树脂包覆方法和树脂包覆装置与流程

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1.本发明涉及通过树脂包覆圆板状的晶片的正面的树脂包覆方法和树脂包覆装置。

背景技术：

2.ic(integrated circuit：集成电路)和lsi(large scale integration：大规模集成电路)等器件的芯片是在移动电话和个人计算机等各种电子设备中不可欠缺的构成要素。这样的芯片例如是通过在由半导体材料构成的圆板状的晶片的正面上形成大量器件之后将晶片按照包含各个器件的区域进行分割而制造的。
3.在该芯片的制造工序中，为了所制造的芯片的小型化等，大多在晶片的分割之前，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化。这样的薄化通常使用磨削装置来进行，该磨削装置具有吸引并保持晶片的正面侧的卡盘工作台和对晶片的背面侧进行磨削的磨削磨轮。
4.这里，晶片的正面由于器件所包含的电极图案和用于将器件安装于印刷布线板等基板的凸块等的存在而具有凹凸形状。而且，如果在卡盘工作台直接吸引着这样的具有凹凸形状的晶片的正面侧的状态下对晶片的背面侧进行磨削，则有时会对晶片局部地施加较大的负荷。因此，在该情况下，电极图案和凸块有可能损伤。
5.鉴于这一点，有时在对晶片的背面侧进行磨削之前，例如按照以下的顺序在晶片的正面上形成具有平坦的正面(远离晶片的一侧的面)的树脂层。具体而言，首先，利用保持板对晶片的背面侧进行保持。接着，向隔着晶片而与保持板对置的工作台提供液态树脂。接着，使保持板与工作台接近直至晶片的正面与液态树脂接触。接着，使液态树脂固化。
6.由此，能够通过具有平坦的正面的树脂层包覆晶片的正面。而且，当在卡盘工作台隔着该树脂层而吸引保持着晶片的正面侧的状态下对晶片的背面侧进行磨削时，不会对晶片局部地施加较大的负荷。因此，在该情况下，能够防止电极图案和凸块的损伤。另外，在该情况下，树脂层的厚度依赖于通过液态树脂包覆晶片的正面时的保持板与工作台的间隔来确定。
7.但是，即使按照成为期望的厚度的方式通过相同的制造工序来制造多个晶片，有时该多个晶片的厚度也会有偏差。因此，当不根据晶片的厚度变更保持板与工作台的间隔而如上述那样通过树脂层包覆多个晶片各自的正面时，有时该树脂层的厚度也会产生偏差。而且，在该情况下，在一些晶片中，有可能由于其背面侧的磨削而使电极图案和凸块损伤。
8.鉴于这一点，提出了如下的方案：在测量晶片的厚度之后，根据所测量的厚度来确定通过液态树脂包覆晶片的正面时的保持板与工作台的间隔(例如参照专利文献1)。由此，能够抑制包覆多个晶片各自的正面的树脂层的厚度的偏差。
9.专利文献1：日本特开2021-19160号公报
10.如上所述，晶片的正面由于电极图案和凸块等的存在而具有凹凸形状。为了通过规定厚度的树脂层包覆这样的具有凹凸形状的晶片的正面，需要在树脂层的形成之前测量晶片的不存在电极图案和凸块等的区域的厚度。
11.这样的区域通常存在于晶片的外周缘附近(例如距外周缘几mm以内)。另一方面，通常为了防止裂纹的形成而对晶片的外周缘附近进行倒角。即，晶片的厚度越靠近外周缘越薄。
12.因此，在树脂层的形成之前的晶片的厚度的测量优选以不存在电极图案和凸块等的区域中的靠近晶片的中心的部分为对象来进行。但是，该区域的尺寸(例如晶片的沿着径向的宽度)根据晶片的种类而不同。

