半导体装置以及模块的制作方法

阅读：评论：0

1.本发明涉及半导体装置以及模块。

背景技术：

2.作为用于半导体集成电路的代表性的电容器元件，例如公知有mim(metal insulator metal：金属绝缘体金属)电容器。mim电容器是具有由下部电极和上部电极夹持电介质的平行平板型的构造的电容器。
3.例如，在专利文献1中公开了一种电容器，具备：基板；下部电极，形成于基板上；上部电极，其周缘的一部分与下部电极重叠，周缘的其它部分位于下部电极的外侧以便覆盖下部电极的一部分；电介质膜，至少设置在下部电极与上部电极之间；第一外部端子，在下部电极上，设置在未被上部电极覆盖的区域；以及第二外部端子，在上部电极上，至少一部分设置于下部电极的外侧，上部电极的周缘的一部分具有向接近第二外部端子的方向凹陷的凹部。
4.专利文献1：日本特开2017-228638号公报。
5.然而，在专利文献1所记载的电容器中，在上部电极与支承基板之间未配置有下部电极的区域较多，因此存在从上部电极产生的电场侵入支承基板而产生导体损耗的问题。

技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供低损耗的半导体装置以及模块。
7.本发明的半导体装置具备：半导体基板，具有在厚度方向上相对的第一主面及第二主面、在与上述厚度方向正交的长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与上述厚度方向及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；和电路层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，其特征在于，上述电路层具备：设置于上述半导体基板侧的第一电极层；设置于上述第一电极层上的电介质层；设置于上述电介质层上的第二电极层；与上述第一电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第一外部电极；以及与上述第二电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第二外部电极，在俯视观察上述电路层时，上述第一电极层具有在上述厚度方向上与上述第二电极层对置的第一对置部、和不与上述第二电极层对置的第一非对置部，上述第二电极层具有在上述厚度方向上与上述第一电极层对置的第二对置部、和不与上述第一电极层对置的第二非对置部，上述第一外部电极配置在比上述第二外部电极靠近上述半导体基板的上述第二端面侧，上述第一电极层的重心配置在比上述第二电极层的重心靠近上述第二端面侧，上述第一电极层的面积占第二电极层非形成区域的比例p1为80％以上且100％以下，上述第二电极层非形成区域是上述半导体基板的区域中的比上述第二对置部的上述第二端面侧的端部靠近上述第二端面侧的区域即。
8.另外，本发明的半导体装置的其它方式具备：半导体基板，具有在厚度方向上相对的第一主面及第二主面、在与上述厚度方向正交的长度方向上相对的第一端面及第二端
面、在与上述厚度方向及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；和电路层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，其特征在于，上述电路层具备：设置于上述半导体基板侧的第一电极层；设置于上述第一电极层上的电介质层；设置于上述电介质层上的第二电极层；与上述第一电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第一外部电极；以及与上述第二电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第二外部电极，在俯视观察上述电路层时，上述第一电极层具有在上述厚度方向上与上述第二电极层对置的第一对置部、和不与上述第二电极层对置的第一非对置部，上述第二电极层具有在上述厚度方向上与上述第一电极层对置的第二对置部、和不与上述第一电极层对置的第二非对置部，上述宽度方向上的上述第一非对置部的最大长度比上述宽度方向上的上述第一对置部的平均长度长。
9.本发明的模块的特征在于，具备：本发明的半导体装置；与上述第一外部电极电连接的第一焊盘；以及与上述第二外部电极电连接的第二焊盘。
10.根据本发明，能够提供低损耗的半导体装置以及模块。
附图说明
11.图1是示意性地表示本发明的半导体装置的第一实施方式的一个例子的立体图。
12.图2是图1中的a-a线剖视图。
13.图3是表示图1以及图2所示的半导体装置的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。
14.图4是表示图3中的第二电极层非形成区域的俯视图。
15.图5是表示在图3中设置于第二电极层非形成区域的第一电极层的俯视图。
16.图6是示意性地表示现有已知的半导体装置的一个例子的俯视图。
17.图7是说明图3中的第一电极层以及第二电极层的宽度方向的长度的关系的俯视图。
18.图8是示意性地表示将图6所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的x-x线剖视图。
19.图9是示意性地表示将图7所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的b-b线剖视图。
20.图10是说明图3中的第一电极层以及第二电极层的长度方向的长度的关系的俯视图。
21.图11是示意性地表示将图6所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的y-y线剖视图。
22.图12是示意性地表示将图10所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的c-c线剖视图。
23.图13是示意性地表示本发明的半导体装置的第二实施方式的一个例子的立体图。
24.图14是图13中的d-d线剖视图。
25.图15是示意性地表示图13以及图14所示的半导体装置中的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的一个例子的俯视图。
26.图16是进一步说明图15所示的电路层的状况的俯视图。
27.图17是进一步说明图15所示的电路层的状况的俯视图。
28.图18是表示半导体装置的另一个例子的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。
29.图19是表示半导体装置的又一个例子的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。
