31中任何一项所述的面板，其中，nic材料的升华温度介于以下约值之间：100-320℃、120-300℃、140-280℃和150-250℃。
[0511]
33根据条款9至32中任何一项所述的面板，其中，nic和nic材料中的至少一个含有氟(f)和硅(si)中的至少一种。
[0512]
34根据条款33所述的面板，其中，nic材料是包含f的化合物。
[0513]
35根据条款34所述的面板，其中，nic材料是包含f和碳(c)的化合物。
[0514]
36根据条款35所述的面板，其中，nic材料由f和c以原子比对应于至少以下约值的f/c的商组成：1、1.5和2。
[0515]
37根据条款33至36中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含低聚物。
[0516]
38根据条款33至37中任何一项所述的面板，其中，nic材料的分子结构包括主链和至少一个与主链结合的官能团。
[0517]
39根据条款38所述的面板，其中，nic材料包含硅氧烷基团。
[0518]
40根据38或39所述的面板，其中，主链包含硅氧烷基团。
[0519]
41根据条款38至40条任何一项所述的面板，其中，至少一个官能团包含f。
[0520]
42根据条款41所述的面板，其中，至少一个官能团包含氟烷基。
[0521]
43根据条款38至42中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含倍半硅氧烷基团。
[0522]
44根据条款38至43中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含芳基。
[0523]
45根据条款38至44中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含烃基团。
[0524]
46根据条款38至45中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含磷腈基团。
[0525]
47根据条款38至46中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含替代或未替代的线性、支链或环状碳氢基团。
[0526]
48根据条款47所述的面板，其中，被取代基团中的至少一个c原子被选自氧(o)、氮(n)和硫(s)中至少一个的杂原子取代。
[0527]
49根据条款38至48中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含氟聚合物。
[0528]
50根据条款38至49中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含金属复合物。
[0529]
51根据条款38至50中任何一项所述的面板，其中，nic材料包含有机-无机杂化材
料。
[0530]
52根据条款10至51中任何一项所述的面板，其中，nic材料掺杂有用作其上的成核位点的另一种材料。
[0531]
53根据条款9至52中任何一项所述的面板，进一步包括沿nic表面延伸的高折射率介质，其中，nic包括折射率小于高折射率介质的折射率的低折射率涂层。
[0532]
54根据条款53所述的面板，其中，高折射率介质包含高折射率涂层。
[0533]
54根据条款53或54所述的面板，其中，高折射率介质包含覆盖层。
[0534]
55根据条款53或54所述的面板，其中，高折射率介质包含氟化锂(lif)。
[0535]
56根据条款53所述的面板，其中，高折射率介质包含气隙。
[0536]
57根据条款8至56中任何一项所述的面板，其中，第二部分包括由沉积材料组成的至少一个微粒结构。
[0537]
58根据条款57所述的面板，其中，至少一个微粒结构形成设置在nic的裸露层表面上的非连续层。
[0538]
59根据条款57或58所述的面板，其中，第二部分包括uva吸收层。
[0539]
60根据条款59所述的面板，其中，uva吸收层包括至少一个微粒结构。
[0540]
61根据条款8至60中任何一项所述的面板，其中，第二部分包括uva吸收层。
[0541]
62根据条款61所述的面板，其中，uva吸收层包括由沉积材料组成的至少一个微粒结构。
[0542]
63根据条款8至62中任何一项所述的面板，进一步包括设置在第二部分中的面板的裸露层表面上的低折射率涂层和沿低折射率涂层的表面延伸的高折射率介质，其中，低折射率涂层的折射率小于高折射率介质的折射率。
[0543]
