多存储器装置中的电力模式控制的制作方法

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多存储器装置中的电力模式控制
1.交叉引用
2.本专利申请案主张宋(song)等人在2022年1月26日提交的标题为“多存储器装置中的电力模式控制(power mode control in a multi-memory device)”的美国专利申请案第17/585,298号的优先权，所述美国专利申请案主张宋等人在2021年4月 28日提交的标题为“多存储器装置中的电力模式控制(power mode control in amulti-memory device)”的美国临时专利申请案第63/181,065号，这两篇申请案均转让给本受让人，并且均以全文引用的方式明确并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及多存储器装置中的电力模式控制。

背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器，例如feram，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如dram)在与外部电源断开连接时可能丢失其所存储状态。

技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合。所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备进行以下操作：确定用于所述非易失性存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量，其中所述排队命令数量包括待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式。
7.描述一种设备。所述设备可包含非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合。所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备进行以下操作：在第一电力
模式中操作所述易失性存储器并且在第二电力模式中操作所述非易失性存储器；至少部分地基于来自主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。
8.描述一种由存储器装置执行的方法。所述方法可包含在第一电力模式中操作易失性存储器并且在第二电力模式中操作非易失性存储器；至少部分地基于来自与所述存储器装置耦合的主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。
附图说明
9.图1说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的系统的实例。
10.图2说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的存储器子系统的实例。
11.图3说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的装置的实例。
12.图4说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的过程流的实例。
13.图5示出根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的存储器装置的框图。
14.图6和7示出说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
15.例如电子装置的装置可包含非易失性存储器(例如，用于存储其它操作当中的信息的主存储器)和可用作非易失性存储器的高速缓存器的易失性存储器(例如，辅助存储器)。这类配置可允许装置得益于非易失性存储器的优点(例如，非易失性的永久性存储、高存储容量、低电力消耗)，同时通过易失性存储器维持与主机装置的兼容性以及其它方面。在一些实例中，易失性存储器和非易失性存储器可支持不同的电力模式，所述不同的电力模式提供不同级的功能性、消耗不同的电量，或具有不同的退出时延，以及其它差异。主机装置可通过发指令给装置在同一特定电力模式中操作易失性存储器和非易失性存储器来以整体方式控制易失性存储器和非易失性存储器相应电力模式。但在同一特定电力模式中操作易失性存储器和非易失性存储器可浪费电力(例如，在存储器具有不同业务或存取预期)，还有其它缺点。
16.根据本文中所描述的技术，装置可通过以独立于例如易失性存储器的第二存储器的电力模式的方式选择例如非易失性存储器的第一存储器的电力模式，且反之亦然，以此
节约电力，以及其它优点。举例来说，装置可基于或响应于来自主机装置的一或多个电力模式命令来选择易失性存储器的电力模式并且可基于或响应于针对非易失性存储器排队的命令数量来选择非易失性存储器的电力模式，还有其它因素或实例。在一些实例中，如果排队命令数量小于阈值数量(例如，零、小于阈值数量的某一值)，那么装置可将非易失性存储器的电力模式从相对较高电力模式改变到较低电力模式。在一些实例中，在检测到用于非易失性存储器的排队命令的存在之后(或在检测到阈值数量的排队命令之后)，装置可即刻将非易失性存储器从较低电力模式转变到相对较高电力模式。因此，可以独立于易失性存储器的电力模式的方式控制非易失性存储器的电力模式，这可允许装置节约电力并且更动态地进行操作，以及其它优点。
17.首先在如参考图1和2所描述的系统和存储器子系统的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3所描述的装置和如参考图4和5所描述的过程流的上下文中描述本公开的特征。通过涉及参考图6和7所描述的用于高速缓存器的动态中间结果暂存器 (scratchpad)的设备图和流程图进一步说明并且参考所述设备图和流程图进一步描述本公开的这些和其它特征。
18.图1说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的系统100 的实例。系统100可以包含在例如计算机或电话的电子装置中。系统100可包含主机装置105和存储器子系统110。主机装置105可为与接口控制器115介接的处理器或芯片上系统(soc)以及包含系统100的电子装置的其它组件。存储器子系统110可存储用于主机装置105的电子信息(例如，数字信息、数据)并且提供对所述电子信息的存取。存储器子系统110可包含接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125。在一些实例中，接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125可包含在例如封装130的同一物理封装中。然而，接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125可安置于不同的相应裸片(例如，硅裸片)上。
19.系统100中的装置可以通过各种导线(例如，迹线、印刷电路板(pcb)布线、重布层 (rdl)布线)耦合，所述导线可以实现装置之间的信息(例如，命令、地址、数据)传送。导线可以构成信道、数据总线、命令总线、地址总线等。
20.存储器子系统110可被配置成提供非易失性存储器125的益处同时维持与支持用于不同的类型的存储器的协议的主机装置105的兼容性，所述存储器例如易失性存储器 120，以及其它实例。举例来说，非易失性存储器125可以提供(例如，相对于易失性存储器120的)益处，例如非易失性、较高容量，或较低电力消耗。但主机装置105可为与非易失性存储器125的各种方面不兼容的或低效配置的。举例来说，主机装置105可支持与非易失性存储器125不兼容的电压、存取时延、协议、页大小等。为了补偿主机装置105与非易失性存储器125之间的不兼容性，存储器子系统110可被配置成具有易失性存储器120，其可与主机装置105兼容且充当非易失性存储器125的高速缓存器。因此，主机装置105可使用易失性存储器120所支持的协议同时受益于非易失性存储器125 的优点。
21.在一些实例中，系统100可以包含在计算装置、电子装置、移动计算装置或无线装置中，或与计算装置、电子装置、移动计算装置或无线装置耦合。装置可为便携式电子装置。举例来说，装置可以是计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置等。在一些实例中，装置可被配置成用于经由或存取点的双向无线
通信。在一些实例中，与系统100相关联的装置能够进行机器类型通信(mtc)、机器对机器(m2m)通信或装置对装置(d2d)通信。在一些实例中，与系统100 相关联的装置可称作用户设备(ue)、站(sta)、移动终端等。
22.主机装置105可被配置成使用接口控制器115所支持的第一协议(例如，低电力双数据速率(lpddr))与存储器子系统110介接。因此，在一些实例中，主机装置105可与接口控制器115直接介接并且与非易失性存储器125和易失性存储器120间接介接。在替代性实例中，主机装置105可与非易失性存储器125和易失性存储器120直接介接。主机装置105还可以与包含系统100的电子装置的其它组件介接。主机装置105可以是或包含soc、通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些类型的组件的组合。在一些实例中，主机装置105可以被称作主机。
23.接口控制器115可被配置成(例如，基于或响应于由主机装置105发出的一或多个命令或请求)代表主机装置105与易失性存储器120和非易失性存储器125介接。举例来说，接口控制器115可以代表主机装置105促进易失性存储器120和非易失性存储器125中的数据的检索和存储。因此，接口控制器115可促进各种子组件之间的数据传送，如在主机装置105、易失性存储器120或非易失性存储器125中的至少一些之间的数据传送。接口控制器115可使用第一协议与主机装置105和易失性存储器120介接，且可使用由非易失性存储器125支持的第二协议与非易失性存储器125介接。
24.非易失性存储器125可被配置成存储数字信息(例如，数据)以用于包含系统100的电子装置。因此，非易失性存储器125可包含一或多个存储器单元阵列以及被配置成操作存储器单元阵列的本地存储器控制器。在一些实例中，存储器单元可为或包含feram 单元(例如，非易失性存储器125可为feram)。非易失性存储器125可配置成使用不同于在接口控制器115与主机装置105之间使用的第一协议的第二协议来与接口控制器 115介接。在一些实例中，非易失性存储器125可能比易失性存储器120具有更长的存取操作时延。举例来说，从非易失性存储器125检索数据与从易失性存储器120检索数据相比可能需要更久。类似地，将数据写入到非易失性存储器125可能比将数据写入到易失性存储器120花费更长的时间。在一些实例中，如本文中所描述，非易失性存储器 125可能比易失性存储器120具有更小页大小。
25.易失性存储器120可被配置成用作用于一或多个组件(例如，非易失性存储器125) 的高速缓存器。举例来说，易失性存储器120可存储信息(例如，数据)以用于包含系统 100的电子装置。因此，易失性存储器120可以包含一或多个存储器单元阵列以及被配置成操作存储器单元阵列的本地存储器控制器。在一些实例中，存储器单元可为或包含 dram单元(例如，易失性存储器可为dram)。非易失性存储器125可以被配置成使用在接口控制器115与主机装置105之间使用的第一协议与接口控制器115介接。
26.在一些实例中，易失性存储器120可能比非易失性存储器125具有更短的存取操作时延。举例来说，从易失性存储器120检索数据与从非易失性存储器125检索数据相比可能需要较少时间。类似地，将数据写入到易失性存储器120可能比将数据写入到非易失性存储器125花费更少的时间。在一些实例中，易失性存储器120可能比非易失性存储器125具有更大页大小。举例来说，易失性存储器120的页大小可为2千字节(2kb) 且非易失性存储器125
的页大小可为64字节(64b)或128字节(128b)。