30.图20是示意性地表示本发明的模块的一个例子的剖视图。
具体实施方式
31.以下，对本发明的半导体装置以及模块进行说明。
32.然而，本发明并不限定于以下的结构，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当地变更来应用。此外，将在以下记载的本发明的优选的结构组合两个以上而得到的结构也是本发明。
33.[半导体装置]
[0034]
本发明的半导体装置具备：半导体基板，具有在厚度方向上相对的第一主面及第二主面、在与上述厚度方向正交的长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与上述厚度方向及上述长度方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；电路层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，上述电路层具备：设置于上述半导体基板侧的第一电极层；设置于上述第一电极层上的电介质层；设置于上述电介质层上的第二电极层；与上述第一电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第一外部电极；以及与上述第二电极层电连接且在上述电路层的与上述半导体基板相反侧的表面引出的第二外部电极，在俯视观察上述电路层时，上述第一电极层具有在上述厚度方向上与上述第二电极层对置的第一对置部、和不与上述第二电极层对置的第一非对置部，上述第二电极层具有在上述厚度方向上与上述第一电极层对置的第二对置部、和不与上述第一电极层对置的第二非对置部。
[0035]
使用图1以及图2对本发明的半导体装置的第一实施方式的一个例子进行说明。
[0036]
图1是示意性地表示本发明的半导体装置的第一实施方式的一个例子的立体图，图2是图1中的a-a线剖视图。
[0037]
如图1所示，半导体装置1具备半导体基板10和电路层90。
[0038]
半导体基板10具有在厚度方向(t方向)上相对的第一主面10a及第二主面10b、在与厚度方向(t方向)正交的长度方向(l方向)上相对的第一端面10c及第二端面10d、在与厚度方向(t方向)及长度方向(l方向)正交的宽度方向(w方向)上相对的第一侧面10e及第二侧面10f。
[0039]
在本说明书中，将与长度方向(l方向)以及厚度方向(t方向)平行的半导体装置1或者半导体基板10的截面称为lt截面。另外，将与宽度方向(w方向)以及厚度方向(t方向)平行的半导体装置1或者半导体基板10的截面称为wt截面。另外，将与长度方向(l方向)以及宽度方向(w方向)平行的半导体装置1或者半导体基板10的截面称为lw截面。
[0040]
电路层90设置于半导体基板10的第一主面10a上，第一外部电极70以及第二外部电极80在与半导体基板10侧相反侧的表面露出。
[0041]
第一外部电极70设置于半导体基板10的第二端面10d侧，第二外部电极80设置于
半导体基板10的第一端面10c侧。
[0042]
如图2所示，构成半导体装置1的电路层90具备：设置于半导体基板10的第一主面10a侧的绝缘层20；设置于绝缘层20上的第一电极层30；设置于第一电极层30上的电介质层40；设置于电介质层40上的第二电极层50；与第一电极层30电连接且在电路层90的与半导体基板10侧相反侧的表面引出的第一外部电极70；以及与第二电极层50电连接且在电路层90的与半导体基板10侧相反侧的表面引出的第二外部电极80。
[0043]
在电介质层40的表面以及第二电极层50的一部分表面上设置有保护层60。
[0044]
绝缘层20设置在半导体基板10的第一主面10a与第一电极层30之间。
[0045]
在图1以及图2中，在半导体基板10的第一主面10a的一部分存在未形成有电路层90的区域，但在本发明的半导体装置中，也可以在半导体基板的第一主面上的整个面形成电路层。
[0046]
参照图3并对本发明的半导体装置的第一实施方式中的半导体基板、第一电极层、第二电极层的形状以及位置关系的一个例子进行说明。
[0047]
图3是表示图1以及图2所示的半导体装置的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。图3也是表示俯视观察图1及图2所示的半导体装置1的电路层90时的半导体基板10的第一主面10a、第一电极层30以及第二电极层50的位置关系的图。
[0048]
如图3所示，第一电极层30以及第二电极层50设置于半导体基板10上。第一电极层30和第二电极层50隔着电介质层(未图示)对置。
[0049]
第一电极层30的形状是将大致椭圆的一部分和多边形进行组合而成的形状。
[0050]
另一方面，第二电极层50的形状是在角部设置弧形的矩形形状。
[0051]
第一电极层30的重心g3位于比第二电极层50的重心g5靠近半导体基板10的第二端面10d侧。这是因为，如图1以及图2所示，与第一电极层30电连接的第一外部电极70配置于半导体基板10的第二端面10d侧，与第二电极层50电连接的第二外部电极80配置于半导体基板10的第一端面10c侧。
[0052]
设置有半导体基板10的区域以配置有第二电极层50的位置为基准，分为第二电极层非形成区域10g和第二电极层非形成区域以外的区域10h。设置有半导体基板10的区域相当于俯视观察电路层90时的设置有半导体基板10的第一主面10a的区域，不考虑半导体基板10的第一主面10a以外的面即第一侧面、第二侧面、第一端面、第二端面以及第二主面。
[0053]
第二电极层非形成区域10g是设置有半导体基板10的区域，是比第二电极层50中的与第一电极层30对置的部分的第二端面10d侧的端部50d靠近半导体基板10的第二端面10d侧的区域。
[0054]
第二电极层非形成区域以外的区域10h是设置有半导体基板10的区域，是第二电极层非形成区域10g以外的区域。第二电极层非形成区域以外的区域10h也可以说是从第二电极层50中的与第一电极层30对置的部分的第二端面10d侧的端部50d到半导体基板10的第一端面10c侧的端部的区域。
[0055]
图4是表示图3中的第二电极层非形成区域的俯视图，图5是表示在图3中设置于第二电极层非形成区域的第一电极层的俯视图。
[0056]
如图4所示，第二电极层非形成区域10g的面积(以斜线所示的区域的面积)是s1。
[0057]
如图5所示，第二电极层非形成区域10g中的第一电极层30的面积(以斜线所示的
区域的面积)是s2。
[0058]
第二电极层非形成区域10g中的第一电极层30所占的面积s2占第二电极层非形成区域10g的面积s1的比例[p 1＝(s 2/s 1)
×
100][％]为80％。
[0059]
将本发明的半导体装置的第一实施方式的效果与图6对比进行说明。
