基于所指示温度操作存储器阵列的制作方法

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基于所指示温度操作存储器阵列
1.交叉引用
2.本专利申请要求由勃姆(boehm)等人于2021年2月19日提交的标题为“基于所指示温度操作存储器阵列(operating a memory array based on an indicated temperature)”的第17/180,503号美国专利申请以及boehm等人于2020年3月23日提交的标题为“基于所指示温度操作存储器阵列(operating a memory array based on an indicated temperature)”的第62/993,483号美国临时专利申的权益，每个申请均转让给本受让人，并且每个申请以全文引用的方式明确地并入本文中。

背景技术：

3.下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体地说，涉及基于所指示温度操作存储器阵列。
4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为不同状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以编程为两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0标示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持多于两种状态，所述状态中的任一种可以被存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一种所存储状态。为了存储信息，组件可以写入存储器装置中的状态或对所述状态进行编程。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存储逻辑状态。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失所存储状态。
附图说明
6.图1示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的系统的实例。
7.图2示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的存储器裸片的实例。
8.图3示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的操作环境的实例。
9.图4示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的过程流程的实例。
10.图5示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的存储器装置的框图。
11.图6示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的主
机装置的框图。
12.图7和8示出了示出根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
13.存储器装置和主机装置(例如，使用存储器装置来存储信息的装置)可包含于与存储器相关的系统中。在一些情况下，系统(或一或多个子系统组件)可部署于温度范围较大—例如温度范围介于-40℃至125℃—的极端环境中。在一些情况下，在极端环境中操作的存储器装置可能无法在整个温度范围内满足用于操作存储器装置的一或多个阈值(“操作阈值”)，例如错误率阈值或功耗阈值；例如当温度接近温度范围的下限或上限时，存储器装置可能无法满足操作阈值。在一些实例中，为了确定存储器装置在部署于极端环境中时是否会满足一或多个操作阈值，制造商可在整个温度范围内测试每个存储器装置并且舍弃在整个温度范围内不满足一或多个操作阈值的一或多个存储器装置。舍弃此存储器装置可能会增加针对极端环境制造的存储器装置的成本。
14.为了避免浪费并减少成本，同时还确保增加数量的存储器装置在于极端环境中操作时会满足一或多个操作阈值，存储器装置(或存储器系统)可基于存储器装置的温度而修改其操作。为了支持对存储器系统的操作的基于温度的修改，可向主机装置指示存储器装置的一或多个温度，并且可基于存储器装置的一或多个温度而修改存储器装置和主机装置中的一者或两者的操作。在一些实例中，存储器装置可经配置以延迟存储器装置处的对用于存取存储器阵列的命令(或“存取命令”)的处理，或可使用用于存取存储器阵列的经修改参数(或“存取参数”)，直到存储器装置的温度已达到阈值(在本文中也被称为温度阈值)。主机装置可经配置以延迟将存取命令发送到存储器装置，直到存储器装置的温度已达到温度阈值。因此，通过基于存储器装置的温度修改存储器系统的操作，存储器系统(或一或多个存储器系统的子组件)可确保存储器装置会满足一或多个操作阈值—即使存储器装置未能在整个温度范围内满足一或多个操作阈值也是如此。
15.本公开的特征初始地在如参考图1和2所描述的存储器系统和存储器裸片的上下文中进行描述。在如参考图3和4所描述的图式和过程流程的上下文中描述本公开的特征。通过如参考图5到8所描述的与基于所指示温度操作存储器阵列有关的设备图和流程图进一步示出本公开的这些和其它特征且参考所述设备图和流程图进一步描述本公开的这些和其它特征。
16.图1示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及耦合主机装置105与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但一或多个存储器装置110的各方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中进行描述。
17.系统100可包含例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统等电子装置的部分。例如，系统100可示出计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器等的方面。存储器装置110可以是可用以存储系统100的一或多个其它组件的数据的系统组件。
18.系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为使用存储器执行
过程的装置内(例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理单元(gpu)、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器或某一其它固定或便携式电子装置内)的处理器或其它电路系统的实例，以及其它实例。在一些实例中，主机装置105可指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称为主机装置或主机装置105。
19.存储器装置110可为可用以提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可经配置以与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可用以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种形状因数、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。在一些情况下，存储器装置110可使用动态随机存取存储器(dram)技术、铁电随机存取技术(feram)、相变存储器(pcm)技术或某一其它存储器技术来存储数据。
20.存储器装置110可用以存储主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应且执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多者。
21.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器等其它组件中的一或多者。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
22.处理器125可用以针对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或另一可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可为中央处理单元(cpu)、gpu、通用gpu(gpgpu)或芯片上系统(soc)的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或作为所述处理器的一部分。
23.bios组件130可以是包含用作固件的bios的软件组件，其可初始化并运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各个组件之间的数据流。bios组件130可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多者中的程序或软件。
24.在一些实例中，系统100或主机装置105可以包含各种外围组件。外围组件可为可集成到系统100或主机装置105中或与之集成的任何输入装置或输出装置或用于此类装置的接口(例如，总线、一或多个引脚)。实例可包含以下中的一或多个：磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口，或外围卡槽，例如外围组件互连(pci)或专用图形端口。外围组件可为本领域普通技术人员理解为外围设备的其它组件。
25.在一些实例中，系统100或主机装置105可包含i/o控制器。i/o控制器可管理处理器125与外围组件、输入装置或输出装置之间的数据通信。i/o控制器可以管理未集成到系统100或主机装置105中或与之集成的外围设备。在一些实例中，i/o控制器可以表示到外部外围组件的物理连接或端口。
26.在一些实例中，系统100或主机装置105可包含输入组件、输出组件或这两者。输入组件可表示系统100外部的装置或信号，其将信息、信号或数据提供到系统100或其组件。在一些实例中，输入组件可包含用户接口或与其它装置的接口或在其它装置之间的接口。在一些实例中，输入组件可为经由一或多个外围组件与系统100介接的外围设备，或可由i/o控制器管理。输出组件可表示系统100外部的装置或信号，其可用以接收来自系统100或其任何组件的输出。输出组件的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、印刷电路板上的另一处理器等。在一些实例中，输出可为经由一或多个外围组件与系统100介接的外围设备，或可由i/o控制器管理。
27.存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或指定容量。每个存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-n)，以及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个存储体、一或多个拼片、一或多个区段)，其中每个存储器单元可用以存储至少一个位的数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可被称为多裸片存储器或多裸片封装，或者多芯片存储器或多芯片封装。