27.虽然非易失性存储器125可以是比易失性存储器120更高密度的存储器，但存取非易失性存储器125可能要比存取易失性存储器120花费更长的时间(例如，由于不同架构和协议，以及其它原因)。因此，将易失性存储器120用作高速缓存器可减少系统100 中的时延。作为实例，通过从易失性存储器120而不是从非易失性存储器125检索数据，可以相对快速地满足对来自主机装置105的数据的存取请求。为了促进易失性存储器120 作为高速缓存器的操作，接口控制器115可包含多个缓冲器135。缓冲器135可以与接口控制器115安置在同一裸片上并且可被配置成临时存储数据以用于在一或多个存取操作(例如，存储和检索操作)期间在易失性存储器120、非易失性存储器125或主机装置 105(或其任何组合)之间传送。
28.存取操作也可称作存取过程或存取程序，且可涉及由存储器子系统110的组件中的一或多个执行的一或多个子操作。存取操作的实例可包含：存储操作，其中将由主机装置105提供的数据存储在(例如，写入到)易失性存储器120或非易失性存储器125(或两者)中；以及检索操作，其中从易失性存储器120或非易失性存储器125获得(例如，读取)由主机装置105请求的数据且将其返回到主机装置105。
29.为了将数据存储在存储器子系统110中，主机装置105可通过将存储命令(也被称为存储请求、写入命令，或写入请求)发射到接口控制器115来发起存储操作(或“存储过程”)。存储命令可以非易失性存储器125中的非易失性存储器单元集为目标。在一些实例中，存储器单元集也可以被称作存储器的一部分。主机装置105还可将待写入到非易失性存储器单元集的数据提供到接口控制器115。接口控制器115可将数据暂时存储在缓冲器135-a中。在将数据存储在缓冲器135-a中之后，接口控制器115可以将数据从缓冲器135-a传送到易失性存储器120或非易失性存储器125或这两者。在直写模式中，接口控制器115可以将数据传送到易失性存储器120和非易失性存储器125这两者。在写回模式中，接口控制器115可仅将数据传送到易失性存储器120(其中在稍后的逐出过程期间将数据传送到非易失性存储器125)。
30.在任一模式中，接口控制器115可以识别易失性存储器120中的一或多个易失性存储器单元的适当集，以用于存储与存储命令相关联的数据。为此，接口控制器115可实施集关联映射，其中可将非易失性存储器125中的一或多个非易失性存储器单元的每个集映射到易失性存储器120中的易失性存储器单元的多个集(例如，行)。举例来说，接口控制器115可实施n向关联映射，这允许来自非易失性存储器单元集的数据将被存储在易失性存储器120中的易失性存储器单元的n个集中的一个中。因此，接口控制器 115可通过参考与非易失性存储器单元的目标集相关联的易失性存储器单元的n个集来管理易失性存储器120作为非易失性存储器125的高速缓存器。如本文中所使用，除非以其它方式描述或提及，否则对象的“集”可以指对象中的一或多个。虽然参考集关联映射进行描述，但接口控制器115可以通过实施一或多种其它类型的映射(例如直接映射或关联映射，以及其它实例)来管理易失性存储器120作为高速缓存器。
31.在确定哪n个易失性存储器单元集与目标非易失性存储器单元集相关联之后，接口控制器115可以将数据存储在n个易失性存储器单元集中的一或多个中。因此，通过从较低时延易失性存储器120检索数据而不是从较高时延非易失性存储器125检索数据，可高效
地满足来自主机装置105的针对数据的后续检索命令。接口控制器115可基于与存储在易失性存储器120的n个集中的数据相关联的一或多个参数(如数据的有效性、新旧或修改状态)或响应于所述一或多个参数来确定易失性存储器120的n个集中的哪一个存储数据。因此，通过主机装置105的存储命令可以通过将数据存储在易失性存储器120 中而完全地(例如，在写回模式中)或部分地(例如，在直写模式中)得到满足。为了跟踪存储在易失性存储器120中的数据，接口控制器115可以为易失性存储器单元的一或多个集(例如，为易失性存储器单元的每个集)存储标签地址，所述标签地址向非易失性存储器单元指示存储在易失性存储器单元的给定集中的数据。
32.为了从存储器子系统110检索数据，主机装置105可通过将检索命令(也被称为检索请求、读取命令或读取请求)发射到接口控制器115来起始检索操作(也被称为检索过程)。检索命令可以非易失性存储器125中的一或多个非易失性存储器单元的集为目标。在接收到检索命令之后，接口控制器115可在易失性存储器120中检查所请求的数据。举例来说，接口控制器115可在与非易失性存储器单元的目标集相关联的易失性存储器单元的n个集中检查所请求数据。如果n个易失性存储器单元集中的一个存储所请求的数据 (例如，为目标非易失性存储器单元集存储数据)，那么接口控制器115可将数据从易失性存储器120传送到缓冲器135-a(例如，响应于确定n个易失性存储器单元集中的一个存储所请求的数据，如图4和5中所描述)使得其可以发射到主机装置105。
33.一般来说，术语“命中”可用于指代其中易失性存储器120存储被主机装置105定为目标的数据的情境。如果一或多个易失性存储器单元的n个集不存储所请求的数据(例如，易失性存储器单元的n个集存储用于除目标非易失性存储器单元集以外的非易失性存储器单元集的数据)，那么接口控制器115可将所请求的数据从非易失性存储器125 传送到缓冲器135-a(例如，响应于确定易失性存储器单元的n个集不存储所请求的数据，如参考图4和5所描述)以使得其可发射到主机装置105。一般来说，术语“未命中”可用于指代其中易失性存储器120不存储被主机装置105定为目标的数据的情境。
34.更具体地，写入命中可指其中易失性存储器120中的数据与被来自主机装置的写入命令定为目标的非易失性存储器地址相关联(例如，匹配存储于被来自主机装置的写入命令定为目标的非易失性存储器地址处的数据)的情境；而写入未命中可指其中易失性存储器120中不存在与非易失性存储器地址相关联的数据的情境。
35.在未命中情境中，在将所请求的数据传送到缓冲器135-a之后，接口控制器115可将所请求的数据从缓冲器135-a传送到易失性存储器120，使得对数据的后续读取请求可以通过易失性存储器120而不是非易失性存储器125得到满足。举例来说，接口控制器115可在与非易失性存储器单元的目标集相关联的易失性存储器单元的n个集中的一个中存储数据。但n个易失性存储器单元集可能已为其它非易失性存储器单元集存储数据。因此，为了保留此其它数据，接口控制器115可以将其它数据传送到缓冲器135-b 以便所述数据可以传送到非易失性存储器125以用于存储。这种过程可以被称作“逐出”，并且从易失性存储器120传送到缓冲器135-b的数据可以被称作“受害”数据。在一些情况下，接口控制器115可将受害数据的子集从缓冲器135-b传送到非易失性存储器 125。举例来说，接口控制器115可以传送自从数据最初存储在非易失性存储器125中以来已改变的一或多个受害数据子集。在易失性存储器120与非易失性存储器125之间不一致的数据(例如，由于在一个存储器中
的更新而不是在其它存储器中的更新)在一些情况下可以被称作“经修改”或“脏”数据。在一些实例中(例如，在接口控制器在如写回模式的一个模式中操作时)，脏数据可以是存在于易失性存储器120中但不存在于非易失性存储器125中的数据。
36.因此，如果易失性存储器120已满，那么接口控制器115可执行逐出程序以将来自易失性存储器120的数据保存到非易失性存储器125(例如，以为易失性存储器120中的新数据腾出空间)。在一些实例中，接口控制器115可执行在其中将来自非易失性存储器125的数据保存到易失性存储器120的“填充”程序。接口控制器115可在未命中的情况下执行填充程序(例如，以相关数据填入易失性存储器120)。举例来说，在当来自主机装置105的读取命令以易失性存储器120中不存在的数据为目标时发生的读取未命中的情况下，接口控制器115可检索读取命令所请求的数据并且除了将所述数据返回到主机装置之外，还将所述数据存储于易失性存储器120中(例如，使得可在未来快速检索所述数据)。
37.因此，存储器子系统110可取决于来自主机装置105的请求(例如，读取命令、写入命令)的命中或未命中状态，使用易失性存储器120或非易失性存储器125满足(或“实现”)所述请求。举例来说，在读取未命中的情况下，非易失性存储器125可满足来自主机装置105的读取命令，这意味着从主机装置105返回的数据可来源于非易失性存储器 125。并且在读取命中的情况下，易失性存储器120可满足来自主机装置105的读取命令，这意味着从主机装置105返回的数据可来源于易失性存储器120。在一些实例中，命中与未命中的比率(“命中-未命中比率”)可相对高(例如，命中百分比可为大约85％，而未命中百分比可为大约15％)。
38.易失性存储器120和非易失性存储器125可支持不同的电力模式，所述不同的电力模式提供不同级的功能性、消耗不同的电量，或具有不同的退出时延，以及其它差异。举例来说，易失性存储器120可支持活动模式，在所述活动模式期间，易失性存储器120 响应于来自主机装置105的功能命令而执行命令。活动模式相对于易失性存储器120的其它电力模式可消耗最多电力。易失性存储器120还可以支持一或多个待机(或“空闲”) 模式，在所述一或多个待机(或“空闲”)模式期间，易失性存储器120部分地断电并且等待来自主机装置105的命令。待机模式相对于易失性存储器120的其它电力模式可消耗中等电量。另外，易失性存储器120可支持低电力模式(或“深度睡眠”模式)，在所述低电力模式(或“深度睡眠”模式)期间，易失性存储器120大部分或完全断电。低电力模式相对于易失性存储器120的其它电力模式可消耗最少电力。非易失性存储器125 可支持视需要经调适用于非易失性存储器125的类似电力模式。涵盖用于易失性存储器 120和非易失性存储器125的其它电力模式。
39.在一些实例中，使用其它不同技术，主机装置105可基于主机装置105的业务或存取预期来以整体方式控制易失性存储器120和非易失性存储器125的电力模式。举例来说，如果主机装置105不期望在阈值持续时间内存取存储器子系统110，那么主机装置 105可发指令给存储器子系统110在低电力模式中操作易失性存储器120和非易失性存储器125两者以节约电力。但是，在其中在主机装置105辨识业务或存取中断之前，非易失性存储器125准备好进入低电力模式的情境下，使用依赖于主机装置105将非易失性存储器125转变到低电力模式的其它不同技术可浪费电力。换句话说，使用其它不同技术以整体方式并且唯一地基于主机装置105的业务或存取预期来控制存储器的电力模式可引起非易失性存储器125过晚转变到低电力模式，这会产生多余的电力消耗。
40.作为另一实例，在主机装置105期望立即存取存储器的情况下使用其它不同技术，主机装置105可发指令给存储器子系统110在待机模式中操作易失性存储器120和非易失性存储器125，使得存储器能够在从主机装置105接收到功能命令(例如，激活命令、预充电命令、读取命令、写入命令)之后即刻快速提供存取。但是，在其中非易失性存储器125在一时间段内不被存取(例如，因为待机模式与存储器支持的例如低电力模式的其它模式相比可消耗更多电力)的情境下，依赖于主机装置105使用其它不同技术将非易失性存储器125转变到待机模式可浪费电力。换句话说，使用其它不同技术以整体方式并且唯一地基于主机装置105的业务或存取预期来控制存储器的电力模式可引起非易失性存储器125过早从较低电力模式转变到待机模式，这会产生多余的电力消耗。在其中命中-未命中比率为高的系统中，可能尤其加剧所描述的电力消耗问题。
41.相比之下，根据描述的技术，存储器子系统110可通过以彼此独立的方式控制存储器的电力模式来减少电力消耗。为确保易失性存储器120能够以主机装置105预期的方式提供存取，存储器子系统110可基于(例如，响应于)来自主机装置105的电力模式命令来控制第一存储器(例如，易失性存储器120)的电力模式。电力模式命令可指指示将使用的电力模式的命令。为防止例如非易失性存储器125的第二存储器过晚或过早进入一电力模式，存储器子系统110可基于或响应于用于例如非易失性存储器125的第二存储器的排队命令的存在或不存在(且与例如易失性存储器120的第一存储器的电力模式无关)以及其它因素来控制例如非易失性存储器125的第二存储器的电力模式。举例来说，例如非易失性存储器125的第二存储器可在没有命令排队用于例如非易失性存储器 125的第二存储器的情况下转变到低电力模式，并且可在一或多个命令排队用于例如非易失性存储器125的第二存储器的情况下转变到待机模式(或其它较高电力模式)。虽然被描述为不同类型的存储器，但在一些实例中，第一存储器与第二存储器可为相同类型的存储器(例如，两者均为易失性存储器或均为非易失性存储器)。