[0060]
图6是示意性地表示现有已知的半导体装置的一个例子的俯视图。
[0061]
在图6所示的半导体装置1’中，配置为在半导体基板10’的第一主面10a’上，俯视观察大致矩形的第一电极层30’和俯视观察大致矩形的第二电极层50’隔着电介质层(未图示)对置。
[0062]
如图6所示，第一电极层30’以及第二电极层50’均是宽度方向上的长度为恒定的矩形形状。在宽度方向上，第一电极层30’和第二电极层50’对置的区域(第一对置部)中的第一电极层30’的最大长度w1’
与第一电极层30’中不与第二电极层50’对置的区域(第一非对置部)中的第一电极层30’的最大长度w2’
相同。另外，宽度方向上的第二电极层50’的最大长度w3’
也与w1’
以及w2’
相同。宽度方向上的第一电极层30’以及第二电极层50’的长度恒定，因此不存在宽度相对较窄的区域、宽度较宽的区域。并且，宽度方向上的长度恒定，因此宽度方向上的第一对置部的最大长度w1、宽度方向上的第一非对置部的最大长度w2、宽度方向上的第二电极层50的最大长度w3分别与宽度方向上的第一对置部的平均长度、宽度方向上的第一非对置部的平均长度、宽度方向上的第二电极层的平均长度相等。另外，第二电极层50’的全部与第一电极层30’对置。因此，在第二电极层50’不存在不与第一电极层30’对置的区域。
[0063]
在半导体基板10’的区域中的从第二电极层50’和第一电极层30’对置的部分的第二端面10d’侧的端部50d’到半导体基板10’的第二端面10d’的第二电极层非形成区域10g’存在未设置有第一电极层30’的区域(例如，在图6中，由虚线包围的区域)。因此，在未配置有第一电极层30’的区域中，在半导体基板10’与第二电极层50’之间产生电力线e。
[0064]
与此相对，若第一电极层30的面积占第二电极层非形成区域10g的比例p1为80％以上且100％以下，则在第二电极层非形成区域10g中，能够遮蔽在第二电极层50与半导体基板10之间产生的电力线的80％以上，能够抑制导体损耗。
[0065]
此外，图6所示的电力线e的朝向并不指定半导体装置的极性。这在本发明的半导体装置以及后述的图8以及图11中也同样。
[0066]
接着，对本发明的半导体装置的第一实施方式中的第一电极层以及第二电极层的宽度方向上的尺寸以及位置进行说明。
[0067]
图7是说明图3中的第一电极层以及第二电极层的宽度方向的长度的关系的俯视图。此外，在图7中，用虚线表示设置有第二电极层50的位置。
[0068]
如图7所示，第一电极层30具有与第二电极层50对置的第一对置部30a、和不与第二电极层50对置的第一非对置部30b。
[0069]
宽度方向上的第一对置部30a的最大长度是双向箭头w1所示的长度，宽度方向上的第一对置部30a的平均长度是双向箭头w
1a
所示的长度。另外，宽度方向上的第一非对置部30b的最大长度是双向箭头w2所示的长度。
[0070]
优选宽度方向上的第一非对置部30b的最大长度w2比宽度方向上的第一对置部30a的最大长度w1长。若w2比w1长，则能够通过第一非对置部30b中的宽度方向的长度成为最
大的部位遮蔽在第二电极层50与半导体基板10之间产生的电力线。
[0071]
优选宽度方向上的第一非对置部30b的最大长度w2比宽度方向上的第一对置部30a的平均长度w
1a
长。若w2比w
1a
长，则容易通过第一非对置部30b来遮蔽在第二电极层50与半导体基板10之间产生的电力线。
[0072]
此外，宽度方向上的第一对置部的平均长度是具有与长度方向上的第一对置部的最大长度相同的长度的长边且面积相同的矩形的短边的长度。宽度方向上的第一对置部的平均长度也可以通过将第一对置部的面积除以长度方向上的第一对置部的最大长度来求出。
[0073]
此外，也可以通过与第一对置部的情况相同的方法来求出宽度方向上的第一非对置部的平均长度以及宽度方向上的第二电极层的平均长度。
[0074]
在本发明的半导体装置的第一实施方式中，优选宽度方向上的第一对置部的最大长度比宽度方向上的第二电极层的最大长度短。
[0075]
若宽度方向上的第一对置部的最大长度比宽度方向上的第二电极层的最大长度短，则能够通过第二电极层遮蔽在与第二电极层电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线中沿宽度方向绕入的电力线，能够抑制导体损耗。
[0076]
参照图8以及图9并对沿宽度方向绕入的电力线的遮蔽的一个例子进行说明。
[0077]
图8是示意性地表示将图6所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的x-x线剖视图。
[0078]
如图8所示，设置于半导体基板10’的第一主面10a’上的电路层90’由绝缘层20’、设置于绝缘层20’上的第一电极层30’、设置于第一电极层30’上的电介质层40’、设置于电介质层40’上的第二电极层50’、与第一电极层30’电连接且在电路层90’的与半导体基板10’相反侧的表面引出的第一外部电极(未图示)、与第二电极层50’电连接且在电路层90’的与半导体基板10’相反侧的表面引出的第二外部电极80’、以及覆盖电介质层40’及第二电极层50’的一部分的保护层60’构成。第二外部电极80’通过焊料140与配置于安装基板110上的第二焊盘130连接。虽然未图示，但第一外部电极也通过焊料与配置于安装基板上的第一焊盘连接。
[0079]
如图8所示，若相当于第一对置部的第一电极层30’的平均长度w1’
和第二电极层50’的最大长度w3’
相同，则在第二电极层50’不形成未与第一电极层30’对置的区域(第二非对置部)。该情况下，在与第二电极层50’电连接的焊盘等导体和第一电极层30’之间产生沿宽度方向绕入的电力线e，成为导体损耗的原因。
[0080]
图9是示意性地表示将图7所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的b-b线剖视图。
[0081]
半导体装置1通过利用焊料140将第二外部电极80与第二焊盘130连接，从而安装于安装基板110。
[0082]
在图9中，宽度方向上的第二电极层50的最大长度w3比宽度方向上的第一对置部30a的平均长度w
1a
长。因此，能够通过第二电极层50遮蔽在与第二电极层电连接的第二焊盘130等导体和第一电极层30之间沿宽度方向绕入的电力线e，能够抑制导体损耗。
[0083]
接着，对本发明的半导体装置的第一实施方式中的第一电极层以及第二电极层的长度方向上的尺寸以及位置进行说明。
[0084]
图10是说明图3中的第一电极层以及第二电极层的长度方向的长度的关系的俯视图。此外，在图10中，用虚线表示设置有第一电极层30的位置。
[0085]