64根据条款63所述的面板，其中，低折射率涂层包括成核抑制涂层(nic)，其中，在第一部分中，将沉积材料沉积到nic表面上的初始粘附概率基本上小于以下值中的至少一个：
[0544]
0.3，以及
[0545]
将沉积材料沉积到裸露层表面上的初始粘附概率。
[0546]
65根据条款63或64所述的面板，其中，高折射率介质包含高折射率涂层。
[0547]
66根据条款63至65中任何一项所述的面板，其中，高折射率介质包含覆盖层。
[0548]
67根据条款63至66中任何一项所述的面板，其中，高折射率介质包含氟化锂(lif)。
[0549]
68根据条款63或64所述的面板，其中，高折射率介质包含气隙。
[0550]
69根据条款8至68中任何一项所述的面板，其中，第一部分中的面板的裸露层表面为基本连续延伸穿过第一部分和第二部分的底层涂层。
[0551]
70根据条款8至69中任何一项所述的面板，其中，面板的裸露层表面基本上与第二部分中的em面板的裸露层表面共面并共存。
[0552]
71根据条款8至70中任何一项所述的面板，其中，至少一层封闭涂层基本上抑制了em信号通过其以相对于层的一定角度的传输。
[0553]
72根据条款8至71中任何一项所述的面板，其中，第二部分基本上没有任何基本上抑制了em信号通过其以相对于层的一定角度的传输的特征。
[0554]
73根据条款8至72中任何一项所述的面板，其中，沉积材料基本上是导电的。
[0555]
74根据条款8至73中任何一项所述的面板，其中，至少一层封闭涂层的平均膜厚约在5-80nm之间。
[0556]
75根据条款8至74中任何一项所述的面板，其中，第一部分包括用于以相对于层的一定角度发射em信号的至少一个发射区域。
[0557]
76根据条款75所述的面板，进一步包括：
[0558]
基板；以及
[0559]
设置在其上的至少一个半导体层；以及
[0560]
其中：
[0561]
每个发射区域包括第一电极和第二电极，
[0562]
第一电极设置在基板和至少一个半导体层之间，并且
[0563]
至少一个半导体层设置在第一电极和第二电极之间。
[0564]
77根据条款76所述的面板，其中，第二电极包括沉积材料的至少一层封闭涂层。
[0565]
78根据条款76或77所述的面板，其中，面板的裸露层表面是至少一个半导体层的裸露层表面。
[0566]
79根据条款76至78中任一项所述的面板，其中，基板基本上连续延伸穿过第一部分和第二部分。
[0567]
80根据条款79所述的面板，其中，至少一个半导体层基本上连续地延伸穿过第一部分和第二部分。
[0568]
81根据条款76至80中任何一项所述的面板，其中，第一部分包括多个发射区域。
[0569]
82根据条款81所述的面板，其中，第一部分包括相邻发射区域之间的至少一个非发射区域。
[0570]
83根据条款876至82中任何一项所述的面板，其中，第二部分基本上没有任何发射区域。
[0571]
84根据条款8至83中任何一项所述的面板，进一步包括至少一个设置在第一部分中至少一层封闭涂层的裸露层表面上以及第二部分中面板的裸露层表面上的覆盖层。
[0572]
85根据条款84所述的面板，其中，至少一个覆盖层选自以下至少一种：势垒涂层、玻璃封盖、薄膜封装(tfe)层、偏振器、光学透明粘合剂(oca)、触摸屏材料、玻璃覆盖层，以及这些材料的任何组合。
[0573]
86一种用户设备，包括：
[0574]
显示面板，该显示面板具有多个层，并在由侧向轴线限定的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸；以及
[0575]
至少一个屏下部件，该至少一个屏下部件适于交换以相对于层的一定角度通过面板的第二部分的至少一个电磁(em)信号；
[0576]
其中，该面板包括至少一层设置在第一部分中的面板的裸露层表面上的沉积材料的封闭涂层；以及
[0577]
其中，第二部分基本上没有沉积涂层的封闭涂层。
[0578]
因此，其中公开的说明书和示例仅被视为说明性的，所附编号的权利要求书公开了本公开的真实范围。

技术特征：