42.系统100可包含支持如本文中所描述的电力模式控制的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机装置105、接口控制器115、易失性存储器120或非易失性存储器125可包含或可以其它方式存取一或多个非暂时性计算机可读媒体，所述非暂时性计算机可读媒体存储用于执行本文中属于主机装置105、接口控制器115、易失性存储器120或非易失性存储器125的功能的指令(例如，固件)。举例来说，此类指令在由主机装置105(例如，主机装置控制器)、接口控制器115、易失性存储器120(例如，本地控制器)或非易失性存储器125(例如，本地控制器)执行时可使主机装置105、接口控制器115、易失性存储器120或非易失性存储器125执行本文中所描述的相关联功能。
43.图2说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的存储器子系统200的实例。存储器子系统200可为参考图1所描述的存储器子系统110的实例。因此，存储器子系统200可以与如参考图1所描述的主机装置交互。存储器子系统200 可包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206，其可分别是如参考图1所描述的接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125的实例。因此，接口控制器202可以代表如参考图1所描述的主机装置与易失性存储器204和非易失性存储器206介接。举例来说，接口控制器202可将易失性存储器204用作用于非易失性存储器206的高速缓存器。将易失性存储器204用作高速缓存器可允许子系统提供非易失性存储器206的益处(例如，非易失性、
高密度存储)，同时维持与支持不同于非易失性存储器206的协议的主机装置的兼容性。
44.在图2中，组件之间的虚线表示数据流或数据的传达路径，并且组件之间的实线表示命令流或命令的传达路径。在一些情况下，存储器子系统200是可以包含在电子装置中的多个相似或相同子系统中的一个。在一些实例中，每个子系统可以被称作切片且可以与主机装置的相应信道相关联。
45.非易失性存储器206可以被配置成用作用于主机装置的主存储器(例如，用于长期数据存储的存储器)。在一些情况下，非易失性存储器206可以包含feram单元的一或多个阵列。每一feram单元可包含选择组件和铁电电容器，并且可通过将适当电压施加到例如字线、板线和数字线的一或多个存取线来存取。在一些实例中，可以例如并行地或同时地感测到与被激活字线耦合的feram单元的子集，而无须必须感测与被激活字线耦合的所有feram单元。因此，feram阵列的页大小可以不同于(例如，小于)dram 页大小。在存储器装置的上下文中，页可以指一行中的存储器单元(例如，具有共同行地址的存储器单元组)，并且页大小可以指一行中的存储器单元或列地址的数量，或在存取操作期间存取的列地址的数量。替代地，页大小可指由各种接口处置的数据的大小，或行能够存储的数据量。在一些情况下，不同的存储器装置类型可以具有不同的页大小。举例来说，dram页大小(例如，2kb)可以是非易失性存储器(例如，feram)页大小(例如，64b)的超集。
46.feram阵列的较小页大小可提供各种效率益处，这是因为与单独dram单元相比，单独feram单元可能需要更多电力来读取或写入。举例来说，用于feram阵列的较小页大小可促进有效的能量使用，这是因为较小数量的feram单元可以是在信息中的相关联的改变微小时被激活的。在一些实例中，取决于利用feram操作的数据和命令的本质，feram单元阵列的页大小可以例如动态地改变(例如，在feram单元阵列的操作期间)。
47.虽然个体feram单与个体dram单元相比元可能需要更多电力来读取或写入，但是在不存在外部电源的情况下feram单元可维持其所存储的逻辑状态持续延长的时间周期，这是因为feram单元中的铁电材料可在不存在电场的情况下维持非零电极化。因此，在非易失性存储器206中包含feram阵列因为可减少或消除对执行刷新操作的需求，所以可相对于易失性存储器单元(例如，在易失性存储器204中的dram单元) 提供电力和效率益处。
48.易失性存储器204可被配置成用作非易失性存储器206的高速缓存器。在一些情况下，易失性存储器204可包含dram单元的一或多个阵列。每个dram单元可以包含电容器，所述电容器包含介电材料以存储表示可编程状态的电荷。易失性存储器204的存储器单元可以在逻辑上分组或布置成一或多个存储器组(如本文中称为“组”)。举例来说，易失性存储器204可包含十六个组。组的存储器单元可以布置在栅格或相交列和行的阵列中，并且每个存储器单元可以通过将适当的电压施加到用于所述存储器单元的数字线(例如，列线)和字线(例如，行线)来存取或刷新。组的行可被称为页，且页大小可指列数量或成一行的存储器单元数量(且因此，行能够存储的数据量)。如所提及，易失性存储器204的页大小可以不同于(例如，大于)非易失性存储器206的页大小。
49.接口控制器202可包含用于与如主机装置、易失性存储器204和非易失性存储器206 的其它装置介接(例如，通信)的各种电路。举例来说，接口控制器202可包含数据(da) 总线接口208、命令和地址(c/a)总线接口210、数据总线接口212、c/a总线接口214、数据总线接口216，以及c/a总线接口264。数据总线接口可支持使用一或多个通信协议来传送信
息。举例来说，数据总线接口208、c/a总线接口210、数据总线接口216 和c/a总线接口264可以支持使用第一协议(例如，lpddr信令)传送的信息，而数据总线接口212和c/a总线接口214可以支持使用第二协议传送的信息。因此，与接口控制器202耦合的各种总线接口可支持不同的数据量或数据速率。
50.数据总线接口208可以与数据总线260、事务总线222和缓冲电路系统224耦合。数据总线接口208可被配置成在数据总线260上发射和接收数据并且在事务总线222上发射和接收控制信息(例如，应答/否定应答)或元数据。数据总线接口208还可以被配置成在数据总线260与缓冲器电路系统224之间传送数据。数据总线260和事务总线222 可与接口控制器202和主机装置耦合，使得在接口控制器202与主机装置之间建立导电路径。在一些实例中，事务总线222的引脚可以被称作数据掩蔽反转(dmi)引脚。虽然示出为具有一条数据总线260和一条事务总线222，但可能存在与一或多个数据总线接口208耦合的任何数量的数据总线260和任何数量的事务总线222。
51.c/a总线接口210可与c/a总线226和解码器228耦合。c/a总线接口210可配置成通过c/a总线226发射和接收命令和地址。通过c/a总线226接收的命令和地址可与通过数据总线260接收到的或发射的数据相关联。c/a总线接口210还可被配置成将命令和地址发射到解码器228，使得解码器228可对命令进行解码且将已解码命令和相关联地址转送到命令电路系统230。
52.数据总线接口212可与数据总线232和存储器接口电路系统234耦合。数据总线接口212可被配置成在数据总线232上发射和接收数据，所述数据总线可以与非易失性存储器206耦合。数据总线接口212还可配置成在数据总线232与存储器接口电路系统234 之间传递数据。c/a总线接口214可与c/a总线236和存储器接口电路系统234耦合。 c/a总线接口214可被配置成从存储器接口电路系统234接收命令和地址并且在c/a总线236上将命令和地址转送到非易失性存储器206(例如，转送到非易失性存储器206 的本地控制器)。通过c/a总线236发射的命令和地址可与通过数据总线232接收到的或发射的数据相关联。数据总线232和c/a总线236可与接口控制器202和非易失性存储器206耦合，以使得在接口控制器202与非易失性存储器206之间建立导电路径。
53.数据总线接口216可与数据总线238(例如，数据总线238-a、数据总线238-b)和存储器接口电路系统240耦合。数据总线接口216可以被配置成通过数据总线238发射和接收数据，所述数据总线可以与易失性存储器204耦合。数据总线接口216还可被配置成在数据总线238与存储器接口电路系统240之间传送数据。c/a总线接口264可以与 c/a总线242和存储器接口电路系统240耦合。c/a总线接口264可被配置成从存储器接口电路系统240接收命令和地址并且在c/a总线242上将命令和地址转送到非易失性存储器204(例如，转送到非易失性存储器204的本地控制器)。经由c/a总线242发射的命令和地址可与经由数据总线238接收到的或发射的数据相关联。数据总线238和 c/a总线242可与接口控制器202和易失性存储器204耦合，以使得在接口控制器202 与易失性存储器204之间建立导电路径。
54.除了用于与所耦合装置通信的总线和总线接口之外，接口控制器202还可以包含电路系统以用于将非易失性存储器206用作主存储器并且将易失性存储器204用作高速缓存器。举例来说，接口控制器202可以包含命令电路系统230、缓冲器电路系统224、高速缓存管理电路系统244、一或多个引擎246以及一或多个调度器248。
55.命令电路系统230可以与缓冲器电路系统224、解码器228、高速缓存管理电路系统244和调度器248以及其它组件耦合。命令电路系统230可被配置成从解码器228接收命令和地址信息且将命令和地址信息存储在队列250中。命令电路系统230可包含逻辑262，所述逻辑处理命令信息(例如，来自主机装置)且存储来自其它组件(例如，高速缓存管理电路系统244、缓冲电路系统224)的信息并且使用所述信息以生成用于调度器 248的一或多个命令。命令电路系统230还可配置成将地址信息(例如，地址位)传递到高速缓存管理电路系统244。在一些实例中，逻辑262可以是配置成用作有限状态机 (fsm)的电路。
56.缓冲电路系统224可以与数据总线接口208、命令电路系统230、存储器接口电路系统234和存储器接口电路系统234耦合。缓冲电路系统224可包含用于易失性存储器 204的至少一些组(如果不是每个组)的一或多个缓冲电路的集。缓冲器电路系统224还可包含用于存取缓冲器电路的组件(例如，存储器控制器)。在一个实例中，易失性存储器204可以包含十六个组并且缓冲器电路系统224可以包含缓冲器电路的十六个集。每个缓冲电路集可被配置成从易失性存储器204的相应组存储数据或为所述相应组存储数据(或这两者)。作为实例，用于组0(bk0)的缓冲电路集可配置成存储来自易失性存储器 204的第一组的数据或存储用于易失性存储器204的第一组的数据(或这两者)，且用于组15(bk15)的缓冲电路可配置成存储来自易失性存储器204的第十六组的数据或存储用于易失性存储器204的第十六组的数据(或这两者)。
57.缓冲器电路系统224中的缓冲器电路的每个集可以包含一对缓冲器。所述对缓冲器可以包含：一个缓冲器(例如，打开页数据(opd)缓冲器)，其被配置成存储被来自主机装置的存取命令(例如，写入命令或读取命令)定为目标的数据；以及另一缓冲器(例如，受害页数据(vpd)缓冲器)，其被配置成存储数据以用于存取命令所引起的逐出过程。举例来说，用于bk0的缓冲器电路集可以包含缓冲器218和缓冲器220，其可以分别是缓冲器135-a和135-b的实例。缓冲器218可以被配置成存储由来自主机装置的存取命令定为目标的bk0数据。并且缓冲器220可以被配置成存储从bk0传送的数据，作为存取命令所触发的收回过程的一部分。缓冲电路集中的每个缓冲器可配置有对应于易失性存储器204的页大小的大小(例如，存储容量)。举例来说，如果易失性存储器204的页大小是2kb，那么每一缓冲器的大小可以是2kb。因此，在一些实例中，缓冲器的大小可以等同于易失性存储器204的页大小。
58.高速缓存管理电路系统244可与命令电路系统230、引擎246和调度器248以及其它组件耦合。高速缓存管理电路系统244可以包含用于易失性存储器的一或多个组(例如，每一组)的高速缓存管理电路集。作为实例，高速缓存管理电路系统244可以包含用于bk0到bk15的十六个高速缓存管理电路集。每个高速缓存管理电路集可以包含两个存储器阵列，所述存储器阵列可以被配置成存储用于易失性存储器204的存储信息。作为实例，用于bk0的高速缓存管理电路集可包含存储器阵列252(例如，高速缓存器 dram(cdram)标签阵列(cdt-ta))和存储器阵列254(例如，cdram有效(cdt-v)阵列)，其可被配置成存储用于bk0的存储信息。在一些实例中，存储器阵列也可被称为阵列或缓冲器。在一些情况下，存储器阵列可以是或包含易失性存储器单元，例如静态 ram(sram)单元。
