一种导通电阻测试装置的制作方法

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1.本实用新型涉及测试领域，特别是涉及一种用于氮化镓器件的导通电阻测试装置。

背景技术：

2.随着科学与技术的发展与进步，以及5g商用的出现，第三代半导体材料gan(氮化镓)的电子器件(简称氮化镓器件)开始进入市场。目前市面上的氮化镓器件的导通电阻测试包括两种模式，其分别为软切测试模式和硬切测试模式。由于软切测试模式和硬切测试模式的原理上区别，使得这两种测试模式不能在一个测试机台中实现，也就是说，软切测试模式和硬切测试模式无法做到兼容至一个测试机台中，只能分开两个测试机台来实现。

技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于，提供一种导通电阻测试装置，可以将导通电阻测试的两种测试模式在同一个测试机台中实现。
4.为了解决上述问题，本实用新型提供一种导通电阻测试装置，用于对氮化镓器件进行导通电阻测试，所述氮化镓器件包括mosfet器件，包括第一驱动单元、第一mos管、限流单元、电流传感器、mosfet器件、电流测试单元、电压测试单元、旁路电路、电源、电容和开关，所述旁路电路和所述限流单元均包括第一端和第二端，所述电流测试单元和电压测试单元均包括输入端和输出端，所述电流传感器具有两个输出端；
5.所述电源的正极连接所述开关的一端，所述开关的另一端同时连接电容的一端以及所述第一mos管的漏极，所述第一mos管的栅极连接所述第一驱动单元，所述第一mos管的源极连接所述限流单元的第一端，所述限流单元的第二端通过导线同时连接所述旁路电路的第一端、所述 mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端，所述导线穿设在所述电流传感器中，所述电流传感器的两个所述输出端分别连接所述电流测试单元的输入端和输出端，所述mosfet器件的栅极输入栅极脉冲信号，以控制所述mosfet器件导通或截止，所述mosfet器件的源极、所述电压测试单元的输出端、所述旁路电路的第二端、所述电容的另一端以及所述电源的负极均接地；
6.其中，所述第一驱动单元向所述第一mos管提供第一脉冲信号，以控制所述第一mos管导通或截止，所述旁路电路的导通或截止能够进行软切测试模式和硬切测试模式的切换。
7.可选的，所述旁路电路包括第二驱动单元和第二mos管，所述第二驱动单元向所述第二mos管提供第二脉冲信号，以控制所述第二mos管导通或截止，所述第二驱动单元连接所述第二mos管的栅极，所述第二mos 管的漏极连接所述限流单元的第二端，所述第二mos管的源极接地。
8.进一步的，所述第二脉冲信号包括至少一个高电平，所述栅极脉冲信号包括至少两个高电平，且所述第二脉冲信号的高电平数量少于所述栅极脉冲信号的高电平数量。
9.进一步的，所述第二脉冲信号的高电平数量较所述栅极脉冲信号的高电平数量少一个。
10.进一步的，所述第二脉冲信号为高电平时，所述旁路电路导通，经过所述限流单元的电流直接经过所述第二mos管旁路接地。
11.进一步的，所述第二脉冲信号为低电平时，所述旁路电路断开。
12.可选的，所述限流单元包括电感和续流二极管，所述电感的一端连接所述续流二极管的负极后作为所述限流单元的第一端，所述电感的另一端连接所述续流二极管的正极后作为所述限流单元的第二端。
13.可选的，所述限流单元包括可变电阻，所述可变电阻的一端连接所述第一mos管的源极，所述可变电阻的另一端同时连接所述第二mos管的漏极、所述mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端。
14.可选的，所述电源dc提供高于1000v的电压。
15.与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
16.本实用新型提供一种导通电阻测试装置，用于对氮化镓器件进行导通电阻测试，所述氮化镓器件包括mosfet器件，包括第一驱动单元、第一 mos管、限流单元、电流传感器、mosfet器件、电流测试单元、电压测试单元、旁路电路、电源、电容和开关，所述旁路电路和所述限流单元均包括第一端和第二端，所述电流测试单元和电压测试单元均包括输入端和输出端，所述电流传感器具有两个输出端；所述电源的正极连接所述开关的一端，所述开关的另一端同时连接电容的一端以及所述第一mos管的漏极，所述第一mos管的栅极连接所述第一驱动单元，所述第一mos管的源极连接所述限流单元的第一端，所述限流单元的第二端通过导线同时连接所述旁路电路的第一端、所述mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端，所述导线穿设在所述电流传感器中，所述电流传感器的两个所述输出端分别连接所述电流测试单元的输入端和输出端，所述mosfet 