28.装置存储器控制器155可包含可用以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行各种操作且可用以接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息的硬件、固件或指令。装置存储器控制器155可用以与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
29.在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或这两者。例如，存储器装置110可接收指示存储器装置110要存储用于主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110要将存储于存储器裸片160中的数据提供到主机装置105的读取命令。
30.本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160的本地)可用以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可用以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文中所描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165或外部存储器控制器120。因此，本地存储器控制器165可用以与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165，或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含：用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器，用于(例如，向外部存储器控制器120)传输信号的传输器，用于解码或解调接收到的信号的解码器，用于编码或调制待传输信号的编码器，或可用以支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。
31.外部存储器控制器120可用以启用系统100或主机装置105(例如，处理器125)的组件与存储器装置110之间信息、数据或命令中的一或多者的传送。外部存储器控制器120可对主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信进行转换或翻译。在一些实例中，
外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件或本文中所描述的其功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可以是由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其一些组合。虽然将外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的其功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，或反之亦然。
32.主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可用以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每个信道115可为在主机装置105与存储器装置之间携载信息的传输媒体的实例。每个信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可为可用以携载信号的导电路径的实例。例如，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含主机装置105处的一或多个引脚或衬垫和存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可用以充当信道的部分。
33.信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。例如，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，信令可使用单数据速率(sdr)信令或双数据速率(ddr)信令通过信道115传送。在sdr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿或下降沿上的)每个时钟循环登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在ddr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上的)每个时钟循环登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
34.在一些实例中，ca信道186可用以在主机装置105与存储器装置110之间传送命令，包含与所述命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。例如，ca信道186可包含具有所要数据的地址的读取命令。在一些实例中，ca信道186可包含用以解码地址或命令数据中的一或多者的任何数量的信号路径(例如，八个或九个信号路径)。
35.在一些实例中，数据信道190可用以在主机装置105与存储器装置110之间传送数据或控制信息中的一或多者。例如，数据信道190可(例如，双向)传送待写入到存储器装置110的信息或从存储器装置110读取的信息。
36.系统100可部署于温度范围较大—例如温度范围介于-40℃至125℃—的环境中。在与较大温度范围相关联的环境中操作可能会影响存储器装置110的性能、功能或这两者。例如，在温度处于较大温度范围的下限或上限的环境中操作可能会增加(1)与将数据写入到存储器装置110、将数据存储在所述存储器装置处以及从所述存储器装置读取数据相关联的错误数量；(2)与存取存储于存储器装置110中的数据相关联的持续时间；(3)存储器装置110的功耗；或其任意组合。
37.在一些情况下，由温度引起的对存储器装置110的功能的影响可能会导致存储器装置110的错误率、定时或功耗的任何组合超过一或多个操作阈值。在一些情况下，一或多个操作阈值可与存储器装置110的制造商播发的指示关于存储器装置的操作的详细信息的规范相关联。例如，制造商可规定，在部署于领域中时，存储器装置110将以低于错误率阈值的错误率处理数据；在持续时间阈值内存取存储器单元(例如，从其读取或对其写入)；并使用低于功率阈值的功率量。在一些实例中，一或多个操作阈值可与用户设定的参数相关联。
例如，用户可约束(期望)存储器装置110，以满足在部署于领域中时用户请求的一或多个操作阈值。在一些情况下，由制造商播发的一或多个操作阈值可匹配或超过用户请求的一或多个操作阈值。
38.在一些情况下，系统100可部署在与较大温度范围相关联的领域或行业(例如，工业或汽车应用)中。例如，系统100可在具有较低温度(例如，《-30℃)和/或较高温度(例如，》115℃)的环境中操作。在一些情况下，如果存储器装置110在启动时经历相对较低的操作温度(例如，《-30℃)，则存储器装置110可能会在功能性降低的情况下操作，并且可能无法满足为存储器装置110播发的操作阈值(例如，定时、功率和/或可靠性阈值)—例如为存储器装置110起草的一组制造商规范中播发的操作阈值。例如，可降低存储器装置110捕捉数据和/或保留数据的能力，这可导致存储器装置110的错误率超过所播发的可靠性阈值。用于存取存储器装置110中的存储器单元(例如，从其读取或对其写入)的定时可增加，这可导致用于存取存储器装置110的持续时间超过所播发的定时阈值。并且存储器装置110的功耗可能增加—例如当存储器装置是高性能互补金属氧化物半导体(cmos)装置时—这可能导致存储器装置110的功耗超过所播发的功率阈值。类似地，如果存储器装置在启动时经历相对较高的操作温度(例如，》115℃)，则存储器装置110可能会在功能性降低的情况下操作，并且可能无法满足为存储器装置110播发的定时、功率和/或可靠性条件。
39.为了确保存储器装置110将满足一或多个操作阈值，制造商可在存储器装置110在部署于领域中时可能经历的温度范围(例如，-40℃至125℃)内测试每个存储器装置110。在测试期间，制造商可确定每个存储器装置110的操作是否能够在整个温度范围内满足一或多个操作阈值。在一些实例中，制造商可舍弃在整个温度内不满足一或多个操作阈值的存储器装置110。然而，部署在较大温度范围(例如，-40℃至125℃)内满足所播发条件的存储器装置可能会导致大量存储器装置被舍弃，从而增加与制造此类存储器装置相关联的成本。替代地，部署未能在较大温度范围的极值处满足所播发条件的存储器装置可能会导致存储器装置的操作不满足所播发规范，这可导致使用存储器装置的装置的操作故障。当存储器装置实施于特定领域中时，此类故障可能会导致关键故障(例如，安全故障)。
40.为了避免浪费并减少成本，同时还确保当在极端环境中操作时增加数量的存储器装置110满足所指示操作阈值，可向主机装置105指示存储器装置110的温度并将其用于修改系统100的操作。通过向主机装置105指示存储器装置110的温度，存储器系统可确保存储器装置110将满足一或多个操作阈值—即使存储器装置110未能在整个温度范围内满足一或多个操作阈值也是如此。
41.在一些实例中，存储器装置110可经配置以忽略或延迟对存储器命令的处理，直到存储器装置110的温度超过温度阈值。类似地，主机装置105可经配置以延迟存储器命令的传输，直到已接收到存储器装置110的温度已超过温度阈值的指示。在一些实例中，与用于操作存储器装置110的输入(例如，输入电压、定时等)相关联的不同参数(“输入参数”)可在存储器装置110的温度低于温度阈值时使用，而非在存储器装置110的温度高于温度阈值时使用—例如存储器装置110可调整电压参数、定时参数或这两者。类似地，主机装置105可经配置以在存储器装置110的温度低于或高于温度阈值时使用不同输入参数。在一些情况下，温度阈值可经选择为对应于存储器装置110满足为存储器装置110建立的一或多个操作阈值的温度。
42.在一些实例中，为了缩短与达到温度阈值相关联的时段，存储器装置110可经配置以在存储器装置110的温度低于温度阈值时执行刷新操作。类似地，主机装置105可经配置以在存储器装置110的温度低于温度阈值时将一或多个刷新命令发送到存储器装置110。
43.为了支持向主机装置105指示存储器装置110的温度，存储器装置110可包含：温度传感器，其经配置以测量存储器装置110(或存储器装置110中包含的存储器阵列)的温度；以及可调谐逻辑组件，其经配置以将温度传感器的输出与温度阈值进行比较。在一些情况下，可调谐逻辑组件的输出提供到主机装置105可直接存取的引脚。在一些情况下，存储器装置110还可包含模式寄存器，其经配置以存储可调谐逻辑组件的输出且可由主机装置105读取。
44.图2示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器单元205，其可各自可编程以存储不同逻辑状态(例如，经编程为一组两个或更多个可能的状态中的一者)。例如，存储器单元205可用以每次存储一位的信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多层级存储器单元)可用以每次存储多于一位的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，如参考图1所描述的存储器阵列170。