59.存储信息(或“元数据”)可包含与易失性存储器204相关联的内容信息、有效性信息和/或脏信息(或其任何组合)，以及其它实例。内容信息(其也可称为标签信息或地址信息)可指示哪个数据存储在易失性存储器单元集中。举例来说，易失性存储器204的行的内
容信息(例如，标签地址)可指示当前一或多个非易失性存储器单元的哪一集具有存储在所述行中的数据。如所提到，有效性信息可指示存储在易失性存储器单元集中的数据是实际数据(例如，具有预期次序或形式的数据)还是占位符数据(例如，随机或虚拟的数据，不具有预期或重要次序)。并且脏信息可以指示存储在易失性存储器204的一或多个易失性存储器单元的集中的数据是否不同于存储在非易失性存储器206的一或多个非易失性存储器单元的集中的对应的数据。举例来说，脏信息可指示存储在易失性存储器单元集中的数据是否已相对于存储在非易失性存储器206中的数据而更新。
60.存储器阵列252可包含存储器单元，其存储易失性存储器204的相关联组(例如， bk0)的存储信息(例如，标记信息、有效性信息、脏信息)。可在每行基础上存储存储信息(例如，相关联的非易失性存储器组的每一行可存在相应存储信息)。接口控制器202 可以通过参考存储器阵列252中的存储信息来检查易失性存储器204中的所请求数据。举例来说，接口控制器202可从主机装置接收针对非易失性存储器206中的非易失性存储器单元集中的数据的检索命令。接口控制器202可使用由存取请求所针对的一或多个地址位的集(例如，行地址位的集)以参考存储器阵列252中的存储信息。举例来说，使用集相关联映射，接口控制器202可参考存储器阵列252中的内容信息以确定易失性存储器单元的哪个集(如果存在的话)存储所请求的数据。
61.除存储用于易失性存储器单元的内容信息之外，存储器阵列252也可以存储有效性信息，所述有效性信息指示易失性存储器单元集中的数据是实际数据(也被称作有效数据)还是随机数据(也被称作无效数据)。举例来说，易失性存储器204中的易失性存储器单元可最初存储随机数据且继续这样做，直到易失性存储器单元被写入来自主机装置或非易失性存储器206的数据为止。为了追踪哪些数据是有效的，存储器阵列252可被配置成针对每个易失性存储器单元集(例如，行)，当实际数据存储在那个易失性存储器单元集中时设置那个易失性存储器单元集的位。这一位可称为有效性位或有效性旗标。如同内容信息，存储在存储器阵列252中的有效性信息可在每行基础上存储。因此，在一些实例中，每一有效性位可指示存储在相关联行中的数据的有效性。
62.在一些实例中，存储器阵列252可存储指示易失性存储器单元集(例如，行)是否存储任何脏数据的脏信息。类似于有效性信息，存储在存储器阵列252中的脏信息可在每行基础上存储。
63.存储器阵列254可类似于存储器阵列252且还可包含存储器单元，所述存储器单元存储用于与存储器阵列252相关联的易失性存储器204的组(例如，bk0)的存储信息。举例来说，存储器阵列254可存储易失性存储器204的组的有效性信息和脏信息。然而，存储在存储器阵列254中的存储信息可在子块基础而不是每行基础上存储。举例来说，存储在存储器阵列254的存储器单元中的有效性信息可指示用于易失性存储器204的行中的易失性存储器单元的子集的数据的有效性。
64.作为实例，存储器阵列254中的有效性信息可指示存储在易失性存储器204的bk0 的行中的每个数据子集(例如，32b或64b)的有效性。类似地，存储在存储器阵列254 的存储器单元中的脏信息可指示易失性存储器204的行中的易失性存储器单元的哪一子集存储脏数据。举例来说，存储器阵列254中的脏信息可指示存储在易失性存储器204 的bk0的行的数据的每一子集(例如，32b或64b)的脏状态。在存储器阵列252中在每行基础上存储存储信
息(例如，标签信息、有效性信息)可允许接口控制器202确定易失性存储器204中的数据是存在命中还是未命中。在子块基础上将存储信息(例如，有效性信息、脏信息)存储在存储器阵列254中可允许接口控制器202确定数据的哪些子集返回到主机装置(例如，在检索过程期间)且数据的哪些子集保留在非易失性存储器206中(例如，在逐出过程期间)。
65.每个高速缓存管理电路集还可以包含相应一对寄存器，所述相应一对寄存器与命令电路系统230、引擎246、存储器接口电路系统234、存储器接口电路系统240和用于所述高速缓存管理电路集的存储器阵列以及其它组件耦合。举例来说，高速缓存管理电路集可包含第一寄存器(例如，寄存器256，其可以是打开页标签(opt)寄存器)，所述第一寄存器被配置成从存储器阵列252或调度器248-b或这两者接收存储信息(例如，标签信息、有效性信息或脏信息、其它信息或任何组合的一或多个位)。高速缓存管理电路系统集还可包含第二寄存器(例如，可以是受害页标签(vpt)寄存器的寄存器258)，所述第二寄存器配置成从存储器阵列254和调度器248-a或这两者接收存储信息(例如，有效性信息和/或脏信息或这两者)。寄存器256和寄存器258中的信息可以传送到命令电路系统 230和引擎246以实现由这些组件作出决策。举例来说，命令电路系统230可基于或响应于寄存器256和/或寄存器258或这两者中的存储信息来发出读取非易失性存储器206 或易失性存储器204的命令。
66.引擎246-a可与寄存器256、寄存器258和调度器248耦合。引擎246-a可被配置成从各种组件接收存储信息且基于存储信息来将命令发出到调度器248。举例来说，如果接口控制器202在例如直写模式的第一模式中，那么引擎246-a可将命令发出到调度器 248-b，并且作为响应调度器248-b发起或促进从缓冲器218到易失性存储器204和非易失性存储器206这两者的数据传送。替代地，如果接口控制器202在例如写回模式的第二模式中，那么引擎246-a可将命令发出到调度器248-b，并且作为响应，调度器248-b 发起或促进从缓冲器218到易失性存储器204的数据传送。在写回操作的情况下，在后续(例如，随后)逐出过程期间，存储在易失性存储器204中的数据可最终被传送到非易失性存储器206。
67.引擎246-b可与寄存器258和调度器248-a耦合。引擎246-b可以被配置成从寄存器258接收存储信息并且基于存储信息将命令发到调度器248-a。举例来说，引擎246-b 可以将命令发到调度器248-a以发起或促进从缓冲器220到非易失性存储器206的脏数据传送(例如，作为收回过程的一部分)。如果缓冲器220保留从易失性存储器204传送的数据集(例如，受害数据)，则引擎246-b可指示缓冲器220中的数据集的哪一或多个子集(例如，哪些64b)应传送到非易失性存储器206。
68.调度器248-a可与接口控制器202的各种组件耦合且可通过将命令发出到存储器接口电路系统234来促进存取非易失性存储器206。调度器248-a发出的命令可基于来自命令电路系统230、引擎246-a、引擎246-b或这些组件的组合的命令。类似地，调度器 248-b可与接口控制器202的各种组件耦合，且可通过将命令发布到存储器接口电路系统240而促进存取易失性存储器204。由调度器248-b发出的命令可基于或响应于来自命令电路系统230或引擎246-a或这两者的命令。
69.存储器接口电路系统234可以经由数据总线接口212和c/a总线接口214中的一或多个与非易失性存储器206通信。举例来说，存储器接口电路系统234可提示c/a总线接口214在c/a总线236上将由存储器接口电路系统234发布的命令转送到非易失性存储器206中的本地控制器。并且存储器接口电路系统234可经由数据总线232将数据发射到非易失性存
储器206或从所述非易失性存储器接收数据。在一些实例中，由存储器接口电路系统234发布的命令可以由非易失性存储器206而非易失性存储器204支持(例如，由存储器接口电路系统234发布的命令可以不同于由存储器接口电路系统240发布的命令)。
70.存储器接口电路240可经由数据总线接口216和c/a总线接口264中的一或多个与易失性存储器204通信。举例来说，存储器接口电路系统240可提示c/a总线接口264 在c/a总线242上将由存储器接口电路系统240发布的命令转送到易失性存储器204的本地控制器。而且存储器接口电路系统240可在一或多个数据总线238上将数据发射到易失性存储器204或从所述易失性存储器接收数据。在一些实例中，由存储器接口电路系统240发布的命令可以由易失性存储器204而非非易失性存储器206支持(例如，由存储器接口电路系统240发布的命令可以不同于由存储器接口电路系统234发布的命令)。
71.总之，接口控制器202的组件可以将非易失性存储器206用作主存储器且将易失性存储器204用作高速缓存器。此操作可以由从主机装置接收到的一或多个存取命令(例如，读取/检索命令/请求和写入/存储命令/请求)提示。
72.在一些实例中，接口控制器202可以从主机装置接收存储命令。存储命令可通过 c/a总线226接收到并且经由c/a总线接口210和解码器228中的一或多个传送到命令电路系统230。存储命令可包含或伴随有地址位，所述地址位以非易失性存储器206的存储器地址为目标。待存储的数据可通过数据总线260接收到且经由数据总线接口208 传送到缓冲器218。在直写模式中，接口控制器202可以将数据传送到非易失性存储器 206和易失性存储器204这两者。在写回模式中，在一些实例中，接口控制器202可将数据仅传送到易失性存储器204。
73.在任一模式中，接口控制器202可首先进行检查以发现易失性存储器204在存储器单元中是否还具有可用于存储数据的空间。为实现这一点，命令电路系统230可引用存储器阵列252(例如，使用存储器地址位集)确定与存储器地址相关联的易失性存储器单元的n个集(例如，行)中的一或多个是否为空(例如，存储随机或无效数据)或与存储器地址相关联的易失性存储器单元的n个集(例如，行)中的一或多个是否已满(例如，存储有效数据)。举例来说，命令电路系统230可基于存储于存储器阵列252中的标签信息和有效性信息来确定易失性存储器单元的n个集(例如，行)中的一或多个是否可用(或不可用) 在一些情况下，易失性存储器204中的易失性存储器单元集可称为线、高速缓存线或行。
74.如果n个相关联易失性存储器单元集中的一个可供用于存储信息，则接口控制器202 可以将数据从缓冲器218传送到易失性存储器204以用于存储在所述易失性存储器单元集中。但如果相关联易失性存储器单元集不是空的，那么接口控制器202可起始逐出过程以在易失性存储器204中为数据腾出空间。逐出过程可涉及将受害数据从易失性存储器单元的n个相关联集中的一个传送到缓冲器220。用于受害数据的脏信息可从存储器阵列254传递到寄存器258以用于受害数据的脏子集的识别。在将受害数据存储在缓冲器220中之后，可将新数据从缓冲器218传递到易失性存储器204，且可将受害数据从缓冲器220传递到非易失性存储器206。在一些情况下，可将旧数据的脏子集传送到非易失性存储器206且可丢弃干净子集(例如，未修改子集)。引擎246-b可基于或响应于在逐出过程期间从存储器阵列254传送到寄存器258的脏信息来识别脏子集。
75.在另一实例中，接口控制器202可从主机装置接收例如检索命令的命令。检索命令
可通过c/a总线226接收到并且经由c/a总线接口210和解码器228中的一或多个传送到命令电路系统230。检索命令可以包含地址位，所述地址位以非易失性存储器206的存储器地址为目标。在尝试存取非易失性存储器206的目标存储器地址之前，接口控制器202可进行检查以发现易失性存储器204是否存储数据。为实现这一点，命令电路系统230可引用存储器阵列252(例如，使用存储器地址位集)确定与存储器地址相关联的易失性存储器单元的n个集(例如，行)中的一或多个是否存储所请求的数据(例如，与存储器地址相关联的易失性存储器单元的n个集中的一或多个是否存储所请求的数据或替代地不存储所请求的数据)。如果所请求数据存储在易失性存储器204中，则接口控制器 202可以将所请求数据传送到缓冲器218以用于通过数据总线260发射到主机装置。
76.如果所请求的数据不存储于易失性存储器204中(例如，所请求的数据可存储于非易失性存储器206或另一位置中)，那么接口控制器202可从非易失性存储器206检索数据并且将数据传送到缓冲器218以通过数据总线260发射到主机装置。另外，接口控制器 202可以将所请求数据从缓冲器218传送到易失性存储器204，以便在后续检索操作期间可以较低时延存取数据。然而，在传送所请求的数据之前，接口控制器202可首先确定易失性存储器单元的n个相关联集中的一或多个是否可用于存储所请求的数据(例如，易失性存储器单元的n个相关联集中的一或多个是空的还是满的)。接口控制器202可以通过与相关的高速缓存管理电路集通信来确定n个相关联易失性存储器单元集的可用性。如果相关联易失性存储器单元集可用，则接口控制器202可以将缓冲器218中的数据传送到易失性存储器204而不执行收回过程。否则，接口控制器202可以在进行收回过程之后将数据从缓冲器218传送到易失性存储器204。
