提升光学邻近效应修正处理效率的方法与流程

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1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法。

背景技术：

2.opc(光学邻近效应修正)在修图过程中，常需要对某种特定的error marker(错误标记图形)所highlight(高亮)的版图进行修改。一般的，error marker的数量可能达到成百或上千，并可能包含不同种版图图形的类型。目前，常以layout window或者clip方式提取1～3个error marker区域的版图，进行recipe(菜单)的修改。修改完成后，计算版图全图，以确定上述recipe的修改是否将error marker所标示的问题全部清除。
3.然而，当error marker所highlight的部分，其图形特征不一致时，对特定选取的error marker部分图形所修改的recipe，可能无法将error marker所标示的问题全部清除。此时，需要再次选取特定error marker，对应地修改recipe，在全版图重新计算。上述过程可能反复多次。全版图的计算会耗费大量时间。
4.例如，图1示出了版图计算区域压缩示意图，原版图101中的版图图形及错误标记图形102；图2示出了在原版图中选取计算区域103。
5.因此，需要一种能够快速计算所有error marker附近版图的方法，以提高opc修改recipe的效率。

技术实现要素：

6.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法，用于解决现有技术中当error marker所highlight的部分，其图形特征不一致时，对特定选取的error marker部分图形所修改的recipe，可能无法将error marker所标示的问题全部清除，此时，需要再次选取特定error marker，对应地修改recipe，在全版图重新计算，上述过程可能反复多次，全版图的计算会耗费大量时间的问题。
7.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法包括：
8.步骤一、提供原始版图，获取所述原始版图中的错误标记图形；
9.步骤二、形成覆盖每个所述错误标记图形的第一区域图形，所述第一区域图形为覆盖每个所述错误标记图图形的区域，所述第一区域图形与所述错误标记图形间的位置差小于或等于第一设计值；
10.步骤三、放大所述第一区域图形至第二设计值，用以形成由一个或多个放大后的所述第一区域图形组成的第二区域图形；
11.步骤四、形成覆盖所述第二区域图形的第三区域图形，所述第三区域图形与所述第二区域图形的位置差小于或等于第三设计值；为能覆盖所述第二图形面积最小的矩形区
域；
12.步骤五、以所述第三区域图形作为计算区域，修改recipe至所述计算区域中的所述错误标记图形去除。
13.优选地，步骤一中以layout window或者clip的方法提取所述版图中的所述错误标记图形。
14.优选地，步骤一中的部分所述错误标记图形的形状不一致。
15.优选地，步骤四中的所述第三矩形至少覆盖一种形状的所述错误标记图形。
16.优选地，步骤二中所述第一矩形为能覆盖所述错误标记图形面积最小的矩形区域。
17.优选地，步骤三中以所述第一矩形的中心点放大所述第一矩形至第二设计值。
18.优选地，步骤三中所述第二区域图形的每条边距所述第一区域图形的距离均为所述第二设计值。
19.优选地，步骤三中所述第二设计值为8至12纳米。
20.优选地，步骤四中所述第三区域图形为能覆盖所述第二区域图形面积最小的矩形区域。
21.优选地，所述第一至三区域图形的形状均为矩形。
22.如上所述，本发明的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，具有以下有益效果：
23.本发明在所有错误标记图形标示区域附近生成版图计算区域，在修改recipe时，仅在上述版图计算区域进行计算。这样，既大大提升了opc的运算速度，又能够全面准确地清除所有错误标记图形所标示的版图处问题。
附图说明
24.图1显示为现有技术的版图计算区域压缩示意图；
25.图2显示为现有技术的在原版图中选取计算区域示意图；
26.图3显示为本发明的进行图形压缩后需计算的区域示意图；
27.图4显示为本发明的获取原始版图中的错误标记图形示意图；
28.图5显示为本发明的原highlight marker生成最小矩形区域所得到的压缩区域示意图；
29.图6显示为本发明的将图5中矩形区域向四周扩展10um所生成的压缩区域示意图；
30.图7显示为本发明的生成的最小recipe检测矩形区域；
31.图8显示为本发明的提升光学邻近效应修正处理效率的方法示意图。
具体实施方式
32.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
33.请参阅图8，本发明提供一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法包括：
34.步骤一，提供原始版图101，获取如图4所示的原始版图101中的错误标记图形102；
35.在本发明的实施方式中，步骤一中以layout window或者clip的方法提取版图中的错误标记图形102。
36.在本发明的实施方式中，步骤一中的部分错误标记图形102的形状不一致，对特定选取的错误标记图形102部分图形所修改的recipe，可能无法将错误标记图形102所标示的问题全部清除。此时，需要再次选取特定错误标记图形102，对应地修改recipe，在全版图重新计算。上述过程可能反复多次。全版图的计算会耗费大量时间。
37.步骤二，请参阅图5，形成覆盖每个错误标记图形102的第一区域图形105，第一区域图形105为覆盖每个错误标记图图形的区域，第一区域图形105与错误标记图形102间的位置差小于或等于第一设计值；
38.在本发明的实施方式中，步骤二中第一矩形为能覆盖错误标记图形102面积最小的矩形区域，即第一设计值为零。
39.步骤三，请参阅图6，放大第一区域图形105至第二设计值，用以形成由一个或多个放大后的第一区域图形105组成的第二区域图形104；
40.在本发明的实施方式中，步骤三中以第一矩形的中心点放大第一矩形至第二设计值。
41.在本发明的实施方式中，步骤三中第二区域图形104的每条边距第一区域图形105的距离均为第二设计值。
42.在本发明的实施方式中，步骤三中第二设计值为8至12纳米，步骤三中第二区域图形104的每条边距第一区域图形105的距离均为8至12纳米，其优选为10纳米。
43.步骤四，请参阅图7，形成覆盖第二区域图形104的第三区域图形103，第三区域图形103与第二区域图形104的位置差小于或等于第三设计值；为能覆盖第二图形面积最小的矩形区域；
44.在本发明的实施方式中，步骤四中的第三矩形至少覆盖一种形状的错误标记图形102，其能够覆盖多种类型的错误标记图形102，从而对特定选取的错误标记图形102部分图形所修改的recipe，能够将错误标记图形102所标示的问题全部清除。
45.在本发明的实施方式中，步骤四中第三区域图形103为能覆盖第二区域图形104面积最小的矩形区域，即第三设计值为零。
46.步骤五，请参阅图3，以第三区域图形103作为计算区域，修改recipe至计算区域中的错误标记图形102去除。
47.在本发明的实施方式中，第一至三区域图形的形状均为矩形。
48.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
49.综上所述，本发明在所有错误标记图形标示区域附近生成版图计算区域，在修改recipe时，仅在上述版图计算区域进行计算。这样，既大大提升了opc的运算速度，又能够全面准确地清除所有错误标记图形所标示的版图处问题。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
50.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟
悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