45.存储器单元205可在电容器中存储表示可编程状态的电荷。dram架构可包含电容器，所述电容器包含电介质材料以存储表示可编程状态的电荷。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件是可能的。例如，可采用非线性电介质材料。存储器单元205可包含例如电容器230和开关组件235的逻辑存储组件。电容器230可以是电介质电容器或铁电电容器的实例。电容器230的节点可与电压源240耦合，所述电压源可为单元板参考电压，例如vpl，或可为接地，例如vss。
46.存储器裸片200可包含以例如网格状图案的图案布置的一或多个存取线(例如，一或多个字线210和一或多个数字线215)。存取线可为与存储器单元205耦合的导电线，并且可用于对存储器单元205执行存取操作。在一些实例中，字线210可被称为行线。在一些实例中，数字线215可被称为列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线等的引用可在不影响理解或操作的情况下互换。存储器单元205可定位在字线210与数字线215的相交部处。
47.可通过激活或选择例如字线210或数字线215中的一或多者的存取线来对存储器单元205执行例如读取和写入操作等操作。通过对字线210和数字线215施加偏压(例如，将电压施加到字线210或数字线215)，可存取其相交部处的单个存储器单元205。在二维或三维配置中的字线210和数字线215的相交部可被称为存储器单元205的地址。
48.可通过行解码器220或列解码器225控制对存储器单元205的存取。例如，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址且基于接收到的行地址来激活字线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址，并且可基于接收到的列地址而激活数字线215。
49.可通过使用字线210激活或去激活开关组件235来实现选择或取消选择存储器单元205。电容器230可使用开关组件235与数字线215耦合。例如，当去激活开关组件235时，电
容器230可与数字线215隔离，并且当激活开关组件235时，电容器230可与数字线215耦合。
50.感测组件245可用以检测存储在存储器单元205的电容器230上的状态(例如，电荷)且基于所存储状态而确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件245可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换因存取存储器单元205而产生的信号。感测组件245可将从存储器单元205检测到的信号与参考250(例如，参考电压)进行比较。存储器单元205的检测到的逻辑状态可作为感测组件245的输出提供(例如，到输入/输出255)，且可向包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件指示检测到的逻辑状态。
51.本地存储器控制器260可通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件245)控制对存储器单元205的存取。本地存储器控制器260可以是参考图1描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225和感测组件245中的一或多者可与本地存储器控制器260并置。本地存储器控制器260可用以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多者，将命令或数据(或这两者)翻译为可由存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，且基于执行所述一或多个操作将数据从存储器裸片200传送到主机装置105。本地存储器控制器260可生成行信号和列地址信号以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可生成并控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文中所论述的所施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可变化，且对于在操作存储器裸片200时所论述的各种操作来说可能不同。
52.本地存储器控制器260可用以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器260响应于(例如，来自主机装置105的)各种存取命令而执行或以其它方式进行协调。本地存储器控制器260可用以执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作有关的不与存取存储器单元205直接相关的其它操作。
53.本地存储器控制器260可用以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器单元205可经编程以存储所要逻辑状态。本地存储器控制器260可标识将对其执行写入操作的目标存储器单元205。
54.本地存储器控制器260可用以对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可以确定存储在存储器裸片200的存储器单元205中的逻辑状态。本地存储器控制器260可标识将对其执行读取操作的目标存储器单元205。
55.在一些情况下，存储器裸片200可部署于温度范围较大—例如温度范围介于-40℃至125℃—的极端环境中。在一些情况下，在极端环境中操作的存储器裸片200可能无法在整个温度范围内满足用于存储器裸片200的一或多个操作阈值，例如错误率阈值或功耗阈值。在一些实例中，为了确定存储器裸片200在部署于极端环境中时是否会满足一或多个操作阈值，制造商可在整个温度范围内测试存储器裸片200，并且在存储器裸片200在整个温度范围内不满足一或多个操作阈值的情况下舍弃存储器裸片200。舍弃此类存储器裸片可
增加在此类领域中使用的存储器裸片的成本。
56.为了避免浪费并减少成本，同时还确保增加数量的存储器裸片200在于极端环境中操作时会满足一或多个操作阈值，存储器系统可基于存储器裸片200的温度而修改其操作。为了支持存储器系统的经修改操作，可向主机装置指示存储器裸片200的温度，并且可基于存储器裸片200的温度而修改存储器裸片200和主机装置中的一者或两者的操作。在一些实例中，存储器裸片200可经配置以延迟存储器裸片200处的对用于存取存储器阵列的命令(或“存取命令”)的处理，或可使用用于存取存储器阵列的经修改参数(或“存取参数”)，直到存储器裸片200的温度已达到温度阈值。类似地，主机装置可经配置以延迟将存取命令发送到存储器裸片200，直到存储器裸片200的温度已达到温度阈值。因此，通过基于存储器裸片200的温度修改存储器系统的操作，存储器系统可确保存储器裸片200将满足一或多个操作阈值—即使存储器裸片200未能在整个温度范围内满足一或多个操作阈值也是如此。
57.图3示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的操作环境301的实例。应理解，操作环境301仅为一个说明性实例，并且许多实施方案(包含其它特定系统、电路和拓扑结构)在遵守本文中所公开的原理和技术的同时是可能的，如本领域的技术人员应了解。
58.操作环境301可包含系统300和外部组件315。在一些情况下，操作环境301可表示包含于载具(例如，陆地、航空或航海载具)中的电子系统。在一些情况下，操作环境301可部署于范围温度较大的极端环境中。
59.系统300可以是如参考图1所描述的系统100的实例。在一些情况下，系统300的各方面安装于载具的特定电子系统中(例如，安装于自主驾驶组件或载具显示单元内)。系统300可包含主机装置305和存储器装置310。
60.主机装置305可以是如参考图1所描述的主机装置105的实例。主机装置305可经配置以起始存储器装置处的数据存储—例如对于在主机装置305或与主机装置305耦合的另一装置处执行的用户应用。主机装置305还可经配置以存取存储于存储器装置处的数据—例如对于用户应用。在一些情况下，主机装置305可向存储器装置310发送用于存取储存于存储器装置310处(例如，存储于存储器阵列350中)的数据的命令(或“存取命令”)。在一些实例中，主机装置305可通过将写入命令发送到存储器装置310而将数据存储于存储器阵列350中，且通过将读取命令发送到存储器装置310而存取存储于存储器阵列350中的数据。
61.存储器装置310可以是如参考图1和2所描述的存储器装置110和存储器裸片200的实例。存储器装置310可经配置以为装置存储数据并根据请求向装置提供数据—例如在从例如主机装置305的装置接收到对数据的请求之后。在一些情况下，存储器装置310可包含温度传感器325、可调谐逻辑组件330、模式寄存器335、参考组件340、一或多个存储器组件345和存储器阵列350。
62.温度传感器325可经配置以测量存储器装置310(或存储器阵列350)的温度。温度传感器325可进一步经配置以将信号(例如，实时信号)提供到可调谐逻辑组件330，所述信号可向可调谐逻辑组件330指示存储器装置310(或存储器阵列350)的一或多个温度。在一些实例中，温度传感器325可与存储器阵列350并置(例如，位于存储器阵列350内、邻近于所述存储器阵列或位于所述存储器阵列之上)。在一些情况下，温度传感器325可以是cmos温度传感器且可在较大温度范围(例如，-50℃至135℃)内操作。在一些情况下，温度传感器
325可输出具有表示存储器装置310(或存储器阵列350)的温度的电压的信号—例如温度传感器325的电压范围(例如，0v至1.5v)可(例如，使用一对一映射)映射到温度传感器325的可测量温度范围(例如，-50℃至135℃)。
63.可调谐逻辑组件330可经配置以将温度传感器325指示的温度与阈值温度进行比较。在一些情况下，可调谐逻辑组件330可进一步经配置以在存储器装置310的温度低于或高于一或多个温度阈值时向主机装置305提供指示。在一些情况下，可调谐逻辑组件可通过将从温度传感器325接收到的信号的电压与表示阈值电压的电压进行比较来比较存储器装置310(或存储器阵列350)的温度。在一些情况下，可调谐逻辑组件330从参考组件340接收表示阈值电压的电压。
64.可调谐逻辑组件330可输出表示存储器装置310(或存储器阵列350)的温度的信号。在一些实例中，可调谐逻辑组件330输出实时信号，其指示存储器装置的温度何时低于或高于一或多个温度阈值。在一些实例中，可调谐逻辑组件330传输存储器装置310的温度已超过一或多个阈值的指示—例如可调谐逻辑组件330可在存储器装置310的温度超过第一阈值时向模式寄存器335传输指示。
65.可调逻辑组件330可以是单层级或多层级跳变点比较器，并且可以从参考组件340接收表示一或多个温度阈值的一或多个电压。在一些情况下，可调谐逻辑组件330用信号表示不同的电压输出以指示存储器装置310的温度已超过多个温度阈值中的哪一者—例如第一电压电平可指示温度低于所有温度阈值，第二电压电平可指示温度高于第一阈值，第三电压电平可指示温度高于第二阈值等。类似地，可调谐逻辑组件330可经配置以向模式寄存器335发送不同的数据组合—例如二进制状态“00”可指示温度低于所有温度阈值，二进制状态“01”可指示温度高于第一阈值等。
66.可调谐逻辑组件330还可经配置以基于从温度传感器325接收到的一或多个信号而标识存储器装置310(或存储器阵列350)的温度的变化率。例如，可调谐逻辑组件330可经配置以接收存储器装置310的温度的两个或更多个指示，并且通过确定温度变化相对于一或多个持续时间的一或多个差异而确定存储器装置的一或多个变化率。