如图10所示，第二电极层50具有与第一电极层30对置的第二对置部50a、和不与第一电极层30对置的第二非对置部50b。第二对置部50a与第一对置部30a在俯视时重叠。
[0086]
通过不与第一电极层30对置的第二非对置部50b设置于第二电极层50，从而能够遮蔽在与第二电极层50对置的第一电极层30和与第二电极层50电连接的焊盘等导体之间产生的电力线，能够减少导体损耗。
[0087]
此外，第二电极层非形成区域也可以说成是比第二对置部50a的第二端面10d侧的端部50d靠近半导体基板10的第二端面10d侧的区域。
[0088]
在图10所示的半导体装置中，长度方向上的从半导体基板10的第一端面10c到第一电极层30的最短距离(在图10中，双向箭头l1所示的长度)比从半导体基板10的第一端面10c到第二电极层50的最短距离(在图10中，双向箭头l2所示的长度)长。长度方向上的从第一电极层30的第一端面10c侧的端部到第二电极层50的第一端面10c侧的端部的距离由l3表示。因此，第二电极层50比第一电极层30向半导体基板10的第一端面10c侧突出距离l3。长度方向上的第二电极层50的长度(在图10中，双向箭头l5所示的长度)比第二对置部50a的长度(在图10中，双向箭头l4所示的长度)长。
[0089]
在本发明的半导体装置的第一实施方式中，优选长度方向上的从半导体基板的第一端面到第一电极层的最短距离比长度方向上的从半导体基板的第一端面到第二电极层的最短距离长。
[0090]
若长度方向上的从半导体基板的第一端面到第一电极层的最短距离比长度方向上的从半导体基板的第一端面到第二电极层的最短距离长，则能够通过第二电极层遮蔽在与第二电极层电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线中的沿半导体基板的长度方向绕入的电力线，能够抑制导体损耗。
[0091]
参照图11以及图12并对沿长度方向绕入的电力线的遮蔽的一个例子进行说明。
[0092]
图11是示意性地表示将图6所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的y-y线剖视图。此外，图11是表示在图6的y-y线剖视图中，半导体基板的第一端面侧的周围的图。
[0093]
在图11所示的半导体装置1’中，从半导体基板10’的第一端面10c’到第一电极层30’的最短距离l1’
和从第一端面10c’到第二电极层50’的最短距离l2’
相等。因此，可以说相对于第一电极层30’，第二电极层50’未向半导体基板10’的第一端面10c’侧突出(突出量为零)。因此，无法通过第二电极层50’遮蔽在与第二电极层50’连接的第二焊盘130和第一电极层30’之间沿长度方向绕入的电力线e。
[0094]
图12是示意性地表示将图10所示的半导体装置安装于安装基板时的电力线的状况的c-c线剖视图。此外，图12是表示在图10的c-c线剖视图中，半导体基板的第一端面侧的周围的图。
[0095]
在图12所示的半导体装置1中，第二电极层50比第一电极层30向第一端面10c侧突出距离l3。若第二电极层50比第一电极层30向第一端面10c侧突出，则在将半导体装置1安装于安装基板并施加电压时，能够通过第二电极层50遮蔽在与第二电极层50电连接的第二焊盘130和第一电极层30之间沿长度方向绕入的电力线，因此能够抑制导体损耗。
[0096]
优选距离l3为5μm以上且20μm以下。
[0097]
接着，对本发明的半导体装置的第二实施方式进行说明。
[0098]
在本发明的半导体的第二实施方式中，宽度方向上的第一非对置部的最大长度比宽度方向上的第一对置部的平均长度长。
[0099]
若宽度方向上的第一非对置部的最大长度比宽度方向上的第一对置部的平均长度长，则通过第一非对置部遮蔽在第二电极层与半导体基板之间产生的电力线的效果提高，能够抑制导体损耗。
[0100]
图13是示意性地表示本发明的半导体装置的第二实施方式的一个例子的立体图。
[0101]
如图13所示，半导体装置2具备半导体基板11和电路层91。
[0102]
半导体基板11具有：在厚度方向(t方向)上相对的第一主面11a及第二主面11b、在与厚度方向(t方向)正交的长度方向(l方向)上相对的第一端面11c及第二端面11d、在与厚度方向(t方向)及长度方向(l方向)正交的宽度方向(w方向)上相对的第一侧面11e及第二侧面11f。
[0103]
电路层91设置于半导体基板11的第一主面11a上，第一外部电极71以及第二外部电极81在与半导体基板11侧相反侧的表面露出。
[0104]
第一外部电极71设置于半导体基板11的第二端面11d侧，第二外部电极81设置于半导体基板11的第一端面11c侧。
[0105]
图14是图13中的d-d线剖视图。
[0106]
如图14所示，构成半导体装置2的电路层91具备：设置于半导体基板11的第一主面11a侧的绝缘层21；设置于绝缘层21上的第一电极层31；设置于第一电极层31上的电介质层41；设置于电介质层41上的第二电极层51；与第一电极层31电连接且在电路层91的与半导体基板11侧相反侧的主面引出的第一外部电极71；与第二电极层51电连接且在电路层91的与半导体基板11侧相反侧的表面引出的第二外部电极81。
[0107]
在电介质层41的表面以及第二电极层51的一部分表面上设置有保护层61。
[0108]
绝缘层21设置在半导体基板11的第一主面11a与第一电极层31之间。
[0109]
在图13以及图14中，在半导体基板11的第一主面11a的一部分存在未形成有电路层91的区域，但在本发明的半导体装置中，也可以在半导体基板的第一主面上的整个面形成电路层。
[0110]
参照图15、图16以及图17并对本发明的半导体装置的第二实施方式中的半导体基板、第一电极层、第二电极层的形状以及位置关系的一个例子进行说明。
[0111]
图15是示意性地表示图13以及图14所示的半导体装置中的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的一个例子的俯视图。
[0112]
如图15所示，第一电极层31以及第二电极层51设置于半导体基板11上。第一电极层31和第二电极层51经由电介质层(未图示)对置。
[0113]
第一电极层31具有：设置于半导体基板11的第一端面11c侧，宽度比宽幅部33相对较窄的窄幅部32；设置于半导体基板11的第二端面11d侧，宽度比窄幅部32相对较宽的宽幅部33。窄幅部32和宽幅部33沿着长度方向l相互连续。窄幅部32是其长边沿着长度方向l延伸的大致矩形形状，宽幅部33是其长边沿着宽度方向w延伸的大致矩形形状。因此，第一电极层31可以说是具有沿着长度方向l的长边的大致矩形形状的窄幅部32和具有沿着宽度方