77.存储器子系统200可以实施于一或多个配置中，包含单芯片版本和多芯片版本。多芯片版本可在与包含存储器子系统200的一或多个其它组成部分的芯片分开的芯片上包含存储器子系统200的一或多个组成部分，包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206(以及其它组成部分或组成部分的组合)。举例来说，在一个多芯片版本中，相应分开的芯片可包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器 206中的每一个。相比之下，单芯片版本可在单个芯片上包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206。
78.为了确保电力模式之间的电力高效的转变，接口控制器202可以与非易失性存储器 206的电力模式分开的方式控制易失性存储器204的电力模式。因为预期易失性存储器 204与非易失性存储器206相比将满足更多命令(给定存储器子系统200的高命中-未命中比率)，所以接口控制器202可根据主机装置的预期(例如，基于或响应于主机装置的电力模式命令)控制易失性存储器204的电力模式。然而，因为主机装置不了解非易失性存储器206，所以接口控制器202可基于或根据接口控制器202的存取需求以及其它实例(例如，基于或响应于用于非易失性存储器206的排队命令数量，以及其它因素)控制非易失性存储器206的电力模式。
79.图3说明根据本文所公开的实例的支持多存储器电力模式控制的系统300的实例。系统300可包含主机装置305和存储器子系统310并且可为参考图1所描述的系统100 的实例。存储器子系统310可包含可经由一或多个发射线、总线或这两者与彼此耦合的接口控制器315、易失性存储器320和非易失性存储器325。接口控制器315可包含电力模式控制器330
和一或多个命令缓冲器335。如本文所描述，接口控制器315可以彼此独立的方式控制易失性存储器320和非易失性存储器325的电力模式。举例来说，接口控制器315可基于(例如，响应于)来自主机装置305的电力模式命令以及其它因素控制易失性存储器320的电力模式并且基于或响应于缓冲器335中的排队用于非易失性存储器325的命令数量以及其它因素控制非易失性存储器325的电力模式。
80.接口控制器315可从主机装置305接收一或多个命令，包含功能(或“存取”)命令和电力模式命令，以及其它命令。功能命令可指致使存取存储器的命令，例如激活命令、预充电命令、读取命令、写入命令等等。电力模式命令可指指示电力模式的命令。接口控制器315还可以将一或多个命令发射到易失性存储器320和非易失性存储器325，所述一或多个命令包含功能命令和电力模式命令，以及其它命令。接口控制器315可包含电力模式控制器330、待决命令(pc)缓冲器335-a、待决命令缓冲器335-b和发出命令缓冲器335-c，以及其它组件。
81.电力模式控制器340可以被配置成用于管理易失性存储器320的电力模式。电力模式控制器340可基于(例如，响应于)来自主机装置305的电力模式命令改变易失性存储器320的电力模式。举例来说，在从主机装置305接收到电力模式命令之后，电力模式控制器340可即刻使易失性存储器320从一个电力模式转变到由电力模式命令(例如，通过电力模式控制器340将例如新电力模式命令的命令或指示发送到易失性存储器320) 指示的电力模式。
82.电力模式控制器330可以被配置成用于管理非易失性存储器325的电力模式。电力模式控制器330可与待决命令缓冲器335-a、待决命令缓冲器335-b和发出命令缓冲器 335-c以及其它组件耦合并且交换信令。举例来说，电力模式控制器330可接收来自缓冲器335中的一或多个的命令以及在缓冲器335中排队(或“缓冲”或“存储”以及其它合适的术语)的命令的数量的指示。电力模式控制器330可使用排队命令数量作为用于控制非易失性存储器325的电力模式以及其它因素的基础。
83.待决命令缓冲器335-a可存储用于非易失性存储器325的命令(例如，功能命令)。在一些实例中，待决命令缓冲器335-a包含在存储器接口电路系统234的调度组件中或与其耦合。
84.待决命令缓冲器335-b可为存储来自待决命令缓冲器335-a的命令的较小缓冲器(相对于待决命令缓冲器335-a)。待决命令缓冲器335-b可以被配置成用于确保满足用于非易失性存储器325的各个参数(例如定时参数)。因此，待决命令缓冲器335-a中准备好用于非易失性存储器325的命令可从待决命令缓冲器335-a传送到待决命令缓冲器335-b 以使得待决命令缓冲器335-a可以适当方式将所述命令转送到非易失性存储器325(或中间组件)。
85.在一些实例中，待决命令缓冲器335-a和待决命令缓冲器335-b可组合成单一缓冲器。在一些实例中，待决命令缓冲器335-a可被称为调度缓冲器，且待决命令缓冲器335-b 可被称为输入队列。待决命令缓冲器335-a和待决命令缓冲器335-b可被配置成(例如，向电力模式控制器330)指示存储于缓冲器中的用于非易失性存储器325的命令的数量。
86.发出命令缓冲器335-c可存储已经发到非易失性存储器325而尚未被满足的命令(例如，所述命令可为非易失性存储器325正处于满足或执行的过程中的命令)。电力模式控
制器330可参考发出命令缓冲器335-c确定非易失性存储器325是在忙碌(例如，正在执行一或多个操作)还是空闲(例如，不在执行一或多个操作)，这可允许电力模式控制器330 避免在不适当时间(例如，非易失性存储器325正处于任务的中间)改变非易失性存储器 325的电力模式。在一些实例中，发出命令缓冲器335-c可被称为读取-响应缓冲器。
87.响应于接收到来自主机装置305的电力模式命令，接口控制器315可(例如，经由电力模式控制器340)改变易失性存储器320的电力模式(例如，改变为由电力模式命令指示的电力模式)。举例来说，电力模式控制器340可将例如新电力模式命令的命令发出或将指示发送到易失性存储器320，进而实现电力模式的改变。因此，易失性存储器320 可处于主机装置305针对后续命令(例如，功能命令)预期的电力模式中。
88.在一些实例中，电力模式控制器330可将非易失性存储器325的电力模式维持现状而不管来自主机装置305的电力模式命令(并且不管易失性存储器320的电力模式改变)。举例来说，电力模式控制器330可将非易失性存储器325保持于待机(或活动)模式中而不管指示低电力模式的电力模式命令。在其它实例中，电力模式控制器330可在一延迟之后遵从电力命令。举例来说，响应于指示较高电力模式的电力命令，电力模式控制器 330可延迟将非易失性存储器325从低电力模式转变到较高电力模式直到有阈值数量的命令正排队用于非易失性存储器325为止。
89.因此，电力模式控制器330可使用用于非易失性存储器325的排队命令数量作为改变非易失性存储器的电力模式的基础。电力模式控制器330可基于或响应于待决命令缓冲器335-a中的命令数量、待决命令缓冲器335-b中的命令数量、发出命令缓冲器335-c 中的命令数量或其组合来确定用于非易失性存储器325的排队命令数量。
90.如果排队命令数量小于阈值数量(例如，如果排队命令数量是零)，那么电力模式控制器330可将非易失性存储器325从较高电力模式(例如，待机模式、活动模式)转变到较低电力模式。这类技术可通过允许非易失性存储器325在存取非易失性存储器325中断的情况下转变到较低电力模式来减少非易失性存储器325的电力消耗。如果排队命令数量满足阈值数量(例如，如果排队命令数量是一或一以上)，那么电力模式控制器330 可将非易失性存储器从较低电力模式转变到较高电力模式(例如，待机模式、活动模式)。这类技术可通过在一些实例中，允许非易失性存储器325延迟转变到较高电力模式，直到非易失性存储器325需要被存取为止(例如，在未命中的情况下)，以此减少非易失性存储器325的电力消耗。换句话说，非易失性存储器325可依据与一或多个未命中相关联的一或多个功能命令正添加到待决命令缓冲器335-a而转变到较高电力模式。
91.在一些实例中，电力模式控制器330可延迟电力模式转变直到一持续时间(例如，相对于转变触发)已到期。举例来说，在检测到某一数量的命令(例如零个命令)排队用于非易失性存储器325之后，电力模式控制器330可在将非易失性存储器325从第一电力模式转变到第二电力模式(例如从较高电力模式转变到较低电力模式)之前等待一可配置延迟。这类技术可防止电力模式控制器330在另一触发事件的情况下立即重新转变非易失性存储器325的电力模式，所述立即重新转变行为可浪费电力、增加时延或这两者，以及其它缺点。在一些实例中，持续时间可由包含在接口控制器315中(例如，与电力模式控制器330耦合)的寄存器指示。在一些实例中，寄存器可指示(关于电力模式退出和电力模式进入定义的)不同电力模式转变组合的持续时间。举例来说，寄存器可指示从待机模式转变到低电力模式
的第一持续时间并且可指示从活动模式转变到低电力模式的第二持续时间(依次类推到其它转变组合)。由寄存器指示的延迟可由用户设置、由主机装置305设置、由接口控制器315(例如，基于非易失性存储器325的存取模式、存储器子系统310的电力电平)设置，或其组合。
92.图4说明根据本文所公开的实例的支持多存储器电力模式控制的过程流400的实例。过程流400可由参考图1所描述的存储器子系统110或接口控制器115、参考图2 所描述的存储器子系统200或接口控制器202或参考图3所描述的存储器子系统310或接口控制器315实施。然而，其它类型的装置或组件可实施过程流400。过程流400可说明以独立于非易失性存储器的电力模式改变易失性存储器的电力模式，且反之亦然的装置的操作。
93.为了易于参考，参考装置描述过程流400。举例来说，可由包含易失性存储器和非易失性存储器的装置实施过程流400的方面。另外或替代地，过程流程400的方面可被实施为存储在存储器中的指令(例如，存储在易失性存储器120或非易失性存储器125 或这两者中的固件)。举例来说，指令如果由控制器执行，那么可使控制器执行过程流 400的操作。
94.在405处，可接收到例如电力模式命令的命令。举例来说，接口控制器315可从主机装置305接收电力模式命令。电力模式命令可指示由主机装置305请求的低电力模式。在410处，可基于(例如，响应于)电力模式命令改变易失性存储器320的电力模式。举例来说，接口控制器315可将易失性存储器320的电力模式从例如较高电力模式(例如，活动模式、待机模式)的第一电力模式改变到例如低电力模式的第二电力模式，所述第一电力模式和第二电力模式中的一个或两个可由电力模式命令指示。因此，在410之后，易失性存储器320可在低电力模式中操作(至少直到接收到另一电力模式命令或发生某一其它电力模式转变事件为止)。然而，可维持非易失性存储器325的电力模式(例如，维持于当前电力模式中)而与电力模式命令405无关。
95.在415处，可确定排队命令的数量是否小于阈值数量(例如，一)。举例来说，接口控制器315可确定用于非易失性存储器325的排队命令数量是否小于阈值数量(例如，为零)。可基于或响应于存储(或“排队”)于待决命令缓冲器335-a中的待决命令的数量、基于或响应于存储于待决命令缓冲器335-b中的待决命令的数量，基于或响应于存储于发出命令缓冲器335-c中的发出命令的数量，或基于或响应于这些数量中的两个或更多个的组合，确定排队命令数量。在一些实例中，可基于或响应于从缓冲器335接收的数量的指示来确定排队命令数量。
96.如果在415处，确定排队命令数量小于阈值数量(例如，排队命令数量是零)，那么装置可转到420并且在返回到415之前将非易失性存储器325的电力模式维持现状。如果在415处，确定排队命令数量不小于阈值数量(例如，排队命令数量是一或一以上)，那么装置可转到425。
97.在425处，可确定在相对于415处的确定的延迟持续时间期间是否有新命令已经排队(例如，添加到缓冲器335中的一个)用于非易失性存储器325。举例来说，接口控制器315可确定在待决命令缓冲器335-a中是否有新命令已经排队用于非易失性存储器 325。延迟持续时间可由被配置成指示延迟持续时间的寄存器指示。延迟持续时间可由用户设置(或更新)(在此情况下，延迟持续时间可被称为基于或响应于用户输入)、由主机装置305设置(或更新)、由接口控制器315设置(或更新)或由其组合设置(或更新)。在一些实例中，接口
