一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质与流程

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1.本技术涉及存储芯片技术领域，具体而言，涉及一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质。

背景技术：

2.在对存储芯片中的存储阵列进行擦除操作的过程中，若出现异常掉电的情况，该存储阵列会产生过擦除现象。存储芯片一般是在上电时进行整个存储阵列的过擦除检查及修复的，该处理方式导致存储芯片的上电时间过长，在某些要求上电反应速度快的场合存储芯片会跳过整个存储阵列的过擦除检查及修复的步骤，如上电读取存储芯片中的系统启动程序的过程，但如果直接跳过过擦除修复过程，可能会造成读取错误或编程失败的问题，其中，读取错误甚至可能引起在某些应用上，读取系统的启动程序启动失败进而导致系统无法开机等较为严重的问题。
3.针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质，能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误编程失败的问题。
5.第一方面，本技术提供了一种存储芯片的读写方法，其包括以下步骤：在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与上述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，上述过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生过擦除现象；在上述过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生过擦除现象时，对上述目标存储阵列进行过擦除修复；对上述目标存储阵列进行读或写操作。
6.本技术提供的一种存储芯片的读写方法，在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，若过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，则对目标存储阵列进行过擦除修复；当过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象或完成过擦除修复时，该方法直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该方法能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
7.可选地，上述存储芯片的读写方法还包括步骤：在上述目标存储阵列完成过擦除修复后，对上述目标存储阵列进行读或写操作。
8.可选地，所述存储芯片中每个存储阵列均具有对应的标志位用于存储过擦除标志位信息。
9.可选地，上述存储芯片包括多个存储阵列，上述在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与上述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，上述过擦除标志位信息用于标
识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象的步骤包括：利用多个连续的标志位记录多个存储阵列的上述过擦除标志位信息，以使多个上述过擦除标志位信息构成多字节数据；在对目标存储阵列进行读或写操作前，从上述多字节数据中读取并解析上述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息。
10.可选地，上述存储芯片的读写方法还包括步骤：在上述过擦除标志位信息标识目标存储阵列没有产生未修复的过擦除现象时，对上述目标存储阵列直接进行读或写操作。
11.可选地，若上述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，上述过擦除标志位信息为0，若上述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，上述过擦除标志位信息为1。
12.可选地，上述存储芯片包括低电压报警模块，上述低电压报警模块用于在上述存储芯片的供电电压较低时生成报警信息，上述过擦除标志位信息基于以下步骤标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象：若上述低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中生成报警信息，则上述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象；若上述低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中没有生成报警信息，则上述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象。
13.可选地，上述存储芯片的读写方法还包括步骤：在对上述目标存储阵列进行过擦除修复后，刷新上述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息。
14.在对目标存储阵列进行过擦除修复后，该技术方案会刷新该目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，从而避免出现由于过擦除标志位信息仍标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象而导致重复对目标存储阵列进行过擦除修复的情况。
15.第二方面，本技术还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，上述存储器存储有计算机可读取指令，当上述计算机可读取指令由上述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的方法中的步骤。
16.第三方面，本技术还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的方法中的步骤。
17.由上可知，本技术提供的一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质，在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，若过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，则对目标存储阵列进行过擦除修复；当过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象或完成过擦除修复时，该方法直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该方法能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
附图说明
18.图1为本技术实施例提供的一种存储芯片的读取方法的流程图。