器件的栅极输入栅极脉冲信号，以控制所述mosfet器件导通或截止，所述mosfet器件的源极、所述电压测试单元的输出端、所述旁路电路的第二端、所述电容的另一端以及所述电源的负极均接地；其中，所述第一驱动单元向所述第一mos管提供第一脉冲信号，以控制所述第一mos管导通或截止，所述旁路电路的导通或截止能够进行软切测试模式和硬切测试模式的切换，可以将导通电阻测试的两种测试模式在同一个测试机台中实现，降低了成本，提供了工作效率。
附图说明
17.图1为本实用新型一实施例提供一种导通电阻测试装置的简单结构示意图；
18.图2为本实用新型实施例一的导通电阻测试装置的硬切模式下的时序图；
19.图3为本实用新型实施例一的导通电阻测试装置的软切模式下的时序图；
20.图4为本实用新型实施例二提供一种导通电阻测试装置的简单结构示意图；
21.图5为本实用新型实施例二的导通电阻测试装置的硬切模式下的时序图；
22.图6为本实用新型实施例二的导通电阻测试装置的软切模式下的时序图。
23.附图标记说明：
24.10-第一驱动单元；20-第二驱动单元；30-限流单元；40-电流传感器； 50-mosfet器件；60-电流测试单元；70-电压测试单元。
具体实施方式
25.以下将对本实用新型的一种导通电阻测试装置作进一步的详细描述。下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。
26.为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
27.为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
28.图1为本实施例提供一种导通电阻测试装置的简单结构示意图。如图 1所示，本实施例提供一种导通电阻测试装置，所述导通电阻测试装置符合jedec标准，并完全符合jet173规范2019。所述导通电阻测试装置用于对氮化镓器件进行导通电阻(rdson)测试。其中，所述氮化镓器件例如是mosfet器件50。
29.所述导通电阻测试装置包括第一驱动单元10、第一mos管q1、限流单元30、电流传感器40、mosfet器件50、电流测试单元60、电压测试单元70、旁路电路、电源dc、电容c和开关k1。其中，所述旁路电路和所述限流单元30均包括第一端和第二端，所述电流测试单元60和电压测试单元70均包括输入端和输出端。所述电流传感器40为互感器，其具有两个输出端。
30.所述电源dc的正极连接所述开关k1的一端，所述开关k1的另一端同时连接电容c的一端以及所述第一mos管q1的漏极，所述第一mos 管q1的栅极连接所述第一驱动单元10，所述第一mos管q1的源极连接所述限流单元30的第一端，所述限流单元30的第二端通过导线同时连接所述旁路电路的第一端、所述mosfet器件50的漏极以及所述电压测试单元70的输入端，所述导线穿设在所述电流传感器40中，所述电流传感器40的两个输出端分别连接所述电流测试单元60的输入端和输出端，所述mosfet器件50的栅极通入栅极脉冲信号，以使得所述栅极脉冲信号控制所述mosfet器件50导通或截止，所述mosfet器件50的源极、电压测试单元70的输出端、所述旁路电路的第二端、所述电容c的另一端以及所述电源dc的负极均接地gnd。
31.所述电流传感器40具有高精度实时特性，所述限流单元30用于对所述mosfet器件50进行限流，所述电源dc例如是高压电源，其用于向所述mosfet器件50的漏极提供高压，在本实施例中所述电源dc可以提供高于1000v的电压，同时所述电源dc还为精密电源。所述第一驱动单元10用于向所述第一mos管q1提供第一脉冲信号，以控制所述第一 mos管q1导通或截止。所述电流测试单元60用于测试流经所述mosfet 器件50的漏极和源极的电流id，所述电压测试单元70用于测试所述 mosfet器件50的漏极和源极之间的电压vds。
32.所述旁路电路包括第二驱动单元20和第二mos管q2，所述第二驱动单元20用于向所述第二mos管q2提供第二脉冲信号，以控制所述第二 mos管q2导通或截止，所述第二驱动
单元20连接所述第二mos管q2 的栅极，所述第二mos管q2的漏极连接所述限流单元的第二端，所述第二mos管q2的源极接地。在本实施例中，通过所述旁路电路作为导通电阻测试装置的软切模式和硬切模式的切换电路，使得所述第二驱动单元20 通过不同的同步控制时序，可以在测试中切换软切模式和硬切模式，以进行软切模式的导通电阻测试或硬切模式的导通电阻测试。