控制器315可基于或响应于非易失性存储器325的存取模式(例如，存取历史)来设置延迟持续时间。在一些实例中，接口控制器315可基于或响应于非易失性存储器325的电力电平来设置延迟持续时间。在一些实例中，接口控制器315可基于或响应于发到非易失性存储器325的最后一或多个命令来确定是否使用延迟持续时间。
98.如果在425处，确定在延迟持续时间期间已经有新命令排队用于非易失性存储器 325，那么接口控制器315可转到420并且将非易失性存储器325的电力模式维持现状。如果在425处，确定在延迟持续时间期间尚未有新命令排队用于非易失性存储器325，那么接口控制器315可转到430。
99.在430处，可改变非易失性存储器325的电力模式。举例来说，接口控制器315可将非易失性存储器325从较高电力模式转变到低电力模式。转变到低电力模式可基于或响应于415和420处的确定并且与在405处接收到的电力命令无关。
100.在435处，可确定排队命令数量是否满足(例如，大于或等于)阈值数量。举例来说，接口控制器315可确定用于非易失性存储器325的排队命令数量是否满足阈值数量(例如，通过将用于非易失性存储器325的排队命令数量与可存储或以其它方式计算或可得的阈值数量进行比较)。
101.如果在435处，确定排队命令数量不满足阈值数量(例如，排队命令数量是零)，那么装置可转到440并且在返回到435之前将非易失性存储器325的电力模式维持现状。如果在435处，确定排队命令数量满足阈值数量(例如，排队命令数量是一或一以上)，那么装置可转到445。
102.在445处，可改变非易失性存储器325的电力模式。举例来说，接口控制器315可将非易失性存储器325从低电力模式转变到较高电力模式。转变到较高电力模式可基于或响应于435处的确定。在一些实例中，转变到较高电力模式另外基于或响应于(例如，在435之前接收到的)指示较高电力模式的电力模式命令。如果从低电力模式转变到较高电力模式，那么装置可能不使用延迟持续时间来延迟转变，原因是这样做可能会增加用于存取操作的非易失性存储器325的时延。
103.虽然示出为在415处的操作之前发生，但在一些实例中，405和410处的操作可在 430处的操作之后发生。因此，在一些实例中，在易失性存储器320的电力模式改变到低电力模式之前，非易失性存储器325的电力模式改变到低电力模式。
104.因此，装置可以独立于非易失性存储器的电力模式的方式改变易失性存储器的电力模式，且反之亦然。
105.可实施上文的替代性实例，其中一些操作以不同于描述的次序的次序执行、并行执行或完全不执行。在一些情况下，操作可包含下文未提及的额外特征，或可添加另外的操作。另外，某些操作可执行多次，或可重复或循环某些操作组合。
106.图5示出根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的存储器装置520的框图500。存储器装置520可为如参考图1到4描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置520或其各种组件可以是用于执行如本文所描述的多存储器装置中的电力模式控制的各个方面的装置的实例。举例来说，存储器装置520可包含控制器525、易失性存储器(vm)控制器530、非易失性存储器(nvm)控制器535或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。
107.控制器525可以是或包含逻辑、电路系统、处理器、控制器或能够执行本文所描述的功能的其它组件。在一些实例中，控制器525是如本文中所描述的接口控制器的实例。 vm控制器530可以是或包含逻辑、电路系统、处理器、控制器或能够执行本文所描述的功能的其它组件。在一些实例中，vm控制器530是参考图3所描述的电力模式控制器340的实例。nvm控制器535可以是或包含逻辑、电路系统、处理器、控制器或能够执行本文所描述的功能的其它组件。在一些实例中，nvm控制器535是参考图3所描述的电力模式控制器330的实例。
108.控制器525可配置为或以其它方式支持用于在第一电力模式中操作易失性存储器并且在第二电力模式中操作非易失性存储器的装置。vm控制器530可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)来自与所述存储器装置耦合的主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式的装置，所述命令指示所述第三电力模式。nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于(例如，响应于)用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式的装置。
109.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否小于所述阈值数量的装置。在一些实例中，nvm 控制器535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述排队命令数量小于所述阈值数量，将指示所述第四电力模式的命令发射到所述非易失性存储器的装置，其中至少部分地基于发射指示所述第四电力模式的所述命令来将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式。
110.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于确定存储于第一缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第一数量的装置，其中所述排队命令数量包含所述待决命令第一数量。在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于确定存储于第二缓冲器中的用于所述非易失性存储器的发出命令第二数量的装置，其中所述排队命令数量包含所述发出命令第二数量。
111.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于确定存储于第三缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第三数量的装置，其中所述排队命令数量包含所述待决命令第三数量。
112.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量的装置。在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第四电力模式转变到与所述第四电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式的装置。
113.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合来确定延迟将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到所述第四电力模式之间的持续时间的装置，其中在所述持续时间之后转变所述非易失性存储器。
114.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于确定用于非易失性
存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量的装置，其中所述排队命令数量包含待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令。在一些实例中， nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如，响应于)确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式的装置。
115.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于在将所述非易失性存储器转变到所述第二电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量的装置。在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式的装置。
116.在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于延迟确定所述排队命令数量小于所述阈值数量与将所述非易失性存储器从所述第一电力模式转变到所述第二电力模式之间的持续时间的装置，其中所述延迟至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合。
117.在一些实例中，vm控制器530可配置为或以其它方式支持用于从主机装置接收指示所述易失性存储器的电力模式的命令的装置。在一些实例中，nvm控制器535可配置为或以其它方式支持用于维持所述非易失性存储器的所述电力模式而与接收指示所述易失性存储器的所述电力模式的所述命令无关的装置。
118.图6示出说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的方法 600的流程图。方法600的操作可由本文所述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法600的操作可由参考图1到5所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的各方面。
119.在605处，所述方法可包含在第一电力模式中操作易失性存储器并且在第二电力模式中操作非易失性存储器。可根据本文所公开的实例执行605的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的控制器525执行605的操作的方面。
120.在610处，所述方法可包含至少部分地基于来自与所述存储器装置耦合的主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式。可根据本文所公开的实例执行610的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的vm控制器530执行610的操作的方面。
121.在615处，所述方法可包含与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。可根据本文所公开的实例执行615的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的nvm控制器535执行615的操作的方面。
122.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：在第一电力模式中操作易失性存储器并且在第二电
力模式中操作非易失性存储器；至少部分地基于来自与所述存储器装置耦合的主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。
123.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否可小于所述阈值数量；和至少部分地基于确定所述排队命令数量可小于所述阈值数量，将指示所述第四电力模式的命令发射到所述非易失性存储器，其中可至少部分地基于发射指示所述第四电力模式的所述命令来将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式。
124.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定存储于第一缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第一数量，其中所述排队命令数量包含所述待决命令第一数量；和确定存储于第二缓冲器中的用于所述非易失性存储器的发出命令第二数量，其中所述排队命令数量包含所述发出命令第二数量。