67.模式寄存器335可经配置以存储与存储器装置310的温度有关的信息。在一些情况下，模式寄存器335可经配置以在从可调谐逻辑组件330接收到存储器装置的温度已超过温度阈值的指示之后，存储存储器装置310的温度高于一或多个阈值的指示。在一些实例中，模式寄存器335可以是锁存器。在一些情况下，可由主机装置305(例如，周期性地)轮询模式寄存器335。在一些实例中，模式寄存器335可为温度固化的，并且可经配置以相较于存储器装置310在较大温度范围(例如，从-50℃至135℃)内操作。
68.参考组件340可经配置以向可调谐逻辑组件330指示一或多个温度阈值。在一些情况下，参考组件340可经配置以输出表示一或多个温度阈值的一或多个电压。在一些实例中，参考组件340用来输出特定温度的电压等于温度传感器325用来输出特定温度的电压—例如以允许直接比较参考组件340和温度传感器325输出的电压。在一些实例中，可根据(例如，由制造商规范或标准设定的)预定值在参考组件340处编程一或多个温度阈值。可通过验证(例如，硅酮验证)或测试获取预定值。在此类实例中，一或多个温度阈值可基于(例如，与设计id或工艺批次有关的)个别或组测试。在一些情况下，一或多个温度可存储在位于存储器装置310处的熔断器存储体中。在一些实例中，一或多个温度阈值可为固定或可变
的。
69.在一些实例中，参考组件340可(例如，在启动过程期间)从主机装置305或与系统300有关的任何其它组件接收一或多个温度阈值(或对一或多个温度阈值的调整)。在一些实例中，参考组件340可包含于可调谐逻辑组件330内。
70.存储器组件345可经配置以执行支持存储器装置310的操作的功能。在一些情况下，存储器组件345可包含电力供应器、逻辑电路系统和/或存储器控制器。在一些实例中，存储器组件345与存储器装置310中的其它组件(例如，存储器阵列350)热耦合。
71.存储器阵列350可经配置以存储数据。在一些情况下，存储器阵列350可包含存储器单元—例如dram单元、feram单元、pcm单元等。在一些实例中，可根据由存储器装置310的存储器控制器执行的读取或写入操作来存取包含于存储器阵列350中的存储器单元。
72.外部组件315可以是加热器、电池、gpu、芯片上系统(soc)或可能紧密接近系统300的任何其它外部组件。在一些情况下，外部组件可热耦合到系统300。
73.如本文中所论述，舍弃无法在整个温度范围内满足所指示操作阈值的存储器装置可能会增加部署于极端环境中的存储器装置的成本。替代地，部署无法在整个温度范围内满足所指示操作阈值的存储器装置可能会在操作期间导致关键故障。
74.为了避免浪费并减少成本，同时确保部署于温度范围较大的环境中的存储器装置的可靠性，以及其它优点，存储器装置可经配置以延迟存储器操作，直到存储器装置的温度已达到存储器装置可在所播发的操作阈值内操作的温度。在一些实例中，存储器装置可经配置以在受限操作模式下操作，直到存储器装置的温度已达到存储器装置可在所播发的操作阈值内操作的温度。
75.在一些实例中，在接收到初始化系统300的信号(例如，功率信号)之后，温度传感器325可将实时温度读数提供到可调谐逻辑组件330。可调谐逻辑组件330可将温度读数与(例如，由参考组件340提供的)温度阈值进行比较。在一些实例中，当从温度传感器325读出的温度低于阈值时，存储器装置310可忽略(或缓冲)从主机装置305接收到的任何存取命令，直到存储器装置310(或存储器阵列350)的温度达到温度阈值。
76.在一些情况下，基于接收到功率信号，存储器阵列350可执行一或多个刷新操作，直到存储器装置310的温度达到温度阈值。执行刷新操作可包含执行用于感测来自存储器阵列350的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列350的一系列操作。在一些情况下，刷新操作被称为“虚拟”刷新操作并且在存储器阵列350存储不确定数据时执行—即存储于存储器阵列350中的数据在存储器装置310被初始化时可能是未知的。在一些实例中，存储器阵列350基于接收到用以执行所接收刷新操作(“刷新命令”)的一或多个命令而执行刷新操作。在其它实例中，存储器阵列350响应于接收到功率信号而对其自身执行刷新操作。通过在初始化时和在存储器装置310的温度低于阈值时执行刷新操作，存储器装置310的内部温度可升高，同时存储器阵列350存储不确定数据，因此，不会将错误引入到存储于存储器阵列350处的数据中。
77.在一些情况下，一旦从温度传感器325读出的温度达到温度阈值，可调谐逻辑组件330就可指示存储器装置310的温度已达到温度阈值。在一些情况下，可调谐逻辑组件330可通过改变提供到主机装置305的信号的电压来指示温度—例如可调谐逻辑组件可将信号从低压转变为高压，或反之亦然。另外或替代地，可调谐逻辑组件330可将存储器装置310的温
度已超过阈值的指示传输到模式寄存器335。在一些情况下，可调谐逻辑组件330可将多电平信号发送到主机装置305，和/或将多位信号发送到模式寄存器335。模式寄存器335可存储存储器装置310的温度已超过阈值的指示。
78.在可调谐逻辑组件330指示存储器装置310的温度已超过温度阈值之后，主机装置305可确定存储器装置310的温度已超过温度阈值。在一些实例中，主机装置305可基于检测到从可调谐逻辑组件330提供的信号的变化而确定存储器装置310的温度已超过温度阈值。在其它实例中，主机装置305可通过轮询模式寄存器335—通过读取存储于模式寄存器335中的数据一或多次—来确定存储器装置310的温度已超过温度阈值。
79.在一些实例中，存储器组件345可基于系统300接收到的功率信号而初始化。在一些情况下，存储器装置310的温度可至少部分地基于存储器组件345的操作而升高。并且，在一些实例中，外部组件315可与系统300同时初始化，并且存储器装置310的温度可至少部分地基于外部组件315的操作—例如由于外部组件315与系统300之间的热耦合—而升高。
80.图4示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的过程流程401的实例。过程流程401可示出用于向系统400内的主机装置405指示存储器装置410的温度的过程。系统400可以是如参考图1和3所描述的系统100和系统300的实例。主机装置405可以是如参考图1和3所描述的主机装置105和主机装置305的实例。存储器装置410可以是如参考图1到3所描述的存储器装置110、存储器裸片200和存储器装置310的实例。
81.在一些情况下，在执行框415处所描述的操作之前，可执行测试过程以确定存储器装置410是否能够在整个温度范围(例如，-40℃至125℃)内满足一或多个操作阈值。在一些实例中，测试过程可确定存储器装置410能够在温度范围的缩小部分(例如，-30℃至115℃或-30℃至125℃)内满足一或多个操作阈值—例如当对存储器装置410应用第一输入参数集合时。在一些实例中，测试过程可标识对应于温度范围的一部分的一或多个温度阈值—例如温度阈值可等于-30℃和/或另一温度阈值可等于115℃。
82.在一些实例中，当使用第二输入参数集合时，测试过程可确定存储器装置410能够在温度范围的较大部分(例如，-37℃至122℃或整个温度范围)内满足一或多个操作阈值。在一些情况下，第二输入参数集合可与相对于第一输入参数集合的较大输入电压、延长的定时持续时间和/或增加的功耗相关联。在一些实例中，测试过程可标识对应于温度范围的较大部分的一或多个额外温度阈值—例如温度阈值可等于-37℃和/或另一温度阈值可等于122℃。
83.在一些情况下，在测试过程中确定的一或多个温度阈值可经编程到存储器装置410中—例如温度阈值可存储于参考组件(例如，图3的参考组件340)、可调谐逻辑组件(例如，图3的可调谐逻辑组件330)中包含的非易失性锁存器中，和/或存储于存储器装置410中包含的熔断器中。
84.在框415处，主机装置405和存储器装置410可接收初始化信号。在一些情况下，初始化信号可以是使得主机装置405和存储器装置410从关闭状态转变到开启状态的功率信号。在一些情况下，当存储器装置410处于关闭状态时，先前存储于一或多个存储器单元中的数据可能会丢失或降级(例如，在存储器单元为易失性的情况下)。因此，存储器单元的逻辑状态可能会在关闭状态期间变得不确定，并且存储器装置410可能无法在返回到开启状态之后精确地确定先前存储于存储器单元中的数据。因此，当存储器装置410转变到开启状
态时，可能不使用先前存储于存储器装置410中的数据。
85.在框420处，主机装置405可基于接收到初始化信号而标识用于存取存储器装置410中包含的存储器阵列(例如，图3的存储器阵列350)的一或多个命令。在一些情况下，一或多个命令可被称为存取命令，并且一或多个命令可以是读取或写入命令。
86.在框425处，主机装置405可基于存储器装置410(或存储器阵列350)的温度而延迟向存储器装置410传输一或多个存取命令。在一些情况下，主机装置405可避免传输一或多个存取命令，直到从存储器装置410接收到指示存储器装置410的温度已满足温度阈值的指示。在一些实例中，主机装置405接收从可调谐逻辑组件330接收到的信号中的指示—例如基于监测与主机装置405耦合的引脚。在一些实例中，主机装置405基于发送用以读取存储器装置410中包含的模式寄存器(例如，图3的模式寄存器335)的请求而接收所述指示。
87.在其它实例中，主机装置405可在存储器装置410的温度尚未满足温度阈值时将一或多个存取命令传输到存储器装置410。在一些情况下，存储器装置410可忽略或缓冲一或多个所传输存取命令，直到存储器装置410(或存储器阵列350)的温度达到温度阈值。
88.在框430处，存储器装置410处的温度传感器(例如，图3的温度传感器325)可基于接收到初始化信号而测量存储器装置410(或存储器阵列350)的温度。在一些情况下，温度传感器325可输出对应于测得温度的电压。在其它情况下，温度传感器325可输出包括对应于测得温度的二进制值的数据包。
89.在框435处，存储器装置410处的可调谐逻辑组件330可确定存储器装置410(或存储器阵列350)的温度不满足温度阈值—例如基于将温度传感器325测得的存储器装置410的内部温度与阈值进行比较。在一些情况下，可调谐逻辑组件330确定存储器装置410的温度低于较低温度阈值。在其它情况下，可调谐逻辑组件330确定存储器装置410的温度高于较高温度阈值。可根据制造商标准或规范或以如本文中所描述的任何额外方式确定温度阈值。在一些情况下，存储器装置410可在存储器装置410的温度低于温度阈值时避免存取存储器阵列350。在其它情况下，存储器装置410可基于确定存储器装置410的温度不满足温度阈值而使用第一存取参数集合来存取存储器阵列350。
90.在箭头440处，存储器装置410可提供存储器装置410的内部温度尚未达到温度阈值的指示。在一些情况下，主机装置405可基于监测可调谐逻辑组件330的输出而接收指示。在其它情况下，主机装置405可通过发送用以读取存储器装置410处的模式寄存器335的请求而接收所述指示。在接收到请求之后，存储器装置410可将存储于模式寄存器335中的数据传输到主机装置405。在一些情况下，当存储器装置410的温度未达到温度阈值时，存储器装置410可避免处理(例如，忽略或缓冲)从主机装置405接收到的命令。
91.在框445处，主机装置405可基于接收到存储器装置410的温度未达到温度阈值的指示而确定将使用第一参数集合来存取存储器装置410。在一些实例中，主机装置405可确定将使用与延长的持续时间相关联的增加的电压和定时参数。
92.在箭头450处，主机装置405可基于确定存储器装置的温度低于温度阈值而将用于存储器阵列350的一或多个刷新命令传输到存储器装置410。在一些实例中，主机装置405可在传输用于存储器阵列350的任何存取命令之前和存储器阵列350存储不确定数据时传输刷新命令—例如以避免损坏存储器阵列350中的数据。在一些情况下，代替发送刷新命令，主机装置405可传输虚拟存取命令—例如存储器装置410输出的对应数据被主机装置405忽