19.图2为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
20.附图标记：101、处理器；102、存储器；103、通信总线。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
22.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
23.在对存储芯片中的存储阵列进行擦除操作的过程中，若出现异常掉电的情况，该存储阵列会产生过擦除现象。
24.存储芯片一般是在上电时进行整个存储阵列的过擦除检查及修复的，但检测和修复过程都以整个存储芯片的所有存储阵列为对象，即上电过程需要修复完整个存储芯片的所有过擦除现象，导致存储芯片的上电时间长，无法满足某些上电反应速度快的场合使用，因此，在某些上电反应速度快的场合存储芯片会直接跳过过擦除检查及修复的过程来进行快速上电，虽然跳过所有存储阵列的过擦除检查及修复的过程能有效加快上电速度，但是可能会导致读取错误或编程失败的问题，以读取启动程序为例，启动程序一般非易失地写在存储阵列最前面的地址中，若在相同阵列中出现了未修复的过擦除现象，过擦除现象产生的漏电流可能会影响读取启动程序的数据正确性而导致存储在存储芯片中的系统启动失败，在未进行过擦除修复的情况下，启动后的系统也无法对相应存在过擦除现象的阵列所在的区域顺利进行编程。为了避免出现存储芯片中的系统启动失败的情况，现有技术一般将系统的启动程序和循环擦写的地址放在不同的阵列中，但该种做法在一定程度上牺牲了存储芯片的存储资源。
25.第一方面，如图1所示，本技术提供了一种存储芯片的读写方法，其包括以下步骤：s1、在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；s2、在过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对目标存储阵列进行过擦除修复；s3、对目标存储阵列进行读或写操作。
26.步骤s1的目标存储阵列为存储芯片中需要进行读或写操作的若干存储阵列，步骤s1的过擦除标志位信息存储在掉电不易失的标志位中，过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象，过擦除标志位信息的数量与存储芯片中的存储阵列的数量相同，每个存储阵列均有对应的过擦除标志位信息。本技术可以通过检测存储阵列在上一次擦除过程中是否出现异常掉电的情况来判断该存储阵
列是否产生了未修复的过擦除现象，本技术还可以通过对存储阵列中的位线进行漏电检测的方式来判断存储阵列是否产生了未修复的过擦除现象。应当理解的是，目标存储阵列的数量可以为一个或多个。
27.在过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，步骤s2基于现有的过擦除修复算法对目标存储阵列进行过擦除修复；在过擦除标志位信息标识目标存储阵列没有产生未修复的过擦除现象时，对目标存储阵列直接进行读或写操作（即执行步骤s3）。步骤s3进行读或写操作的目标存储阵列为过擦除标志信息标识在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象的目标存储阵列或基于步骤s2完成过擦除修复的目标存储阵列。
28.本技术实施例的方法将过擦除修复检查和修复过程设置在对目标存储阵列进行读或写操作前，使得上电过程无需对存储芯片所有存储阵列进行过擦除检查和过擦除修复，而是改变为在对目标存储阵列进行读或写操作对目标存储阵列进行检查和过擦除修复，从而可在确保上电高效的同时针对性地修复对应的目标存储阵列，以确保后续的读或写操作顺利进行，如以读取启动程序为例，本技术实施例的方法在上电时不进行过擦除检查和修复，而是在需要读取存有启动程序的存储阵列的存储数据时，获取存有启动程序的存储阵列的过擦除标志位信息，然后基于该过擦除标志信息判断是否需要进行过擦除修复，其判断逻辑更简便，能确保存储芯片上电迅速，并能保证对该存储阵列中的启动程序读取正确而顺利启动，更能确保该存储阵列能被顺利编程。
29.该实施例的工作原理为：该实施例通过获取目标存储阵列对应的过擦除标志位信息来判断该目标存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象，若是，则对目标存储阵列进行过擦除修复，在过擦除修复完成后将标志位恢复为该目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，再读取启动程序并在启动成功后对目标存储阵列进行读或写操作，若否，则直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该实施例能够有效地避免出现由于过擦除现象而导致无法对目标存储阵列进行读或写操作的情况，且由于该方法不会出现由于过擦除现象产生的漏电流会影响读取启动程序的数据正确性而导致存储在存储芯片中的系统启动失败的情况，因此该方法无需将存储芯片中的系统的启动程序和循环擦写的地址放在不同的阵列中。此外，由于该实施例在对目标存储阵列进行写操作前先获取过擦除标志位信息，在过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时对目标存储阵列进行过擦除修复，因此该实施例能够解决上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象导致无法对过擦除的存储单元进行编程而造成写失败的问题。
30.本技术提供的一种存储芯片的读写方法，在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，若过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，则对目标存储阵列进行过擦除修复；当过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象或完成过擦除修复时，该方法直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该方法能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
31.在一些实施例中，存储芯片的读写方法还包括以下步骤：在目标存储阵列完成过擦除修复后，对目标存储阵列进行读或写操作。
32.具体地，目标存储阵列在完成过擦除修复后，其内存储单元均不存在漏电问题，能避免存储单元漏电引起其他存储单元数据的读取错误的问题及引起该存储单元编程失败的问题，使得此时对目标存储阵列执行的读或写操作能顺利完成。
33.在一些实施例中，存储芯片包括多个存储阵列，步骤s1包括：s11、利用多个连续的标志位记录多个存储阵列的过擦除标志位信息，以使多个过擦除标志位信息构成多字节数据；s12、在对目标存储阵列进行读或写操作前，从多字节数据中读取并解析目标存储阵列对应的过擦除标志位信息。