125.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定存储于第三缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第三数量，其中所述排队命令数量包含所述待决命令第三数量。
126.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第四电力模式转变到与所述第四电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。
127.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合来确定延迟将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到所述第四电力模式之间的持续时间，其中可在所述持续时间之后转变所述非易失性存储器。
128.图7示出说明根据本文所公开的实例的支持多存储器装置中的电力模式控制的方法 700的流程图。方法700的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法700的操作可由参考图1到5所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。
129.在705处，所述方法可包含确定用于非易失性存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量，其中所述排队命令数量包含待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令。可根据本文所公开的实例执行705的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的nvm控制器535执行705的操作的方面。
130.在710处，所述方法可包含至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第
一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式。可根据本文所公开的实例执行710的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的nvm控制器535执行710的操作的方面。
131.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法700。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：确定用于非易失性存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量，其中所述排队命令数量包含待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式。
132.本文所描述的方法700和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在将所述非易失性存储器转变到所述第二电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。
133.本文所描述的方法700和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：延迟确定所述排队命令数量可小于所述阈值数量与将所述非易失性存储器从所述第一电力模式转变到所述第二电力模式之间的持续时间，其中所述延迟可至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合。
134.本文所描述的方法700和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：从主机装置接收指示所述易失性存储器的电力模式的命令；和维持所述非易失性存储器的所述电力模式而与接收指示所述易失性存储器的所述电力模式的所述命令无关。
135.应注意，本文中所描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。另外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。
136.描述一种设备。所述设备可包含非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合，所述接口控制器可操作以致使所述设备进行以下操作：确定用于所述非易失性存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量，其中所述排队命令数量包含待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式。
137.在一些实例中，所述设备可包含第一缓冲器，其处于所述接口控制器中，被配置成存储用于所述非易失性存储器的待决命令，其中所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第一缓冲器中的所述待决命令来确定所述排队命令数量；和第二缓冲器，处于所述接口控制器中，被配置成存储用于所述非易失性存储器的发出命令，其中所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第二缓冲器中的所述发出命令来确定所述排队命令数量。
138.在一些实例中，所述设备可包含第三缓冲器，处于所述接口控制器中，被配置成存储来自所述第一缓冲器的待决命令集，其中所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第三缓冲器中的所述待决命令来确定所述排队的命令数量。
139.在一些实例中，所述设备可包含在将所述非易失性存储器转变到所述第二电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。
140.在一些实例中，所述设备可包含延迟确定所述排队命令数量可小于所述阈值数量与将所述非易失性存储器从所述第一电力模式转变到所述第二电力模式之间的持续时间，其中所述延迟可至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合。
141.在一些实例中，所述设备可包含寄存器，处于所述接口控制器中，被配置成指示所述接口控制器可将在确定所述排队命令数量可小于所述阈值数量与转变所述非易失性存储器之间延迟的所述持续时间。
142.在一些实例中，所述设备可包含从主机装置接收指示所述易失性存储器的电力模式的命令；和维持所述非易失性存储器的所述电力模式而与接收指示所述易失性存储器的所述电力模式的所述命令无关。在所述设备的一些实例中，所述阈值数量可为一且所述排队命令数量可为零。
143.描述另一种设备。所述设备可包含非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合，所述接口控制器可操作以致使所述设备进行以下操作：在第一电力模式中操作所述易失性存储器并且在第二电力模式中操作所述非易失性存储器；至少部分地基于来自主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。
144.在一些实例中，所述设备可包含确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否可小于所述阈值数量；和至少部分地基于确定所述排队命令数量可小于所述阈值数量，将指示所述第四电力模式的命令发射到所述非易失性存储器，其中可至少部分地基于发射指示所述第四电力模式的所述命令来将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式。
145.在一些实例中，所述设备可包含确定存储于第一缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第一数量，其中可至少部分地基于所述待决命令第一数量来确定所述排队命令数量；和确定存储于第二缓冲器中的用于所述非易失性存储器的发出命令第二数量，其中可至少部分地基于所述发出命令第二数量来确定所述排队命令数量。
146.在一些实例中，所述设备可包含确定存储于第三缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第三数量，其中可至少部分地基于所述待决命令第三数量来确定所述排队命令数量。
147.在一些实例中，所述设备可包含在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模
式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第四电力模式转变到与所述第四电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。
148.在一些实例中，所述设备可包含至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合来确定延迟将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到所述第四电力模式之间的持续时间，其中可在所述持续时间之后转变所述非易失性存储器。
149.在所述设备的一些实例中，可在所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后将所述易失性存储器转变到所述第三电力模式。在所述设备的一些实例中，可并行地转变所述易失性存储器和所述非易失性存储器。在所述设备的一些实例中，所述设备可包含在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后从所述主机装置接收所述命令。在所述设备的一些实例中，所述阈值数量可为一且所述排队命令数量可为零。
150.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两个或更多个的部分。
151.如果用于描述条件性动作或过程，术语“如果
……
，则
……”
、“当
……
时”、“基于
……”
、“至少部分地基于
……”
和“响应于
……”
可互换。
152.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
153.协议可定义支持供装置或组件使用的一或多个通信程序和一或多个通信参数。举例来说，协议可以定义各种操作、用于那些操作的定时和频率、各种命令或信号或这两者的含义、用于一或多个存储器的一或多个寻址方案、其中保留引脚的类型的通信、在例如接口的各种组件处处置的数据的大小、由例如接口的各种组件支持的数据速率，或由例如接口的各种组件支持的带宽，以及其它参数和度量，或其任何组合。共享协议的使用可以实现装置之间的交互，这是因为每个装置可以另一装置所期望、辨识和理解的方式来操作。举例来说，支持相同协议的两个装置可以根据由协议定义的策略、程序和参数来交互，而支持不同协议的两个装置可能是不兼容的。
154.为了说明，支持不同协议的两个装置可能是不兼容的，这是因为协议定义不同的寻址方案(例如，不同数量的地址位)。作为另一说明，支持不同协议的两个装置可以是不兼容的，这是因为协议定义不同发射程序以用于响应于单个命令(例如，响应于命令所准许的字节的丛发长度或数量可以是不同的)。仅将命令转换为动作不应被理解为两个不同协议的使用。实际上，如果由两个协议限定的对应的程序或参数发生改变，则协议可以被视为是不同的。举例来说，如果装置支持不同寻址方案或不同传送程序以用于响应于命令，则装置可以称为支持两个不同协议。
155.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路
径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于(例如，响应于)包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
156.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
157.术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器分隔开两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