向w的长边的大致矩形形状的宽幅部33在从半导体基板11的第一端面11c朝向第二端面11d侧的方向上连续的大致t字形状。另一方面，第二电极层51是长边沿着长度方向l延伸的大致矩形形状。
[0114]
窄幅部32配置在比宽幅部33靠近半导体基板11的第一端面11c侧。这是因为，窄幅部32是与第二电极层51对置的部分，并且与第二电极层51连接的第二外部电极81配置在比第一外部电极71靠近第一端面11c侧。
[0115]
窄幅部32的至少一部分与第二电极层51对置，但第一电极层31的宽幅部33不与第二电极层51对置。另外，第一电极层31的宽幅部33的第一端面11c侧的端部设置在与第二电极层51分离的位置。即，第一电极层31的窄幅部32中的比第二电极层51的第二端面11d侧的端部51d靠近第二端面11d侧的部分不与第二电极层51对置。
[0116]
长度方向上的从半导体基板11的第一端面11c到第一电极层31的最短距离(在图15中，双向箭头l6所示的长度)比从半导体基板11的第一端面11c到第二电极层51的最短距离(在图15中，双向箭头l7所示的长度)长。长度方向上的从第一电极层31的第一端面11c侧的端部到第二电极层51的第一端面11c侧的端部的距离由l8表示。因此，第二电极层51比第一电极层31向半导体基板11的第一端面11c侧突出距离l8。长度方向上的第二电极层51的长度(在图15中，双向箭头l
10
所示的长度)比第二电极层51和第一电极层31对置的部分的长度(在图15中，双向箭头l9所示的长度)长。
[0117]
若第二电极层51比第一电极层31向第一端面11c侧突出，则在将半导体装置2安装于安装基板并施加电压时，能够通过第二电极层51遮蔽在与第二电极层51电连接的焊盘等导体和第一电极层31之间产生的电力线中沿半导体基板11的长度方向绕入的电力线的一部分，因此能够抑制导体损耗。
[0118]
优选距离l8为5μm以上且20μm以下。
[0119]
在第二电极层51与第一电极层的宽幅部33之间设置有规定的距离l
11
。
[0120]
优选距离l
11
为长度方向上的半导体装置1的长度的0％以上且10％以下。
[0121]
距离l
11
越短，通过第一电极层31遮蔽在第二电极层51与半导体基板11之间产生的电力线的效果越大。若距离l
11
超过半导体基板的长度的10％，则在第二电极层51和第一电极层31对置的部分中从半导体基板11的第二端面11d侧的端部51d到宽幅部33的区域中产生无法遮蔽在第二电极层51与半导体基板11之间产生的电力线的区域，有时无法充分抑制导体损耗。
[0122]
图16是进一步说明图15所示的电路层的状况的俯视图。
[0123]
如图16所示，第一电极层31具有与第二电极层51对置的第一对置部31a、和不与第二电极层51对置的第一非对置部31b。
[0124]
宽度方向上的第一非对置部31b的最大长度(在图16中，双向箭头w5所示的长度)比宽度方向上的第一对置部31a的最大长度(图16中，双向箭头w4所示的长度)长。此外，第二电极层51的形状是宽度方向上的长度为恒定的大致矩形形状，因此第二电极层51的宽度方向上的最大长度(在图16中，双向箭头w6所示的长度)与第二电极层51的宽度方向上的平均长度相等。
[0125]
若宽度方向上的第一非对置部的最大长度w5比宽度方向上的第一对置部的最大长度w4长，则通过第一非对置部遮蔽在第二电极层与半导体基板之间产生的电力线的效果
提高，能够抑制导体损耗。
[0126]
此外，宽度方向上的第一对置部31a的最大长度与宽度方向上的窄幅部32的最大长度对应，宽度方向上的第一非对置部31b的最大长度与宽度方向上的宽幅部33的最大长度对应。
[0127]
第一电极层31的窄幅部32的一部分是与第二电极层51对置的第一对置部31a。
[0128]
第一电极层31的窄幅部32的不与第一对置部31a相当的部分和宽幅部33的全部是不与第二电极层51对置的第一非对置部31b。
[0129]
优选宽度方向上的第二电极层51的平均长度w6比第一对置部31a的最大长度w4长。另外，优选宽度方向上的第二电极层51的平均长度w6比宽度方向上的第一非对置部31b的最大长度w5短。
[0130]
图17是进一步说明图15所示的电路层的状况的俯视图。
[0131]
如图17所示，第二电极层51具有与第一电极层31对置的第二对置部51a、和不与第一电极层31对置的第二非对置部51b。
[0132]
若第二电极层51具有不与第一电极层31对置的第二非对置部51b，则能够通过第二电极层51的第二非对置部51b遮蔽在与第二电极层51电连接的焊盘等导体和第一电极层31之间产生的电力线，能够抑制导体损耗。
[0133]
具备本发明的半导体装置的第一实施方式的特征和第二实施方式的特征双方的半导体装置也作为本发明的半导体装置优选。在图18以及图19中分别示出构成具备本发明的半导体装置的第一实施方式的特征和第二实施方式的特征双方的半导体装置的电路层的一个例子。
[0134]
图18是表示半导体装置的另一个例子的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。
[0135]
在图18所示的半导体装置3中，设置为第一电极层35和第二电极层51在半导体基板12的第一主面12a上对置。半导体基板12的区域被分为比第二电极层51与第一电极层35对置的第二对置部51a的第二端面12d侧的端部51d靠近半导体基板12的第二端面12d侧的区域即第二电极层非形成区域12g和第二电极层非形成区域以外的区域12h。
[0136]
在图18中，第一电极层35所占的面积占第二电极层非形成区域12g的比例p1比图15大，为80％以上且100％以下(在图18中约82％)。另外，第一电极层35的面积占第二电极层非形成区域以外的区域12h的比例成为5％以上且60％以下(在图18中约16％)。
[0137]
并且，如图18所示，第一电极层35中不与第二电极层51对置的区域(第一非对置部)的宽度方向上的最大长度w8比第一电极层35与第二电极层51对置的区域(第一对置部)的宽度方向上的最大长度w7长。另外，宽度方向上的第二电极层51的最大长度w9比第一对置部的宽度方向上的最大长度w7长。
[0138]
图19是表示半导体装置的又一个例子的半导体基板、第一电极层以及第二电极层的位置关系的俯视图。
[0139]
图19也是示意性地表示俯视观察形成于半导体基板13的第一主面13a上的电路层时的半导体基板13、第一电极层36以及第二电极层52的形状以及位置关系的图。
[0140]
在图19所示的半导体装置4中，设置为第一电极层36和第二电极层52在半导体基板13的第一主面13a上对置。半导体基板13的区域被分为比第二电极层52与第一电极层36
对置的第二对置部52a的第二端面13d侧的端部52d靠近半导体基板13的第二端面13d侧的区域即第二电极层非形成区域13g和第二电极层非形成区域以外的区域13h。