33.所述限流单元30包括电感l和续流二极管d，所述电感l的一端连接所述续流二极管d的负极后作为所述限流单元30的第一端，所述电感l 的另一端连接所述续流二极管d的正极后作为所述限流单元30的第二端。
34.图2为本实施例的导通电阻测试装置的硬切模式下的时序图。如图2 所示，在硬切模式测试时，所述第二驱动单元20始终提供低电平，使得所述第二mos管q2一直处于截止状态，此时，旁路电路断开。
35.所述导通电阻测试装置在硬切测试模式下工作的过程包括：
36.先闭合所述开关k1，再通过所述第一驱动单元10提供第一脉冲信号，且所述第一脉冲信号为高电平，同时，所述mosfet器件50的栅极输入栅极脉冲信号，所述栅极脉冲信号的每个周期包括第一阶段、第二阶段和第三阶段，所述第一阶段和第三阶段均为高电平，所述第二阶段为低电平。
37.因此，在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第一阶段，所述第二mos 管q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，此时，所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds趋于低电平，所述 mosfet器件50源极和漏极的电流ids逐渐增大，当测试时间延时到达设定值时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过所述电压测试单元70测试所述电压vds的取值。
38.在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第二阶段，所述第二mos管q2 截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50截止，此时，所述电流ids为0，所述电源dc在所述mosfet器件50的漏极施加高压，使得所述电压vds为高电平，确认所述电压vds的应力时间是否到达，当到达时，进入第三阶段。
39.在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第三阶段，所述第二mos管q2 截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，此时，所述电压vds趋于低电平0，所述电流ids逐渐增大，当测试时间延时到达设定值时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过电压测试单元70测试所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds的取值。
40.图3为本实施例的导通电阻测试装置的软切模式下的时序图。如图3 所示，在软切模式测试时，所述第一驱动单元提供第一脉冲信号，所述第二驱动单元提供第二脉冲信号，所述mosfet器件50的栅极输入栅极脉冲信号，其中，所述第二脉冲信号包括至少一个高电平，所述栅极脉冲信号包括至少两个高电平，使得所述第二脉冲信号的高电平数量少于所述栅极脉冲信号的高电平数量，且所述第二脉冲信号的高电平数量较所述栅极脉冲信号的高电平数量少一个。在所述第二脉冲信号为高电平时，所述旁路电路导通，使得经过限流单元30的电流直接经过第二mos管q2旁路到接地gnd，当所述第二脉冲信号为低电平时，旁路电路断开。
41.所述导通电阻测试装置在软切测试模式下的测试过程为：
42.先闭合所述开关k1，再通过所述第一驱动单元10提供第一脉冲信号，且所述第一
脉冲信号为高电平，同时，所述mosfet器件50的栅极输入栅极脉冲信号，所述栅极脉冲信号的每个周期包括第一阶段、第二阶段和第三阶段，所述第一阶段和第三阶段均为高电平，所述第二阶段为低电平。
43.因此，在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第一阶段，所述第二 mos管q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，此时，所述电压vds趋于低电平，所述电流ids逐渐增大，当测试时间延时到达设定值时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过所述电压测试单元70测试所述电压vds的取值。