略的情况下的携载随机数据的写入命令或读取命令。
93.在框455处，存储器装置410可执行一或多个刷新操作(或虚拟存取操作)。执行刷新操作可包含执行用以感测逻辑状态且将逻辑状态写回到一或多个存储器单元的一系列操作，这可能会增加从存储器装置410的温度传感器325读出的内部温度。在一些情况下，存储器装置410基于从主机装置405接收到一或多个刷新命令而执行一或多个刷新操作。在一些情况下，存储器装置410可基于从主机装置405接收到单个刷新命令而执行刷新操作，直到存储器装置的温度满足温度阈值。在一些情况下，存储器装置410可在确定存储器装置410的温度未达到温度阈值之后且未从主机装置405接收到刷新命令的情况下执行刷新操作。通过在于存储器阵列350处存储用于主机装置405的数据之前在存储器阵列350处执行一或多个刷新操作，可在不产生数据错误的情况下升高存储器装置410(或存储器阵列350)的温度。
94.在框460处，存储器装置410处的可调谐逻辑组件330可确定存储器装置410(或存储器阵列350)的温度满足温度阈值—例如基于将温度传感器325测得的存储器装置410的内部温度与阈值进行比较。可根据制造商标准或规范或以如本文中所描述的任何额外方式确定温度阈值。在一些情况下，存储器装置410的温度可基于接收到初始化信号和/或执行刷新操作而超过温度阈值。也就是说，在接收到初始化信号之后，存储器装置410处的一或多个存储器组件可被激活并由于被激活而生成热量。类似地，与主机装置405和存储器装置410热耦合的一或多个组件(例如，电池、加热器等外部组件)可被激活并生成热量。在一些情况下，可在满足温度阈值之后停用可调谐逻辑组件330的输出。
95.在一些情况下，存储器装置410可基于确定存储器装置410的温度高于温度阈值而使用不同于在框435处所使用的第一存取参数集合的第二存取参数集合来存取存储器阵列350。在一些情况下，第一存取参数集合可等于用于存储器装置410的所播发存取参数集合。在一些情况下，存储器装置410可在确定存储器装置410的温度已满足阈值之后开始处理从主机装置405接收到(例如，当前或先前存储于缓冲器中)的命令。
96.在一些情况下，可在存储器装置410处配置多个阈值。在一些实例中，第一温度阈值可与第一温度相关联，第二温度阈值可与第二温度相关联等。在一些情况下，第一温度阈值可基于存储器装置410的第一温度水平，其中当针对存储器装置410使用第一输入(或存取)参数集合时，存储器装置410的操作符合与存储器阵列相关联的第一组规范。第二温度阈值可基于存储器装置410的第二温度水平，其中当针对存储器装置410使用第二输入(或存取)参数集合时，存储器装置410的操作符合与存储器阵列相关联的第一组(或不同组)规范。在一些情况下，第二输入参数集合可对应于针对存储器装置410播发的输入和/或存取参数。
97.在箭头465处，存储器装置410可提供存储器装置410的内部温度已满足阈值温度的指示。在一些情况下，主机装置405可基于监测可调谐逻辑组件330的输出—例如基于检测到从存储器装置410的引脚接收到的信号从低压到高压的转变—来接收指示，或反之亦然。在其它情况下，存储器装置410可通过发送用以读取模式寄存器335的请求而接收所述指示。在接收到请求之后，存储器装置410可将存储于模式寄存器335中的数据传输到主机装置405。
98.在框470处，主机装置405可基于接收到存储器装置410的温度已满足温度阈值的
指示而确定将使用第二输入参数集合来存取存储器装置410。在一些实例中，主机装置405可确定将使用与相对于在框445处描述的第一定时参数集合缩短的持续时间相关联的第二定时参数集合。
99.在箭头475处，主机装置405可基于确定存储器装置410的温度已满足阈值而将一或多个存取命令传输到存储器装置。在一些情况下，一或多个存取命令包含在框425处延迟的一或多个存取命令。在框480处，存储器装置410可处理从主机装置405接收到的一或多个存取命令。
100.在一些情况下，存储器装置410处的可调谐逻辑组件330可确定存储器装置410的温度已超过额外温度阈值。在一些情况下，存储器装置410可基于确定已超过额外温度阈值而使用不同存取参数集合来存取存储器阵列350。在其它情况下，存储器装置410可使用受限存取参数集合或基于超过额外温度阈值而避免存取存储器阵列350—例如在额外温度阈值与较高温度(例如，》115℃)相关联的情况下。
101.在一些情况下，存储器装置410处的可调谐逻辑组件330可确定存储器装置410(或存储器阵列350)的温度的变化率已满足一或多个阈值。在一些情况下，存储器装置410可使用不同的存取参数集合或基于超过阈值的变化率而避免存取存储器阵列350，如参考框430至箭头465类似地描述的。
102.图5示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的存储器装置505的框图500。存储器装置505可以是如参考图1到4所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置505可包含存储器装置温度感测组件510、存储器装置可调谐逻辑组件515、存储器装置操作组件520、存储器装置初始化组件525、存储器装置温度存储组件530和存储器装置刷新组件535。这些模块中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
103.存储器装置温度感测组件510可基于接收到信号而确定存储器组件的温度。
104.在一些实例中，存储器装置温度感测组件510可在向主机装置生成指示之前，基于所述确定而生成存储器组件的温度低于阈值的第二指示。
105.在一些实例中，存储器装置温度感测组件510可基于所述确定而生成存储器组件的温度已超过第二阈值的第二指示。
106.在一些实例中，存储器装置温度感测组件510可基于所述确定而生成与存储器组件的温度相关联的变化率已超过第二阈值的第二指示。
107.在一些实例中，存储器装置温度感测组件510可基于生成所述指示而将所述指示发送到主机装置或寄存器或这两者。在一些情况下，在存储器阵列处测量存储器组件的温度。
108.存储器装置可调谐逻辑组件515可基于所述确定而生成存储器组件的温度已超过阈值的指示。
109.在一些实例中，存储器装置可调谐逻辑组件515可将存储器组件的温度与阈值进行比较。
110.在一些实例中，存储器装置可调谐逻辑组件515可基于所述比较而确定存储器组件的温度已超过阈值，其中基于所述确定而生成指示。
111.在一些实例中，存储器装置可调谐逻辑组件515可将存储器组件的温度与第二阈
值进行比较。
112.在一些实例中，存储器装置可调谐逻辑组件515可基于所述比较而确定存储器组件的温度已超过第二阈值，其中基于所述确定而生成第二指示。
113.在一些实例中，存储器装置可调谐逻辑组件515可从主机装置接收阈值的第二指示，其中所述阈值基于第二温度水平，并且其中存储器组件的操作在使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
114.在一些情况下，所述阈值基于第二温度水平，其中存储器组件的操作在使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
115.存储器装置操作组件520可基于生成所述指示而处理从主机装置接收到的用于存取存储器阵列的命令。
116.在一些实例中，存储器装置操作组件520可基于生成所述第二指示而避免处理用于存取存储器阵列的第二命令。
117.在一些实例中，存储器装置操作组件520可基于生成所述指示而从主机装置接收用于存取存储器阵列的命令，其中所述命令是从主机装置接收到的初始命令。
118.在一些实例中，存储器装置操作组件520可在接收到命令和生成存储器组件的温度已超过阈值的指示之前，从主机装置接收第二命令。
119.在一些实例中，存储器装置操作组件520可至少基于存储器组件的温度低于阈值而避免处理第二命令。
120.在一些实例中，存储器装置操作组件520可在生成存储器组件的温度已超过阈值的指示之前，从主机装置接收命令。
121.在一些实例中，存储器装置操作组件520可延迟对命令的处理，直到生成存储器组件的温度已超过阈值的指示。
122.在一些实例中，存储器装置操作组件520可基于确定存储器组件的温度已超过阈值而使用用于操作存储器阵列的第一参数集合。
123.在一些实例中，存储器装置操作组件520可从主机装置接收读取所存储值的请求。
124.存储器装置初始化组件525可接收初始化包含存储器阵列的存储器组件的操作的信号。
125.在一些情况下，在基于存储器组件的操作而接收到初始化存储器组件的操作的信号之后，存储器组件的温度从第一温度升高，并且其中基于存储器组件的温度升高而生成所述指示。
126.在一些情况下，与存储器组件热耦合的一或多个组件基于第一信号而操作，并且其中存储器组件的温度在基于一或多个组件的操作而接收到信号之后从第一温度升高，并且其中基于存储器组件的温度升高而生成所述指示。
127.存储器装置温度存储组件530可基于所述生成而存储对应于存储器组件的温度已超过阈值的指示的值。
128.在一些实例中，存储器装置温度存储组件530可基于接收到请求而将所存储值发送到主机装置。
129.存储器装置刷新组件535可在生成存储器组件的温度已超过阈值的指示之前，在存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的一系列操作。
130.在一些实例中，存储器装置刷新组件535可在生成存储器组件的温度已超过阈值的指示之前，从主机装置接收第二命令以在存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的操作。
131.图6示出了根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的主机装置605的框图600。主机装置605可以是如参考图1至4所描述的主机装置的各方面的实例。主机装置605可包含主机装置命令组件610、主机装置操作组件615、主机装置温度组件620和主机装置刷新组件625。这些模块中的每一者可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
132.主机装置命令组件610可标识用于存取存储器组件的存储器阵列的命令。
133.主机装置操作组件615可基于存储器组件的温度而延迟向存储器组件传输命令。
134.在一些实例中，主机装置操作组件615可基于确定存储器组件的温度已超过阈值而向存储器组件发送用于存取存储器组件的存储器阵列的初始命令。
135.在一些实例中，主机装置操作组件615可基于确定存储器组件的温度已超过第二阈值而配置用于操作存储器阵列的参数集合。
136.在一些实例中，主机装置操作组件615可将参数集合传输到存储器组件的存储器阵列。
137.在一些情况下，基于接收到存储器组件的温度低于阈值的第二指示而延迟向存储器组件传输命令。
138.主机装置温度组件620可基于所述指示而接收存储器组件的温度已超过阈值的指示。
139.在一些实例中，主机装置温度组件620可基于接收到所述指示而确定存储器组件的温度已超过阈值，其中基于所述确定而发送初始命令。
140.在一些实例中，主机装置温度组件620可接收存储器组件的温度已超过第二阈值的第二指示。
141.在一些实例中，主机装置温度组件620可基于第二指示而确定存储器组件的温度已超过第二阈值。
142.在一些实例中，主机装置温度组件620可在接收到存储器组件的温度已超过阈值的指示之前，接收存储器组件的温度低于阈值的第二指示。
143.在一些实例中，主机装置温度组件620可向存储器组件发送阈值的第二指示，其中阈值基于第二温度水平，其中存储器组件的操作在使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