[0141]
在图19中，第一电极层36所占的面积占第二电极层非形成区域13g的比例p1比图15大，为80％以上且100％以下(在图19中约96％)。另外，第一电极层36的面积占第二电极层非形成区域以外的区域13h的比例成为5％以上且60％以下(在图19中约6％)。
[0142]
并且，如图19所示，第一电极层36中不与第二电极层52对置的区域(第一非对置部)的宽度方向上的最大长度w
11
比第一电极层36中与第二电极层52对置的区域(第一对置部)的宽度方向上的最大长度w
10
长。另外，宽度方向上的第二电极层52的最大长度w
12
比第一对置部的宽度方向上的最大长度w
10
长。
[0143]
另外，对本发明的半导体装置的优选的方式进行说明。
[0144]
此外，在不区别本发明的半导体装置的第一实施方式和本发明的半导体装置的第二实施方式的情况下，也仅称为本发明的半导体装置。
[0145]
另外，将本发明的半导体装置的第一实施方式的优选的方式和本发明的半导体装置的第二实施方式的优选的方式适当地组合而成的结构也作为本发明的半导体装置优选。
[0146]
在本发明的半导体装置中，优选第一电极层的面积占第二电极层非形成区域的比例p1比第一电极层的面积占第二电极层非形成区域以外的区域的比例p2大。
[0147]
优选第一电极层的面积占第二电极层非形成区域以外的区域的比例p2为5％以上且60％以下。
[0148]
若比例p2小于5％，则第一电极层和第二电极层对置的面积过少，有时无法确保充分的静电电容。另一方面，在比例p2超过60％的情况下，有时第二电极层无法充分遮蔽在与第二电极层电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线。
[0149]
第二电极层的面积中的第二非对置部所占的面积的比例优选为50％以上且90％以下。在与第二电极层电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线能够由第二非对置部遮蔽。因此，若第二电极层的面积中的第二非对置部所占的面积的比例为50％以下，则无法充分遮蔽上述电力线，有可能导体损耗增加。另一方面，若第二电极层的面积中的第二非对置部所占的面积的比例超过90％，则第二对置部的面积变得过少，有可能静电电容降低。
[0150]
第一非对置部的面积占第一电极层的比例优选为50％以上且90％以下。第一非对置部是第一电极层中不与第二电极层对置的部分，因此第一非对置部能够遮蔽在第二电极层与半导体基板之间产生的电力线，抑制导体损耗。因此，若第一非对置部的面积占第一电极层的比例为上述范围，则能够抑制导体损耗。
[0151]
在本发明的半导体装置中，优选俯视观察电路层时的宽度方向上的第二电极层的最大长度比宽度方向上的第一对置部的平均长度长。
[0152]
优选宽度方向上的第一对置部的平均长度相对于宽度方向上的第二电极层的最大长度的比例为70％以上且90％以下。
[0153]
若上述比例为70％以上且90％以下，则在将半导体装置安装于安装基板并施加电压的情况下，能够维持由第二电极层遮蔽在与第二电极层连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线中的沿半导体基板的宽度方向绕入的电力线的效果，并且确保充分的静电电容。
[0154]
在上述比例小于70％的情况下，存在半导体装置无法确保充分的静电电容的情况。另一方面，在上述比例超过90％的情况下，存在第二电极层无法充分遮蔽在与第二电极层电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线的绕入的情况。
[0155]
在本发明的半导体装置中，在俯视观察电路层时，优选从半导体基板的第一端面到第一电极层的最短距离比从第一端面到第二电极层的最短距离长。
[0156]
优选宽度方向上的第一对置部的长度为半导体基板的宽度的20％以上且40％以下。
[0157]
优选宽度方向上的第一非对置部的长度为半导体基板的宽度的80％以上且100％以下。
[0158]
优选宽度方向上的第二电极层的长度为半导体基板的宽度的50％以上且70％以下。
[0159]
在本发明的半导体装置中，第一电极层以及第二电极层的形状没有特别限定，列举出三角形、四边形、五边形等多边形以及圆、椭圆等圆以及将这些多个组合而成的形状等。
[0160]
作为第一电极层的形状，优选为组合两个大致矩形而成的形状。作为第二电极层的形状，优选为大致矩形。
[0161]
作为组合两个大致矩形而成的形状，列举出宽度相对较宽的大致矩形和宽度相对较窄的大致矩形沿着半导体基板的长度方向连续的大致t字形状。构成大致t字形状的两个大致矩形也可以长边相互大致正交。例如，长边沿长度方向延伸的第一大致矩形和长边沿长度方向延伸的第二大致矩形在长度方向上连续的形状、长边沿宽度方向延伸的第一大致矩形和长边沿宽度方向延伸的第二大致矩形在长度方向上连续的形状、长边沿长度方向延伸的第一大致矩形和长边沿宽度方向延伸的第二大致矩形在长度方向上连续的形状只要半导体基板的宽度方向上的大致矩形的长度彼此不同，则相当于大致t字形状。
[0162]
作为第一电极层以及第二电极层的形状的组合，优选第一电极层是大致t字形状，第二电极层是单一的大致矩形。
[0163]
在第一电极层是大致t字形状的情况下，优选配置第一电极层和第二电极层，使得宽度方向的长度相对较小的大致矩形(窄幅部)的至少一部分与第二电极层对置，并且宽度方向的长度相对较大的大致矩形(宽幅部)不与第二电极层对置。
[0164]
优选俯视观察电路层时的、基于第二外部电极的外形尺寸的面积比基于第二电极层的外形尺寸的面积小。若基于第二外部电极的外形尺寸的面积比基于第二电极层的外形尺寸的面积小，则在与第二外部电极电连接的焊盘等导体和第一电极层之间产生的电力线的绕入变少，容易通过第二电极层遮蔽电力线。
[0165]
此外，俯视观察电路层时的第二外部电极的外形尺寸是基于在厚度方向上投影第二外部电极时的外形形状的尺寸。
[0166]
以下，对构成本发明的半导体装置的各结构进行说明。
[0167]
作为构成半导体基板的材料，列举出硅、砷化镓、玻璃等。
[0168]
优选半导体基板的电阻率为103ωcm以上且108ωcm以下。
[0169]
若半导体基板的电阻率为103ωcm以上，则能够进一步抑制导体损耗。
[0170]
半导体基板的外形尺寸没有特别限定，但优选长度为200μm以上且600μm以下，厚
度为100μm以上且250μm以下，宽度为100μm以上且300μm以下。
[0171]
作为构成第一电极层的材料，列举出cu、ag、au、al、ni、cr、ti等金属或者包含这些金属的导电体。
[0172]
另外，第一金属层也可以具有由上述的材料构成的两层以上的导电体层。