44.在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第二阶段，所述第二mos管 q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50截止，此时，所述电流ids为0，所述电源dc在所述mosfet器件50的漏极施加高压，使得所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds为高电平，确认所述电压vds的应力时间是否到达，当到达时，进入第三阶段。
45.在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第三阶段，所述第一脉冲信号由低电平变为高电平(即第一个高电平到来)，此时所述第二mos管q2 先导通，并且持续预设时间(例如5微妙)，在所述第二mos管q2导通后所述mosfet器件50导通，在所述预设时间内，所述电压vds保持不变，并与第二阶段时的电压vds取值相同，所述电流ids依然为0，在预设时间结束后，所述第二mos管q2截止，所述电压vds趋于低电平，所述电流ids逐渐增大，当测试时间延时到达设定值时，通过电流测试单元60 测试所述电流ids的取值，通过电压测试单元70测试所述电压vds的取值。
46.从所述第二脉冲信号的第二个高电平开始，每个所述第二脉冲信号的高电平开始固定时间后，所述栅极脉冲信号由低电平变为高电平，且二者的高电平存在重叠时间段，且该重叠时间段小于所述第二脉冲信号的高电平持续时间。
47.本实施例导通电阻测试装置的结合软切测试模式和硬切测试模式，实现了gan器件在导通电阻测试上同时可以拥有软切、硬切一体测试的功能。可以大大降低gan器件测试的成本，为芯片供应商提供多样的测试选择，为普及应用铺平道路。
48.实施例二
49.图4为本实施例提供一种导通电阻测试装置的简单结构示意图。如图 4所示，与实施例一相比，本实施例的所述限流单元30包括可变电阻r，可变电阻r的一端作为所述限流单元30的第一端，其连接所述第一mos 管q1的源极，所述可变电阻r的另一端作为所述限流单元30的第二端，其同时连接第二mos管q2的漏极、所述mosfet器件50的漏极以及所述电压测试单元70的输入端。
50.图5为本实施例的导通电阻测试装置的硬切模式下的时序图。如图5 所示，在硬切模式测试时，所述第二驱动单元始终提供低电平，使得所述第二mos管q2一直处于截止状态，此时旁路电路断开。
51.所述导通电阻测试装置在硬切测试模式下工作的过程包括：
52.先闭合所述开关k1，并通过所述电压vds和所述电流ids计算可变电阻r的取值；再通过所述第一驱动单元10提供第一脉冲信号，且所述第一脉冲信号为高电平，使得所述第一mos管q1导通，同时，所述mosfet 器件50的栅极输入栅极脉冲信号，所述栅极脉冲信号的每个周期包括第一阶段、第二阶段和第三阶段，所述第一阶段和第三阶段均为高电平，所述第二阶段为低电平。
53.因此，在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第一阶段，所述第二mos 管q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，此时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过电压测试单元70 测试所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds的取值，并发现所述电压vds趋于低电平，所述电流ids保持取值不变，且此时电流ids为最大取值。
54.在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第二阶段，所述第二mos管q2 截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50截止，此时，所述电流ids为0，所述电源dc在所述mosfet器件50的漏极施加高压，使得所述电压vds为高电平，确认所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds的应力时间是否到达，当到达时，进入第三阶段。
55.在所述栅极脉冲信号的每个周期中的第三阶段，所述第二mos管q2 截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，当测试时间延时到达设定值时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过电压测试单元70测试所述电压vds的取值，并发现所述电压vds趋于低电平，所述电流ids保持取值不变，且此时电流ids为最大取值。