技术特征：

1.一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供原始版图，获取所述原始版图中的错误标记图形；步骤二、形成覆盖每个所述错误标记图形的第一区域图形，所述第一区域图形为覆盖每个所述错误标记图图形的区域，所述第一区域图形与所述错误标记图形间的位置差小于或等于第一设计值；步骤三、放大所述第一区域图形至第二设计值，用以形成由一个或多个放大后的所述第一区域图形组成的第二区域图形；步骤四、形成覆盖所述第二区域图形的第三区域图形，所述第三区域图形与所述第二区域图形的位置差小于或等于第三设计值；为能覆盖所述第二图形面积最小的矩形区域；步骤五、以所述第三区域图形作为计算区域，修改recipe至所述计算区域中的所述错误标记图形去除。2.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤一中以layout window或者clip的方法提取所述版图中的所述错误标记图形。3.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤一中的部分所述错误标记图形的形状不一致。4.根据权利要求3所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤四中的所述第三矩形至少覆盖一种形状的所述错误标记图形。5.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤二中所述第一矩形为能覆盖所述错误标记图形面积最小的矩形区域。6.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤三中以所述第一矩形的中心点放大所述第一矩形至第二设计值。7.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤三中所述第二区域图形的每条边距所述第一区域图形的距离均为所述第二设计值。8.根据权利要求7所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤三中所述第二设计值为8至12纳米。9.根据权利要求1所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：步骤四中所述第三区域图形为能覆盖所述第二区域图形面积最小的矩形区域。10.根据权利要求1至9任一项所述的提升光学邻近效应修正处理效率的方法，其特征在于：所述第一至三区域图形的形状均为矩形。

技术总结

本发明提供一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法，提供原始版图，获取原始版图中的错误标记图形；形成覆盖每个错误标记图形的第一区域图形，第一区域图形为覆盖每个错误标记图图形的区域，第一区域图形与错误标记图形间的位置差小于或等于第一设计值；放大第一区域图形至第二设计值；形成覆盖第二区域图形的第三区域图形，第三区域图形与第二区域图形的位置差小于或等于第三设计值；为能覆盖第二图形面积最小的矩形区域；以第三区域图形作为计算区域，修改recipe至计算区域中的错误标记图形去除。本发明提升了OPC的运算速度，又能够全面准确地清除所有错误标记图形所标示的版图处问题。处问题。处问题。