[0173]
第一电极层的厚度没有特别限定，但优选为0.3μm以上且10μm以下，更优选为0.5μm以上且3μm以下。
[0174]
作为构成电介质层的材料，列举出sio、al2o3、hfo2、ta2o5、zro2等氧化物、si3n4等氮化物等具有介电性或者绝缘性的材料。
[0175]
电介质层的厚度没有特别限定，但优选为0.02μm以上且2μm以下。
[0176]
作为构成第二电极层的材料，能够优选使用与构成第一电极层的材料相同的材料。
[0177]
第二电极层的厚度没有特别限定，但优选为0.3μm以上且10μm以下，更优选为0.5μm以上且5μm以下。
[0178]
作为构成第一外部电极以及第二外部电极的材料，列举出cu、al等。
[0179]
也可以在第一外部电极以及第二外部电极的最表面形成有镀覆层。
[0180]
作为镀覆层，列举出镀au层、镀sn层等。
[0181]
构成第一外部电极的材料和构成第二外部电极的材料可以彼此相同，也可以不同。
[0182]
本发明的半导体装置也可以在半导体基板的第一主面与第一电极层之间设置有绝缘层。
[0183]
若在半导体基板的第一主面与第一电极层之间设置有绝缘层，则能够进一步抑制基板的导体损耗。
[0184]
作为构成绝缘层的材料，列举出氧化铝等。
[0185]
绝缘层的厚度没有特别限定，但优选为0.5μm以上且3μm以下。
[0186]
本发明的半导体装置也可以在电介质层上以及第二电极层上的一部分形成有用于保护电介质层以及/或者第二电极层免受水分的影响的保护层。
[0187]
作为构成保护层的材料，列举出聚酰亚胺树脂、氧化硅等。
[0188]
保护层的厚度没有特别限定，但优选为1μm以上且20μm以下。
[0189]
电路层整体的厚度优选为30μm以上且70μm以下。
[0190]
[半导体装置的制造方法]
[0191]
本发明的半导体装置例如能够通过在半导体基板的表面利用光刻法等依次形成构成电路层的第一电极层、电介质层、第二电极层、第一外部电极以及第二外部电极的方法来制造。此时，形成第一电极层具有与第二电极层对置的第一对置部以及不与第二电极层对置的第一非对置部，第二电极层具有与第一电极层对置的第二对置部以及不与第一电极层对置的第二非对置部的形状。
[0192]
并且，将第一外部电极配置在比第二外部电极靠近半导体基板的第二端面侧，将第一电极层的重心配置在比第二电极层的重心靠近半导体基板的第二端面侧，在此基础上，将第一电极层的面积占比第二电极层的第二端面侧的端部靠近第二端面侧的区域的比例设为80％以上且100％以下，从而能够制造本发明的半导体装置的第一实施方式。
[0193]
另一方面，通过使宽度方向上的第一非对置部的最大长度比第一对置部的平均长度长，从而能够制造本发明的半导体装置的第二实施方式。
[0194]
[模块]
[0195]
本发明的模块的特征在于，具备：本发明的半导体装置、与上述第一外部电极电连接的第一焊盘、与上述第二外部电极电连接的第二焊盘。
[0196]
本发明的模块具备本发明的半导体装置，因此导体损耗小。
[0197]
图20是示意性地表示本发明的模块的一个例子的剖视图。
[0198]
如图20所示，模块100具备：半导体装置1、与半导体装置1的第一外部电极70电连接的第一焊盘120、与半导体装置1的第二外部电极80电连接的第二焊盘130。第一外部电极70和第一焊盘120、以及第二外部电极80和第二焊盘130相互由焊料140连接。第一焊盘120以及第二焊盘130固定于安装基板110上。因此，在模块100中，半导体装置1经由第一焊盘120以及第二焊盘130安装于安装基板110。
[0199]
在本发明的模块中，优选在第一焊盘与第二焊盘之间施加交流电流。
[0200]
每当电极间的电位更换时产生电力线。因此，在第一焊盘与第二焊盘之间施加交流电流的情况下，导体损耗容易变大。本发明的模块具备本发明的半导体装置，因此适合于在第一焊盘与第二焊盘之间施加交流电流那样的导体损耗容易变大的条件下的使用。
[0201]
附图标记说明
[0202]
1、2、3、4
…
半导体装置；10、11、12、13
…
半导体基板；10a、11a、12a、13a
…
第一主面；10b、11b
…
第二主面；10c
…
第一端面；10d、11d、12d、13d
…
第二端面；10e、11e
…
第一侧面；10f、11f
…
第二侧面；10g、12g、13g
…
第二电极层非形成区域；10h、12h、13h
…
第二电极层非形成区域以外的区域；20、21
…
绝缘层；30、31、35、36
…
第一电极层；30a、31a
…
第一对置部；30b、31b
…
第一非对置部；32
…
第一电极层的窄幅部；33
…
第一电极层的宽幅部；40、41
…
电介质层；50、51、52
…
第二电极层；50a、51a、52a
…
第二对置部；50b
…
第二非对置部；50d、51d、52d
…
第二电极层的第二端面侧的端部；60、61
…
保护层；70、71
…
第一外部电极；80、81
…
第二外部电极；90、91
…
电路层；100
…
模块；110
…
安装基板；120
…
第一焊盘；130
…
第二焊盘；140
…
焊料；e
…
电力线；g3…
第一电极层的重心；g5…
第二电极层的重心；l1、l6…
长度方向上的从第一端面到第一电极层的最短距离；l2、l7…
长度方向上的从第一端面到第二电极层的最短距离；l3、l8…
长度方向上的从第一电极层的第一端面侧的端部到第二电极层的第一端面侧的端部的距离；l4、l9…
长度方向上的第二对置部的长度；l5、l
10
…
长度方向上的第二电极层的长度；l
11
…
长度方向上的第一电极层的宽幅部与第二电极层的最短距离；w1、w4、w7、w
10
…
宽度方向上的第一对置部的最大长度；w
1a
…
宽度方向上的第一对置部的平均长度；w2、w5、w8、w
11
…
宽度方向上的第一非对置部的最大长度；w3、w6、w9、w
12
…
宽度方向上的第二电极层的最大长度；1
’…
半导体装置；10
’…
半导体基板；10a
’…
第一主面；10b
’…
第二主面；10c
’…
第一端面；10d
’…
第二端面；10e
’…
第一侧面；10f
’…
第二侧面；10g
’…
第二电极层非形成区域；10h
’…
第二电极层非形成区域以外的区域；20
’…
绝缘层；30
’…
第一电极层；40
’…
电介质层；50
’…
第二电极层；50d
’…
第二电极层的第二端面侧的端部；60
’…
保护层；80
’…
第二外部电极；90
’…
电路层；w1’…
宽度方向上的第一对置部的最大长度；w2’…
宽度方向上的第一非对置部的最大长度；w3’…
宽度方向上的第二电极层的最大长度；l1’…
长度方向上的从第一端面到第一电极层的最短距离；l2’…
长度方向上的从第一端面