56.图6为本实施例的导通电阻测试装置的软切模式下的时序图。如图6 所示，在软切模式测试时，所述第一驱动单元提供第一脉冲信号，所述第二驱动单元提供第二脉冲信号，所述mosfet器件50的栅极输入栅极脉冲信号，其中，所述栅极脉冲信号包括至少两个高电平，使得所述第二脉冲信号的高电平数量少于所述栅极脉冲信号的高电平数量，且所述第二脉冲信号的高电平数量较所述栅极脉冲信号的高电平数量少一个。在所述第二脉冲信号为高电平时，所述旁路电路导通，使得经过限流单元30的电流直接经过第二mos管q2旁路到接地gnd，当所述第二脉冲信号为低电平时，旁路电路断开。
57.所述导通电阻测试装置在软切测试模式下的测试过程为：
58.先闭合所述开关k1，并通过所述电压vds和所述电流ids计算可变电阻r的取值；再通过所述第一驱动单元10提供第一脉冲信号，且所述第一脉冲信号为高电平，使得所述第一mos管q1导通，同时，所述mosfet 器件50的栅极输入栅极脉冲信号，所述栅极脉冲信号的每个周期包括第一阶段、第二阶段和第三阶段，所述第一阶段和第三阶段均为高电平，所述第二阶段为低电平。
59.因此，在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第一阶段，所述第二 mos管q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50导通，此时，通过电流测试单元60测试所述电流ids的取值，通过电压测试单元 70测试所述mosfet器件50的源极和漏极间的电压vds的取值，并发现所述电压vds趋于低电平，所述电流ids保持取值不变，且此时电流ids 为最大取值。
60.在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第二阶段，所述第二mos管 q2截止，所述第一mos管q1导通，所述mosfet器件50截止，此时，所述电流ids为0，所述电源dc在所述mosfet器件50的漏极施加高压，使得所述电压vds为高电平，确认所述电压vds的应力时间是否到达，当到达时，进入第三阶段。
61.在所述栅极脉冲信号的第一个周期中的第三阶段，所述第二脉冲信号率先由低电平变为高电平(即第二个高电平到来)，使得所述第二mos 管q2先导通，并且持续预设时间(例如5微妙)后所述栅极脉冲信号由低电平变为高电平，使得所述第一mos管q1导通，稍后所述第二mos管 q2截止，这就是的，从栅极脉冲信号的第二个高电平开始，所述栅极脉冲信号的高电平与第二脉冲信号的高电平均在时间上具有重叠区域。当测试时间延时到达设定
值时，通过电流测试单元60测试第三阶段时的所述电流 ids的取值，通过电压测试单元70测试测试第三阶段时的所述电压vds的取值，并发现在所述第二脉冲信号为高电平时，所述电压vds取值依然为高电平，电流ids趋于0，在第二脉冲信号由高电平变为低电平后，所述第二mos管q2截止，电流ids依然为0，电压vds趋于低电平。
62.综上所述，本实用新型提供一种导通电阻测试装置，用于对氮化镓器件进行导通电阻测试，所述氮化镓器件包括mosfet器件，包括第一驱动单元、第一mos管、限流单元、电流传感器、mosfet器件、电流测试单元、电压测试单元、旁路电路、电源、电容和开关，所述旁路电路和所述限流单元均包括第一端和第二端，所述电流测试单元和电压测试单元均包括输入端和输出端，所述电流传感器具有两个输出端；所述电源的正极连接所述开关的一端，所述开关的另一端同时连接电容的一端以及所述第一mos管的漏极，所述第一mos管的栅极连接所述第一驱动单元，所述第一mos管的源极连接所述限流单元的第一端，所述限流单元的第二端通过导线同时连接所述旁路电路的第一端、所述mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端，所述导线穿设在所述电流传感器中，所述电流传感器的两个所述输出端分别连接所述电流测试单元的输入端和输出端，所述mosfet器件的栅极输入栅极脉冲信号，以控制所述mosfet器件导通或截止，所述mosfet器件的源极、所述电压测试单元的输出端、所述旁路电路的第二端、所述电容的另一端以及所述电源的负极均接地；其中，所述第一驱动单元向所述第一mos管提供第一脉冲信号，以控制所述第一mos管导通或截止，所述旁路电路的导通或截止能够进行软切测试模式和硬切测试模式的切换，可以将导通电阻测试的两种测试模式在同一个测试机台中实现，降低了成本，提供了工作效率。