34.步骤s11的标志位的数量与过擦除标志位信息的数量相同，每个标志位均有对应的过擦除标志位信息，在将多个过擦除标志位信息记录至多个连续的标志位后，多个过擦除标志位信息构成多字节数据。在对目标存储阵列进行读或写操作前，步骤s12对多字节数据中目标存储阵列对应的过擦除标志位信息进行读取和解析。例如，过擦除标志位信息为0时标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，过擦除标志位信息为1时标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，存储芯片包括4个存储阵列，存储阵列a对应的过擦除标志位信息为1，存储阵列b对应的过擦除标志位信息为1，存储阵列c对应的过擦除标志位信息为1，存储阵列d对应的过擦除标志位信息为0，步骤s11生成的多字节数据为1110，若目标存储阵列为存储阵列c，步骤s12获取到的过擦除标志位信息为1；若目标存储阵列为存储阵列d，步骤s12获取到的过擦除标志位信息为0。
35.在一些实施例中，存储芯片中每个存储阵列均具有对应的标志位用于存储过擦除标志位信息。
36.具体地，每个存储阵列的与标志位一一对应，使得存储芯片能准确区分不同存储阵列是否存在未修复的过擦除现象，也能精确便捷地搜寻到存在未修复的过擦除现象的存储阵列。
37.在一些实施例中，若过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，过擦除标志位信息为0，若过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，过擦除标志位信息为1。
38.在一些实施例中，存储芯片包括低电压报警模块，低电压报警模块用于在存储芯片的供电电压较低时生成报警信息，过擦除标志位信息基于以下步骤标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象：若低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中生成报警信息，则过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象；若低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中没有生成报警信息，则过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象。
39.其中，低电压报警模块设置在存储芯片内，低电压报警模块用于检测存储芯片的供电电压，并在供电电压较低时生成报警信息，例如在供电电压低于预设的电压阈值时，低电压报警模块生成报警信息。该实施例的工作原理为：若低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中生成报警信息，则认为存储阵列在上一次擦除过程中产生了过擦除现象，此时的过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦
除现象；若低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中没有生成报警信息，则认为存储阵列在上一次擦除过程中没有产生擦除现象，此时的过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象。
40.上述实施例的过擦除标志位信息在默认情况下标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，而对存储阵列进行擦除操作的过程中，若出现掉电速度过快的情况，该存储阵列对应的过擦除标志位信息的阈值电压可能无法被编程到很高，从而导致即使产生了未修复完成的过擦除现象，但过擦除标志位信息被误判认为没有产生过擦除现象或产生的过擦除现象已被修复。为了解决上述问题，在一些实施例中，选择较低的阈值电压作为过擦除标志位信息的阈值电压。该实施例的工作原理为：由于该实施例的过擦除标志位信息的阈值电压较低，即过擦除标志位信息选取较低的阈值电压判断标准，因此即使出现快速掉电的情况，该实施例的过擦除标志位信息能标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，从而有效地避免出现由于掉电速度过快而导致过擦除标志位信息不能标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象的情况。
41.在一些实施例中，存储芯片的读写方法还包括步骤：s4、在对目标存储阵列进行过擦除修复后，刷新目标存储阵列对应的过擦除标志位信息。
42.在对目标存储阵列进行过擦除修复后，该实施例会刷新该目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，以使过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，从而避免出现由于过擦除标志位信息仍标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象而导致重复对目标存储阵列进行过擦除修复的情况。
43.由上可知，本技术提供的一种存储芯片的读写方法，在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，若过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，则对目标存储阵列进行过擦除修复；当过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象或完成过擦除修复时，该方法直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该方法能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
44.第二方面，请参照图2，图2为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本技术提供一种电子设备，包括：处理器101和存储器102，处理器101和存储器102通过通信总线103和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器102存储有处理器101可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器101执行该计算机程序，以执行时执行实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；在过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对目标存储阵列进行过擦除修复；对目标存储阵列进行读或写操作。
45.第三方面，本技术实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，执行实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：在对目标