144.在一些实例中，主机装置温度组件620可读取包含指示存储器组件的温度的值的寄存器，其中基于指示存储器组件的温度已超过阈值的值而发送初始命令。
145.主机装置刷新组件625可在接收到存储器组件的温度已超过阈值的指示之前传输第二命令，所述第二命令指示存储器组件在存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的一系列操作。
146.图7示出了示出根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的一或多种方法700的流程图。方法700的操作可以由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。例如，方法700的操作可以由如参考图5所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可以执行指令集合以控制存储器装置的功能元件，从而执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
147.在705处，存储器装置可接收初始化包含存储器阵列的存储器组件的操作的信号。可根据本文中所描述的方法来执行705的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存储器装置初始化组件执行705的操作的各方面。
148.在710处，存储器装置可基于接收到信号而确定存储器组件的温度。可根据本文中所描述的方法来执行710的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存储器装置温度感测组件执行710的操作的各方面。
149.在715处，存储器装置可基于确定而生成存储器组件的温度已超过阈值的指示。可根据本文中所描述的方法来执行715的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存储器装置可调谐逻辑组件执行715的操作的各方面。
150.在720处，存储器装置可基于生成指示而处理从主机装置接收到的用于存取存储器阵列的命令。可根据本文中所描述的方法来执行720的操作。在一些实例中，可由如参考图5所描述的存储器装置操作组件执行720的操作的各方面。
151.在一些实例中，如本文所描述的设备可以执行一或多种方法，例如方法700。所述设备可包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，用于：接收初始化包含存储器阵列的存储器组件的操作的信号；基于接收到信号而确定存储器组件的温度；基于确定而生成存储器组件的温度已超过阈值的指示；以及基于生成指示而处理从主机装置接收到的用于存取存储器阵列的命令。
152.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于在向主机装置生成指示之前，基于确定而生成存储器组件的温度可能低于阈值的第二指示。
153.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：基于确定而生成存储器组件的温度可能已超过第二阈值的第二指示；以及基于生成第二指示而避免处理用于存取存储器阵列的第二命令。
154.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于基于确定而生成与存储器组件的温度相关联的变化率可能已超过第二阈值的第二指示。
155.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于基于生成指示而向主机装置或寄存器或这两者发送指示。
156.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于基于生成指示而从主机装置接收用于存取存储器阵列的命令，其中命令可以是从主机装置接收到的初始命令。
157.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：在可能接收到命令和可能生成存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，从主机装置接收第二命令；以及至少基于存储器组件的温度低于阈值而避免处理第二命令。
158.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：在可能生成存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，从所述主机装置接收命令；以及延迟对命令的处理，直到可能生成存储器组件的温度可能已超过阈值的指示。
159.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于在可能生成存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，在存储器阵列可能存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的一系列操作。
160.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于在可能生成存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，从主机装置接收第二命令以在存储器阵列可能存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的操作。
161.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：将存储器组件的温度与阈值进行比较；基于比较而确定存储器组件的温度可能已超过阈值，其中可基于确定而生成指示；以及基于确定存储器组件的温度可能已超过阈值而使用用于操作存储器阵列的第一参数集合。
162.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：将存储器组件的温度与第二阈值进行比较；以及基于比较而确定存储器组件的温度可能已超过第二阈值，其中可基于确定而生成第二指示。
163.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，阈值可能基于第二温度水平，其中存储器组件的操作在可能使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
164.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于从主机装置接收阈值的第二指示，其中阈值可能基于第二温度水平，并且其中存储器组件的操作在可能使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
165.本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：基于生成而存储对应于存储器组件的温度可能已超过阈值的指示的值；从主机装置接收读取所存储值的请求；以及基于接收到请求而将所存储值发送到主机装置。
166.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，在可能基于存储器组件的操作而接收到初始化存储器组件的操作的信号之后，存储器组件的温度从第一温度升高，并且其中可基于存储器组件的温度升高而生成指示。
167.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，可能与存储器组件热耦合的一或多个组件可基于第一信号而操作，并且其中存储器组件的温度在可能基于一或多个组件的操作而接收到信号之后从第一温度升高，并且其中可基于存储器组件的温度升高而生成指示。
168.在本文中所描述的方法700和设备的一些实例中，可在存储器阵列处测量存储器组件的温度。
169.图8示出了示出根据如本文所公开的实例的支持基于所指示温度操作存储器阵列的一或多种方法800的流程图。方法800的操作可由如本文中所描述的主机装置或其组件实
施。例如，方法800的操作可由如参考图6所描述的主机装置执行。在一些实例中，主机装置可执行指令集合以控制主机装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，主机装置可使用专用硬件执行所描述的功能的各方面。
170.在805处，主机装置可标识用于存取存储器组件的存储器阵列的命令。可根据本文中所描述的方法来执行805的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的主机装置命令组件执行805的操作的各方面。
171.在810处，主机装置可基于存储器组件的温度而延迟向存储器组件传输命令。可根据本文中所描述的方法来执行810的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的主机装置操作组件执行810的操作的各方面。
172.在815处，主机装置可基于指示而接收存储器组件的温度已超过阈值的指示。可根据本文中所描述的方法来执行815的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的主机装置温度组件执行815的操作的各方面。
173.在820处，主机装置可基于确定存储器组件的温度已超过阈值而向存储器组件发送用于存取存储器组件的存储器阵列的初始命令。可根据本文中所描述的方法来执行820的操作。在一些实例中，可由如参考图6所描述的主机装置操作组件执行820的操作的各方面。
174.在一些实例中，如本文中所描述的设备可以执行一或多种方法，例如方法800。所述设备可包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)，用于：标识用于存取存储器组件的存储器阵列的命令；基于存储器组件的温度而延迟向存储器组件传输命令；基于指示而接收存储器组件的温度已超过阈值的指示；以及基于确定存储器组件的温度已超过阈值而向存储器组件发送用于存取存储器组件的存储器阵列的初始命令。
175.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于基于接收到指示而确定存储器组件的温度可能已超过阈值，其中可基于确定而发送初始命令。
176.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于：接收存储器组件的温度可能已超过第二阈值的第二指示；基于第二指示而确定存储器组件的温度可能已超过第二阈值；基于确定存储器组件的温度可能已超过第二阈值而配置用于操作存储器阵列的参数集合；以及将参数集合传输到存储器组件的存储器阵列。
177.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于在可能接收到存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，接收存储器组件的温度可能低于阈值的第二指示。
178.在本文中所描述的方法800和设备的一些实例中，可基于接收到存储器组件的温度可能低于阈值的第二指示而延迟向存储器组件传输命令。
179.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于在接收到存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前传输第二命令，所述第二命令指示存储器组件在存储器阵列可能存储不确定数据的同时执行用于感测来自存储器阵列的逻辑状态且将逻辑状态写回到存储器阵列的一系列操作。