1.一种显示面板，所述显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，所述面板适于通过所述第二部分以相对于所述层的一定角度接受至少一个电磁信号即至少一个em信号，以用于与至少一个屏下部件交换，所述面板包括设置在所述第一部分中的所述面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；其中，所述第二部分基本上没有所述沉积材料的封闭涂层。2.根据权利要求1所述的面板，其中，所述至少一个屏下部件包括以下至少一项：适于接收的接收器；以及适合发射的发射器；所述至少一个em信号穿过所述面板超出所述用户设备。3.一种显示面板，所述显示面板具有多个层，并在由侧向轴线定义的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，所述面板适于通过所述第二部分以相对于所述层的一定角度接受至少一个电磁信号即至少一个em信号，所述面板包括设置在所述第一部分中的所述面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；其中，所述第二部分基本上没有所述沉积材料的封闭涂层。4.根据权利要求3所述的面板，进一步包括在所述第二部分中的所述面板的所述裸露层表面上的成核抑制涂层即nic，其中，将所述沉积材料沉积到所述第一部分中的所述nic的表面上的初始粘附概率基本上小于以下至少一个：0.3，以及将所述沉积材料沉积到所述裸露层表面上的所述初始粘附概率。5.根据权利要求3或4所述的面板，其中，所述第二部分包括由所述沉积材料组成的至少一个微粒结构。6.根据权利要求3至5中任一项所述的面板，其中，所述第二部分包含uva吸收层。7.根据权利要求3至6中任一项所述的面板，进一步包括设置在所述第二部分中的所述面板的所述裸露层表面上的低折射率涂层和沿所述低折射率涂层的表面延伸的高折射率介质，其中，所述低折射率涂层的折射率小于所述高折射率介质的折射率。8.根据权利要求3至7中任一项所述的面板，其中，所述沉积材料包含银(ag)和镱(yb)中的至少一种。9.根据权利要求3至8中任一项所述的面板，其中，所述至少一层封闭涂层的平均膜厚约在5nm-80nm之间。10.根据权利要求3至9中任一项所述的面板，其中，所述第一部分包括用于以相对于所述层的一定角度发射em信号的至少一个发射区域。11.根据权利要求10所述的面板，进一步包括：基板；以及设置在其上的至少一个半导体层；以及其中：每个发射区域包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述基板和所述至少一个半导体层之间，并且所述至少一个半导体层设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
12.根据权利要求11所述的面板，其中，所述第二电极包括所述沉积材料的所述至少一层封闭涂层。13.根据权利要求11或12所述的面板，其中，所述面板的所述裸露层表面是所述至少一个半导体层的裸露层表面。14.根据权利要求11至13中任一项所述的面板，其中，所述基板基本上连续延伸穿过所述第一部分和所述第二部分两者。15.根据权利要求14所述的面板，其中，所述至少一个半导体层基本上连续地延伸穿过所述第一部分和所述第二部分两者。16.根据权利要求11至14中任一项所述的面板，其中，所述第一部分包括多个发射区域。17.根据权利要求16所述的面板，其中，所述第一部分包括相邻发射区域之间的至少一个非发射区域。18.根据权利要求11至17中任一项所述的面板，其中，所述第二部分基本上没有任何发射区域。19.根据权利要求4至18中任一项所述的面板，进一步包括设置在所述第一部分中所述至少一层封闭涂层的裸露层表面上以及所述第二部分中所述面板的裸露层表面上的至少一个覆盖层。20.一种用户设备，包括：显示面板，所述显示面板具有多个层，并在由侧向轴线限定的至少一个侧向方向的第一部分和第二部分中延伸；以及至少一个屏下部件，所述至少一个屏下部件适于交换以相对于所述层的一定角度通过所述面板的所述第二部分的至少一个电磁信号即至少一个em信号；其中，所述面板包括设置在所述第一部分中的所述面板的裸露层表面上的沉积材料的至少一层封闭涂层；以及其中，所述第二部分基本上没有所述沉积涂层的封闭涂层。

技术总结

一种分层面板在侧向方向的第一部分和第二部分中延伸，通过第二部分接受一个或多个电磁信号。第一部分而非第二部分具有沉积材料的封闭涂层。第二部分可以包括成核抑制涂层(NIC)和/或低折射率涂层。第一部分中的NIC的沉积材料的初始粘附概率可以小于0.3，和/或沉积材料在底层表面上的初始粘附概率。较高折射率介质可以位于低折射率涂层上。第二部分可以包括由沉积材料和/或UVA吸收层组成的至少一个微粒结构。第一部分可以包括用于发射一个或多个电磁信号的一个或多个发射区域。面板可以包括基板和一个或多个半导体层。每个发射区域可以包括第一电极和第二电极，其中第一电极位于基板和一个或多个半导体层之间，以及一个或多个半导体层位于第一电极和第二电极之间。多个半导体层位于第一电极和第二电极之间。多个半导体层位于第一电极和第二电极之间。