158.本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
159.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并，半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型的(即，大部分载体为电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载体为空穴)，那么fet可以被称作p型 fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“启动”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销启动”。
160.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
161.在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。
162.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例
来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
163.如本文所用，术语“大体上”意指经修饰特征(例如由术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但要足够接近以便获得特征的优点。如本文中所使用，术语“并行地”意味着所描述的动作或现象在时间上至少部分地重叠、可基本上同时进行或在时间上偏移的持续时间期间发生。
164.结合本文中本公开所描述的各种说明性块和模块可使用通用处理器、dsp、asic、 fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。
165.本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以发射。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b 或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和 c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b 两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
166.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、压缩光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字影音光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
167.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而
不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

技术特征：

1.一种设备，其包括：非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合，所述接口控制器可操作以致使所述设备进行以下操作：确定用于所述非易失性存储器的排队命令的数量是否小于阈值数量，其中所述排队命令数量包括待决用于所述非易失性存储器的命令和发到所述非易失性存储器的命令；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量小于所述阈值数量，将所述非易失性存储器从第一电力模式转变到与所述第一电力模式相比消耗较少电力的第二电力模式。2.根据权利要求1所述的设备，其另外包括：第一缓冲器，其处于所述接口控制器中，被配置成存储用于所述非易失性存储器的待决命令，其中所述接口控制器可操作以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第一缓冲器中的所述待决命令来确定所述排队命令数量；和第二缓冲器，处于所述接口控制器中，被配置成存储用于所述非易失性存储器的发出命令，其中所述接口控制器可操作以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第二缓冲器中的所述发出命令来确定所述排队命令数量。3.根据权利要求2所述的设备，其另外包括：第三缓冲器，处于所述接口控制器中，被配置成存储来自所述第一缓冲器的待决命令集，其中所述接口控制器可操作以致使所述设备至少部分地基于存储于所述第三缓冲器中的所述待决命令来确定所述排队命令数量。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：在将所述非易失性存储器转变到所述第二电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：延迟确定所述排队命令数量小于所述阈值数量与将所述非易失性存储器从所述第一电力模式转变到所述第二电力模式之间的持续时间，其中延迟至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合。6.根据权利要求5所述的设备，其另外包括：寄存器，处于所述接口控制器中，被配置成指示所述接口控制器将在确定所述排队命令数量小于所述阈值数量与转变所述非易失性存储器之间延迟的所述持续时间。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：从主机装置接收指示所述易失性存储器的电力模式的命令；和
维持所述非易失性存储器的所述电力模式而与接收指示所述易失性存储器的所述电力模式的所述命令无关。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述阈值数量是一且所述排队命令数量是零。9.一种设备，其包括：非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合，所述接口控制器可操作以致使所述设备进行以下操作：在第一电力模式中操作所述易失性存储器并且在第二电力模式中操作所述非易失性存储器；至少部分地基于来自主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否小于所述阈值数量；和至少部分地基于确定所述排队命令数量小于所述阈值数量，将指示所述第四电力模式的命令发射到所述非易失性存储器，其中至少部分地基于发射指示所述第四电力模式的所述命令来将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式。11.根据权利要求9所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：确定存储于第一缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第一数量，其中至少部分地基于所述待决命令第一数量来确定所述排队命令数量；和确定存储于第二缓冲器中的用于所述非易失性存储器的发出命令第二数量，其中至少部分地基于所述发出命令第二数量来确定所述排队命令数量。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：确定存储于第三缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第三数量，其中至少部分地基于所述待决命令第三数量来确定所述排队命令数量。13.根据权利要求9所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第四电力模式转变到与所述第四电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。14.根据权利要求9所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进
行以下操作：至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合来确定延迟将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到所述第四电力模式之间的持续时间，其中在所述持续时间之后转变所述非易失性存储器。15.根据权利要求9所述的设备，其中在所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后将所述易失性存储器转变到所述第三电力模式。16.根据权利要求9所述的设备，其中并行地转变所述易失性存储器和所述非易失性存储器。17.根据权利要求9所述的设备，其中所述接口控制器进一步可操作以致使所述设备进行以下操作：在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后从所述主机装置接收所述命令。18.根据权利要求9所述的设备，其中所述阈值数量是一且所述排队命令数量是零。19.一种由存储器装置执行的方法，其包括：在第一电力模式中操作易失性存储器并且在第二电力模式中操作非易失性存储器；至少部分地基于来自与所述存储器装置耦合的主机装置的命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式，所述命令指示所述第三电力模式；和与来自所述主机装置的所述命令无关地并且至少部分地基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式。20.根据权利要求19所述的方法，其另外包括：确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否小于所述阈值数量；和至少部分地基于确定所述排队命令数量小于所述阈值数量，将指示所述第四电力模式的命令发射到所述非易失性存储器，其中至少部分地基于发射指示所述第四电力模式的所述命令来将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式。21.根据权利要求19所述的方法，其另外包括：确定存储于第一缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第一数量，其中所述排队命令数量包括所述待决命令第一数量；和确定存储于第二缓冲器中的用于所述非易失性存储器的发出命令第二数量，其中所述排队命令数量包括所述发出命令第二数量。22.根据权利要求21所述的方法，其另外包括：确定存储于第三缓冲器中的用于所述非易失性存储器的待决命令第三数量，其中所述排队命令数量包括所述待决命令第三数量。23.根据权利要求19所述的方法，其另外包括：在将所述非易失性存储器转变到所述第四电力模式之后，确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量是否满足所述阈值数量；和至少部分地基于确定用于所述非易失性存储器的所述排队命令数量满足所述阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第四电力模式转变到与所述第四电力模式相比消耗更多电力的不同电力模式。
24.根据权利要求19所述的方法，其另外包括：至少部分地基于用户输入、所述非易失性存储器的存取模式或其组合来确定延迟将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到所述第四电力模式之间的持续时间，其中在所述持续时间之后转变所述非易失性存储器。

技术总结

本申请案是针对多存储器装置中的电力模式控制。一种设备可包含非易失性存储器和易失性存储器。所述设备可在第一电力模式中操作所述易失性存储器并且在第二电力模式中操作所述非易失性存储器。所述设备可基于来自主机装置的电力模式命令，将所述易失性存储器从所述第一电力模式转变到第三电力模式。所述设备可基于用于所述非易失性存储器的排队命令数量小于阈值数量，将所述非易失性存储器从所述第二电力模式转变到与所述第二电力模式相比消耗较少电力的第四电力模式且与来自所述主机装置的所述命令无关。装置的所述命令无关。装置的所述命令无关。