180.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指
令，用于向存储器组件发送阈值的第二指示，其中阈值可能基于第二温度水平，其中存储器组件的操作在可能使用用于操作存储器组件的参数集合时符合与存储器阵列相关联的一组规范且存储器组件的温度达到第二温度。
181.本文中所描述的方法800和设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，用于读取包含指示存储器组件的温度的值的寄存器，其中可基于指示存储器组件的温度可能已超过阈值的值而发送初始命令。
182.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，并且操作和步骤可重新布置或以其它方式加以修改，并且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。
183.描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列；传感器，其经配置以感测设备的至少一部分的温度；组件，其与传感器耦合并且经配置以将传感器的输出与阈值进行比较并指示比较的结果；以及控制器，其与组件耦合并且经配置以基于传感器的输出大于阈值而接收并处理用于存取存储器阵列的命令。
184.所述设备的一些实例可包含寄存器，其与组件耦合并且经配置以存储比较的结果的指示，其中控制器可经配置以基于寄存器存储传感器的输出可能大于阈值的指示而处理命令。
185.所述设备的一些实例可包含第二组件，其经配置以向组件提供参考电压，其中组件可经配置以将传感器的输出与参考电压进行比较。
186.所述设备的一些实例可包含主机装置，其经配置以基于比较的结果的指示而向控制器发送命令。
187.所述设备的一些实例可包含第三组件，其可与存储器阵列热耦合。
188.在一些实例中，经配置以比较传感器的输出的组件包含跳变点比较器。
189.描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列；存储器控制器，其与存储器阵列耦合且可用以：基于接收到初始化设备的操作的信号而确定设备的至少一部分的温度；基于测量而生成设备的至少一部分的温度已超过阈值的指示；以及基于生成指示而处理从主机装置接收到的用于存取存储器阵列的命令。
190.一些实例可进一步包含在可能生成指示之前，基于测量而生成设备的温度可能低于阈值的第二指示。
191.一些实例可进一步包含基于生成指示而向主机装置或寄存器或这两者发送指示。
192.描述了一种设备。所述设备可包含存储器控制器，其可用以：基于存储器组件的温度而延迟向存储器组件传输命令；基于指示而接收存储器组件的温度已超过阈值的指示；以及基于确定存储器组件的温度已超过阈值而向存储器组件发送用于存取存储器组件的存储器阵列的初始命令。
193.一些实例可进一步包含在可能接收到存储器组件的温度可能已超过阈值的指示之前，接收存储器组件的温度可能低于阈值的第二指示。
194.一些实例可进一步包含：接收存储器组件的温度可能已超过第二阈值的第二指示；基于第二指示而确定存储器组件的温度可能已超过第二阈值；基于确定存储器组件的温度可能已超过第二阈值而配置用于操作存储器阵列的参数集合；以及将用于操作存储器阵列的参数集合传输到组件。
195.可以使用各种不同技艺和技术中的任一者来表示本文所描述的信息和信号。例如，可用电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。一些图式可以将信号示出为单个信号；然而，本领域的普通技术人员将理解，所述信号可以表示信号总线，其中总线可以具有多种位宽度。
196.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可以在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为间接导电路径，其可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件。在一些实例中，可以例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件来中断信号在所连接组件之间的流动一段时间。
197.术语“隔离”是指其中信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。例如，由定位在两个组件之间的开关分离的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器实现以下改变：防止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
198.如本文所用，术语“大体上”意指经修饰特征(例如，由术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但要足够接近以便实现特性的优点。
199.本文所论述的包含存储器阵列的装置可以形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷等各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的电导率。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行。
200.本文中所论述的开关组件或晶体管可以表示场效应晶体管(fet)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端可以通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包括重掺杂(例如，简并)的半导体区。源极与漏极可以通过轻掺杂的半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，大部分载流子是电子)，则fet可以被称为n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载流子是空穴)，则fet可以被称为p型fet。所述沟道可以由绝缘栅极氧化物封端。可以通过将电压施加到栅极来控制沟道电导率。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可以使沟道变成导电的。在大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可以“接通”或“激活”。在小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可以“关断”或“去激活”。
201.本文中结合附图阐述的描述内容描述了示例配置，并且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，并且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节以提供对所描述技术的理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
202.在附图中，类似的组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可以通过在参考标记之后跟着短划线和在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，则描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
203.可以使用各种不同技艺和技术中的任一者来表示本文所描述的信息和信号。例如，可用电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。
204.可以用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其被设计成执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文中的本公开而描述的各种说明性块和模块。通用处理器可为微处理器；但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。
205.本文所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，则可以将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的本质，上文所描述的功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征也可以物理地位于各种位置处，包含分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。同样，如本文(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语结尾的项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或者ab或ac或bc或者abc(即，a和b和c)。同样，如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为指代一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。
206.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储装置媒体与通信媒体两者，通信媒体包含促进计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可供使用的媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可以包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可以用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所需程序代码构件且可以由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波等无线技艺从网站、服务器或其它远程源传输软件，则所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波等无线技艺包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。上述的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
207.提供本文中的描述以使本领域的技术人员能够制造或使用本公开。本领域的技术
人员将显而易见对本公开的各种修改，并且本文中所定义的一般原理可以应用于其它变体而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所描述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

技术特征：