存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；在过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对目标存储阵列进行过擦除修复；对目标存储阵列进行读或写操作。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（static random access memory, 简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasable programmable read only memory, 简称eprom），可编程只读存储器（programmable red-only memory, 简称prom），只读存储器（read-only memory, 简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
46.由上可知，本技术提供的一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质，在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，若过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，则对目标存储阵列进行过擦除修复；当过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象或完成过擦除修复时，该方法直接对目标存储阵列进行读或写操作，因此该方法能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
47.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露方法，可以通过其它的方式实现。
48.另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以上升至一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
49.再者，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
50.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
51.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：

1.一种存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片的读写方法包括以下步骤：在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与所述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，所述过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；在所述过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对所述目标存储阵列进行过擦除修复；对所述目标存储阵列进行读或写操作。2.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片的读写方法还包括以下步骤：在所述目标存储阵列完成过擦除修复后，对所述目标存储阵列进行读或写操作。3.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片包括多个存储阵列，所述在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与所述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，所述过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象的步骤包括：利用多个连续的标志位记录多个存储阵列的所述过擦除标志位信息，以使多个所述过擦除标志位信息构成多字节数据；在对目标存储阵列进行读或写操作前，从所述多字节数据中读取并解析所述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息。4.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片中每个存储阵列均具有对应的标志位用于存储过擦除标志位信息。5.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片的读写方法还包括步骤：在所述过擦除标志位信息标识目标存储阵列没有产生未修复的过擦除现象时，对所述目标存储阵列直接进行读或写操作。6.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，若所述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象，所述过擦除标志位信息为0，若所述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象，所述过擦除标志位信息为1。7.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片包括低电压报警模块，所述低电压报警模块用于在所述存储芯片的供电电压较低时生成报警信息，所述过擦除标志位信息基于以下步骤标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象：若所述低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中生成报警信息，则所述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象；若所述低电压报警模块在存储阵列的上一次擦除过程中没有生成报警信息，则所述过擦除标志位信息标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中没有产生未修复的过擦除现象。8.根据权利要求1所述的存储芯片的读写方法，其特征在于，所述存储芯片的读写方法还包括步骤：在对所述目标存储阵列进行过擦除修复后，刷新所述目标存储阵列对应的过擦除标志
位信息。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-8任一项所述方法中的步骤。

技术总结

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与所述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，所述过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；在所述过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对所述目标存储阵列进行过擦除修复；对所述目标存储阵列进行读或写操作，该方法能够有效地避免出现由于过擦除现象而导致目标存储阵列出现读取失败或编程失败的问题，能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。的情况下解决读取错误和编程失败的问题。的情况下解决读取错误和编程失败的问题。