63.此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
64.可以理解的是，虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本实用新型。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

技术特征：

1.一种导通电阻测试装置，用于对氮化镓器件进行导通电阻测试，所述氮化镓器件包括mosfet器件，其特征在于，包括第一驱动单元、第一mos管、限流单元、电流传感器、mosfet器件、电流测试单元、电压测试单元、旁路电路、电源、电容和开关，所述旁路电路和所述限流单元均包括第一端和第二端，所述电流测试单元和电压测试单元均包括输入端和输出端，所述电流传感器具有两个输出端；所述电源的正极连接所述开关的一端，所述开关的另一端同时连接电容的一端以及所述第一mos管的漏极，所述第一mos管的栅极连接所述第一驱动单元，所述第一mos管的源极连接所述限流单元的第一端，所述限流单元的第二端通过导线同时连接所述旁路电路的第一端、所述mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端，所述导线穿设在所述电流传感器中，所述电流传感器的两个所述输出端分别连接所述电流测试单元的输入端和输出端，所述mosfet器件的栅极输入栅极脉冲信号，以控制所述mosfet器件导通或截止，所述mosfet器件的源极、所述电压测试单元的输出端、所述旁路电路的第二端、所述电容的另一端以及所述电源的负极均接地；其中，所述第一驱动单元向所述第一mos管提供第一脉冲信号，以控制所述第一mos管导通或截止，所述旁路电路的导通或截止能够进行软切测试模式和硬切测试模式的切换。2.如权利要求1所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述旁路电路包括第二驱动单元和第二mos管，所述第二驱动单元向所述第二mos管提供第二脉冲信号，以控制所述第二mos管导通或截止，所述第二驱动单元连接所述第二mos管的栅极，所述第二mos管的漏极连接所述限流单元的第二端，所述第二mos管的源极接地。3.如权利要求2所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述第二脉冲信号包括至少一个高电平，所述栅极脉冲信号包括至少两个高电平，且所述第二脉冲信号的高电平数量少于所述栅极脉冲信号的高电平数量。4.如权利要求3所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述第二脉冲信号的高电平数量较所述栅极脉冲信号的高电平数量少一个。5.如权利要求2所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述第二脉冲信号为高电平时，所述旁路电路导通，经过所述限流单元的电流直接经过所述第二mos管旁路接地。6.如权利要求2所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述第二脉冲信号为低电平时，所述旁路电路断开。7.如权利要求1所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述限流单元包括电感和续流二极管，所述电感的一端连接所述续流二极管的负极后作为所述限流单元的第一端，所述电感的另一端连接所述续流二极管的正极后作为所述限流单元的第二端。8.如权利要求2所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述限流单元包括可变电阻，所述可变电阻的一端连接所述第一mos管的源极，所述可变电阻的另一端同时连接所述第二mos管的漏极、所述mosfet器件的漏极以及所述电压测试单元的输入端。9.如权利要求1所述的导通电阻测试装置，其特征在于，所述电源提供高于1000v的电压。

技术总结

本实用新型提供一种导通电阻测试装置，包括第一驱动单元、第一MOS管、MOSFET器件、旁路电路和电源，MOSFET器件的栅极输入栅极脉冲信号，以控制所述MOSFET器件导通或截止，第一驱动单元向所述第一MOS管提供第一脉冲信号，以控制所述第一MOS管导通或截止，旁路电路的导通或截止能够进行软切测试模式和硬切测试模式的切换，可以将导通电阻测试的两种测试模式在同一个测试机台中实现，降低了成本，提供了工作效率。工作效率。工作效率。