到第二电极层的最短距离。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：半导体基板，具有在厚度方向上相对的第一主面及第二主面、在与所述厚度方向正交的长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与所述厚度方向及所述长度方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；和电路层，设置于所述半导体基板的所述第一主面，所述半导体装置的特征在于，所述电路层具备：设置于所述半导体基板侧的第一电极层；设置在所述第一电极层上的电介质层；设置在所述电介质层上的第二电极层；与所述第一电极层电连接且在所述电路层的与所述半导体基板相反侧的表面引出的第一外部电极；以及与所述第二电极层电连接且在所述电路层的与所述半导体基板相反侧的表面引出的第二外部电极，在俯视观察所述电路层时，所述第一电极层具有在所述厚度方向上与所述第二电极层对置的第一对置部、和不与所述第二电极层对置的第一非对置部，所述第二电极层具有在所述厚度方向上与所述第一电极层对置的第二对置部、和不与所述第一电极层对置的第二非对置部，所述第一外部电极配置在比所述第二外部电极靠近所述半导体基板的所述第二端面侧，所述第一电极层的重心配置在比所述第二电极层的重心靠近所述第二端面侧，所述第一电极层的面积占第二电极层非形成区域的比例p1为80％以上且100％以下，所述第二电极层非形成区域是所述半导体基板的区域中的比所述第二对置部的所述第二端面侧的端部靠近所述第二端面侧的区域。2.一种半导体装置，具备：半导体基板，具有在厚度方向上相对的第一主面及第二主面、在与所述厚度方向正交的长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与所述厚度方向及所述长度方向正交的宽度方向上相对的第一侧面及第二侧面；和电路层，设置于所述半导体基板的所述第一主面，所述半导体装置的特征在于，所述电路层具备：设置于所述半导体基板侧的第一电极层；设置在所述第一电极层上的电介质层；设置在所述电介质层上的第二电极层；与所述第一电极层电连接且在所述电路层的与所述半导体基板相反侧的表面引出的第一外部电极；以及与所述第二电极层电连接且在所述电路层的与所述半导体基板相反侧的表面引出的第二外部电极，在俯视观察所述电路层时，所述第一电极层具有在所述厚度方向上与所述第二电极层对置的第一对置部、和不与所述第二电极层对置的第一非对置部，所述第二电极层具有在所述厚度方向上与所述第一电极层对置的第二对置部、和不与所述第一电极层对置的第二非对置部，所述宽度方向上的所述第一非对置部的最大长度比所述宽度方向上的所述第一对置部的平均长度长。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在俯视观察所述电路层时，所述第一外部电极配置在比所述第二外部电极靠近所述半导体基板的所述第二端面侧，所述第一电极层的重心配置在比所述第二电极层的重心靠近所述第二端面侧，所述第一电极层的面积占第二电极层非形成区域的比例p1为80％以上且100％以下，所述第二电极层非形成区域是所述半导体基板的区域中的比所述第二对置部的所述第二端面侧的端部靠近所述第二端面侧的区域。4.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中，在俯视观察所述电路层时，所述面积的比例p1比所述第一电极层的面积占所述半导体基板的区域中的所述第二电极层非形成区域以外的区域的比例p2大。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述p2为5％以上且60％以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，俯视观察所述电路层时的所述宽度方向上的所述第一非对置部的最大长度比所述宽度方向上的所述第一对置部的最大长度长。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，俯视观察所述电路层时的所述宽度方向上的所述第一非对置部的平均长度比所述宽度方向上的所述第二电极层的最大长度长。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，俯视观察所述电路层时的所述宽度方向上的所述第二电极层的最大长度比所述宽度方向上的所述第一对置部的平均长度长。9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，在俯视观察所述电路层时，所述长度方向上的从所述半导体基板的所述第一端面到所述第一电极层的最短距离比从所述半导体基板的所述第一端面到所述第二电极层的最短距离长。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，在俯视观察所述电路层时，所述第一电极层的形状是具有宽度相对较窄的窄幅部和宽度相对较宽的宽幅部的形状，所述第二电极层的形状是大致矩形形状，所述窄幅部的至少一部分是所述第一对置部。11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，在所述半导体基板的所述第一主面与所述第一电极层之间设置有绝缘层。12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体基板的电阻率为103ωcm以上。13.一种模块，其特征在于，具备：权利要求1～12中任一项所记载的半导体装置；与所述第一外部电极电连接的第一焊盘；以及与所述第二外部电极电连接的第二焊盘。14.根据权利要求13所述的模块，其中，在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加交流电流。

技术总结

本发明涉及一种半导体装置，具备设置于半导体基板的第一主面的电路层，上述电路层具备第一电极层、电介质层、第二电极层、第一外部电极以及第二外部电极，在俯视观察上述电路层时，上述第一电极层具有在厚度方向上与上述第二电极层对置的第一对置部、和不与上述第二电极层对置的第一非对置部，上述第二电极层具有与上述第一电极层对置的第二对置部、和不与上述第一电极层对置的第二非对置部，上述第一外部电极配置在比上述第二外部电极靠近上述半导体基板的第二端面侧，上述第一电极层的重心配置在比上述第二电极层的重心靠近上述第二端面侧，上述第一电极层的面积占第二电极层非形成区域的比例P1为80％以上且100％以下，上述第二电极层非形成区域是上述半导体基板的区域中的比上述第二对置部的上述第二端面侧的端部靠近上述第二端面侧的区域。的端部靠近上述第二端面侧的区域。的端部靠近上述第二端面侧的区域。