1.一种方法，其包括：接收初始化包括存储器阵列的存储器组件的操作的信号；至少部分地基于接收到所述信号而确定所述存储器组件的温度；至少部分地基于所述确定而生成所述存储器组件的所述温度已超过阈值的指示；以及至少部分地基于生成所述指示而处理从主机装置接收到的用于存取所述存储器阵列的命令。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在向所述主机装置生成所述指示之前，至少部分地基于所述确定而生成所述存储器组件的所述温度低于所述阈值的第二指示。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于所述确定而生成所述存储器组件的所述温度已超过第二阈值的第二指示；以及至少部分地基于生成所述第二指示而避免处理用于存取所述存储器阵列的第二命令。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于所述确定而生成与所述存储器组件的所述温度相关联的变化率已超过第二阈值的第二指示。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于生成所述指示而向所述主机装置或寄存器或这两者传输所述指示。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在接收到所述命令和生成所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，从所述主机装置接收第二命令；以及至少基于所述存储器组件的所述温度低于所述阈值而避免处理所述第二命令。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在生成所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，从所述主机装置接收所述命令；以及延迟对所述命令的处理，直到生成所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在生成所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，在所述存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自所述存储器阵列的逻辑状态且将所述逻辑状态写回到所述存储器阵列的一系列操作。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在生成所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，从所述主机装置接收第二命令以在所述存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自所述存储器阵列的逻辑状态且将所述逻辑状态写回到所述存储器阵列的所述操作。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将所述存储器组件的所述温度与所述阈值进行比较；至少部分地基于所述比较而确定所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值，其中至少部分地基于所述确定而生成所述指示；以及
至少部分地基于确定所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值而使用用于操作所述存储器阵列的第一参数集合。11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将所述存储器组件的所述温度与第二阈值进行比较；以及至少部分地基于所述比较而确定所述存储器组件的所述温度已超过所述第二阈值，其中至少部分地基于所述确定而生成第二指示。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值至少部分地基于第二温度水平，其中所述存储器组件的所述操作在使用用于操作所述存储器组件的参数集合时符合与所述存储器阵列相关联的一组规范且所述存储器组件的所述温度达到所述第二温度水平。13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从所述主机装置接收所述阈值的第二指示，其中所述阈值至少部分地基于第二温度水平，并且其中所述存储器组件的所述操作在使用用于操作所述存储器组件的参数集合时符合与所述存储器阵列相关联的一组规范且所述存储器组件的所述温度达到所述第二温度水平。14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于所述生成而存储对应于所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示的值；从所述主机装置接收读取所存储值的请求；以及至少部分地基于接收到所述请求而将所述所存储值传输到所述主机装置。15.根据权利要求1所述的方法，其中在至少部分地基于所述存储器组件的所述操作而接收到初始化所述存储器组件的所述操作的所述信号之后，所述存储器组件的所述温度从第一温度升高，并且其中至少部分地基于所述存储器组件的所述温度升高而生成所述指示。16.根据权利要求1所述的方法，其中与所述存储器组件热耦合的一或多个组件至少部分地基于所述信号而操作，并且其中所述存储器组件的所述温度在至少部分地基于所述一或多个组件的所述操作而接收到所述信号之后从第一温度升高，并且其中至少部分地基于所述存储器组件的所述温度升高而生成所述指示。17.一种方法，其包括：标识用于存取存储器组件的存储器阵列的命令；至少部分地基于所述存储器组件的温度而延迟向所述存储器组件传输所述命令；至少部分地基于所述指示而接收所述存储器组件的所述温度已超过阈值的指示；以及至少部分地基于确定所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值而向所述存储器组件传输用于存取所述存储器组件的所述存储器阵列的初始命令。18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于接收到所述指示而确定所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值，其中至少部分地基于所述确定而发送所述初始命令。19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：接收所述存储器组件的所述温度已超过第二阈值的第二指示；至少部分地基于所述第二指示而确定所述存储器组件的所述温度已超过所述第二阈
值；至少部分地基于确定所述存储器组件的所述温度已超过所述第二阈值而配置用于操作所述存储器阵列的参数集合；以及将所述参数集合传输到所述存储器组件的所述存储器阵列。20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：在接收到所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，接收所述存储器组件的所述温度低于所述阈值的第二指示。21.根据权利要求20所述的方法，其中至少部分地基于接收到所述存储器组件的所述温度低于所述阈值的所述第二指示而延迟所述向所述存储器组件传输所述命令。22.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：在接收到所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前传输第二命令，所述第二命令指示所述存储器组件在所述存储器阵列存储不确定数据的同时执行用于感测来自所述存储器阵列的逻辑状态且将所述逻辑状态写回到所述存储器阵列的一系列操作。23.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：向所述存储器组件传输所述阈值的第二指示，其中所述阈值至少部分地基于第二温度水平，其中所述存储器组件的操作在使用用于操作所述存储器组件的参数集合时符合与所述存储器阵列相关联的一组规范且所述存储器组件的所述温度达到所述第二温度水平。24.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：读取包括指示所述存储器组件的所述温度的值的寄存器，其中至少部分地基于指示所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述值而发送所述初始命令。25.一种设备，其包括：存储器阵列；传感器，其经配置以感测所述设备的至少一部分的温度；组件，其与所述传感器耦合并且经配置以将所述传感器的输出与阈值进行比较并指示所述比较的结果；以及控制器，其与所述组件耦合并且经配置以至少部分地基于所述传感器的所述输出大于所述阈值而接收并处理用于存取所述存储器阵列的命令。26.根据权利要求25所述的设备，其进一步包括：寄存器，其与所述组件耦合并且经配置以存储所述比较的所述结果的指示，其中所述控制器经配置以至少部分地基于指示所述传感器的所述输出大于所述阈值的所述指示而处理所述命令。27.根据权利要求25所述的设备，其进一步包括：第二组件，其经配置以向所述组件提供参考电压，其中所述组件经配置以将所述传感器的所述输出与所述参考电压进行比较。28.根据权利要求25所述的设备，其进一步包括：主机装置，其经配置以至少部分地基于所述比较的所述结果的指示而向所述控制器传输命令。29.根据权利要求25所述的设备，其中经配置以比较所述传感器的所述输出的所述组
件包括跳变点比较器。30.一种设备，其包括：存储器阵列；以及存储器控制器，其与所述存储器阵列耦合且能用以：至少部分地基于接收到初始化所述设备的操作的信号而确定所述设备的至少一部分的温度；至少部分地基于测量而生成所述设备的所述至少一部分的所述温度已超过阈值的指示；以及至少部分地基于生成所述指示而处理从主机装置接收到的用于存取所述存储器阵列的命令。31.根据权利要求30所述的设备，其中所述存储器控制器进一步能用以：在生成所述指示之前，至少部分地基于所述测量而生成所述设备的所述温度低于所述阈值的第二指示。32.根据权利要求30所述的设备，其中所述存储器控制器进一步能用以：至少部分地基于生成所述指示而向所述主机装置或寄存器或这两者传输所述指示。33.一种设备，其包括：存储器控制器，其能用以：标识用于存取存储器组件的存储器阵列的命令；至少部分地基于所述存储器组件的温度而延迟向所述存储器组件传输所述命令；至少部分地基于所述指示而接收所述存储器组件的所述温度已超过阈值的指示；以及至少部分地基于确定所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值而向所述存储器组件传输用于存取所述存储器组件的所述存储器阵列的初始命令。34.根据权利要求33所述的设备，其中所述存储器控制器进一步能用以：在接收到所述存储器组件的所述温度已超过所述阈值的所述指示之前，接收所述存储器组件的所述温度低于所述阈值的第二指示。35.根据权利要求33所述的设备，其中所述存储器控制器进一步能用以：接收所述存储器组件的所述温度已超过第二阈值的第二指示；至少部分地基于所述第二指示而确定所述存储器组件的所述温度已超过所述第二阈值；至少部分地基于确定所述存储器组件的所述温度已超过所述第二阈值而配置用于操作所述存储器阵列的参数集合；以及将用于操作所述存储器阵列的所述参数集合传输到所述存储器组件。

技术总结

描述与操作存储器阵列相关的方法、系统和装置。一种系统可包含存储器装置和主机装置。存储器装置可指示关于所述存储器装置的温度的信息，这可包含在接收到初始化所述存储器装置的操作的信号或例如在寄存器中存储关于所述存储器装置的所述温度的指示之后向所述主机装置发送指示。所述信息可包含所述存储器装置的温度或所述存储器装置的所述温度的变化率已满足阈值的指示。可基于关于所述存储器装置的所述温度的所述信息而修改所述存储器装置或所述主机装置或这两者的操作。操作修改可包含延迟对存储器命令的发送或处理，直到满足所述阈值。所述阈值。所述阈值。