技术实现要素：

13.鉴于这一点，本发明的目的在于提供树脂包覆方法和树脂包覆装置，能够在不受晶片的种类影响的情况下适当地实施用于抑制包覆晶片的正面的树脂层的厚度的偏差的晶片的厚度的测量。
14.根据本发明的一个方面，提供一种树脂包覆方法，通过树脂层包覆圆板状的晶片的正面，其中，该树脂包覆方法具有如下的步骤：厚度测量步骤，对该晶片的厚度进行测量；保持步骤，利用保持板对该晶片的背面侧进行保持；树脂提供步骤，向与该保持板对置的工作台提供液态树脂；接近步骤，按照使该保持板与该工作台之间的间隔成为根据通过该厚度测量步骤测量出的该晶片的厚度而决定的间隔的方式，使该保持板与该工作台接近；以及固化步骤，使该液态树脂固化，该厚度测量步骤具有如下的步骤：暂放工作台保持步骤，利用具有保持面并能够以通过该保持面的中心且与该保持面垂直的直线为旋转轴线进行旋转的暂放工作台，对在俯视时外周缘配置于比该保持面靠外侧的位置的该晶片进行保持；检测步骤，一边使该暂放工作台与在垂直于该保持面的方向上相互对置的第1测量器和第2测量器按照使该外周缘上的点通过该第1测量器和该第2测量器之间的测量位置的方式沿着与该保持面平行的方向相对地移动，一边通过该第1测量器测量该第1测量器与该晶片之间的间隔或者通过该第2测量器测量该第2测量器与该晶片之间的间隔，参照由此得到的测量结果来检测该点的坐标；测量步骤，在将该晶片的被测量点定位于该测量位置的状态下，通过该第1测量器测量该第1测量器与该晶片之间的间隔，并且通过该第2测量器测量该第2测量器与该晶片之间的间隔，其中，该晶片的被测量点在俯视时比该点接近该晶片的中心规定的距离并且位于该保持面的外侧；以及厚度计算步骤，通过从该第1测量器与该第2测量器之间的间隔减去在将该被测量点定位于该测量位置的状态下由该第1测量器测量的该第1测量器与该晶片之间的间隔以及由该第2测量器测量的该第2测量器与该晶片之间的间隔，计算该晶片的厚度。
15.在本发明的树脂包覆方法中，优选的是，该树脂包覆方法还包含如下的步骤：中心计算步骤，根据在该检测步骤中检测到的该外周缘上的至少3点的坐标来计算该晶片的中心；以及调整步骤，将通过搬送单元从该暂放工作台搬出该晶片时的该吸引垫的中心点调整成与该晶片的中心对应的位置，其中，该搬送单元具有对该晶片进行吸引的吸引垫，对该晶片进行搬送。
16.根据本发明的另一方面，提供一种树脂包覆装置，其通过树脂层包覆圆板状的晶片的正面，其中，该树脂包覆装置具有：厚度测量单元，其对该晶片的厚度进行测量；树脂包覆单元，其通过该树脂层包覆该晶片的该正面；以及控制单元，其对该厚度测量单元和该树脂包覆单元进行控制，该厚度测量单元具有：暂放工作台，其具有对该晶片进行保持的保持
面，能够以通过该保持面的中心且与该保持面垂直的直线为旋转轴线进行旋转；第1测量器和第2测量器，该第1测量器和第2测量器在与该保持面垂直的方向上相互对置；以及第1移动机构，其使该暂放工作台与该第1测量器和该第2测量器沿着与该保持面平行的方向相对地移动，该第1测量器对该第1测量器与被定位于该第1测量器和该第2测量器之间的测量位置的该晶片之间的间隔进行测量，该第2测量器对该第2测量器与被定位于该测量位置的该晶片之间的间隔进行测量，该树脂包覆单元具有：保持板，其对该晶片进行保持；工作台，其与该保持板对置；树脂提供源，其向该工作台提供液态树脂；第2移动机构，其调整该保持板与该工作台之间的间隔；以及树脂固化器，其使该液态树脂固化，该控制单元具有：驱动部，其按照使在俯视时外周缘配置于比该保持面靠外侧的位置的该晶片的该外周缘上的点通过该测量位置的方式对该第1移动机构进行驱动，并且按照使对该晶片进行保持的该保持板与被提供了该液态树脂的该工作台之间的间隔成为根据该晶片的厚度而决定的间隔的方式对该第2移动机构进行驱动；检测部，其参照该外周缘上的点通过该测量位置时的该第1测量器或该第2测量器的测量结果来检测该点的坐标；以及厚度计算部，其通过从该第1测量器与该第2测量器之间的间隔减去在将该晶片的被测量点定位于该测量位置的状态下由该第1测量器测量的该第1测量器与该晶片之间的间隔以及由该第2测量器测量的该第2测量器与该晶片之间的间隔，计算该晶片的厚度，其中，该晶片的被测量点在俯视时比该点接近该晶片的中心规定的距离并且位于比该保持面靠外侧的位置。
17.在本发明的树脂包覆装置中，优选的是，该树脂包覆装置还具有搬送单元，该搬送单元具有对该晶片进行吸引的吸引垫，对该晶片进行搬送，该控制单元还具有：中心计算部，其根据由该检测部检测到的该外周缘上的至少3点的坐标来计算该晶片的中心；以及调整部，其将通过该搬送单元从该暂放工作台搬出该晶片时的该吸引垫的中心点调整成与该晶片的中心对应的位置。
18.在本发明中，能够使对晶片进行保持的暂放工作台与第1测量器和第2测量器沿着与暂放工作台的保持面平行的方向相对地移动。因此，在本发明中，在参照第1测量器或第2测量器的测量结果而检测出晶片的外周缘上的点的坐标之后，能够测量从该点接近晶片的中心规定的距离的被测量点处的晶片的厚度。由此，在本发明中，通过根据晶片的种类来设定该规定的距离，能够适当地实施用于抑制包覆晶片的正面的树脂层的厚度的偏差的晶片的厚度的测量。
附图说明
19.图1的(a)是示意性地示出晶片的一例的俯视图，图1的(b)是示意性地示出晶片的一例的剖视图。
20.图2是示意性地示出对晶片进行收纳的盒的一例的立体图。
21.图3是示意性地示出树脂包覆装置的一例的框图。
22.图4是示意性地示出搬送单元的一例的立体图。
23.图5是示意性地示出厚度测量单元的一例的立体图。
24.图6是示意性地示出树脂包覆单元的一例的立体图。
25.图7是示意性地示出控制单元的一例的框图。
26.图8是示意性地示出在晶片的中心与暂放工作台的保持面的中心偏移的状态下放
置于该保持面的晶片的一例的俯视图。
27.图9是示意性地示出通过树脂层包覆晶片的正面的树脂包覆方法的一例的流程图。
28.图10是示意性地示出厚度测量步骤的详细过程的一例的流程图。
29.图11是示意性地示出暂放工作台保持步骤的情形的侧视图。
30.图12是示意性地示出检测步骤的情形的侧视图。
31.图13是示意性地示出测量步骤的情形的侧视图。
32.标号说明
33.11：晶片(11a：正面、11b：背面、11c：侧面)；13：区域；15：凸块；2：盒；4：顶板；6a、6b：侧壁；8：晶片支承槽；10：连接部件；12：树脂包覆装置；14：搬送单元；16：搬送基台；18：搬送臂(18a：第1臂部、18b：第2臂部)(18c：第2关节部、18d：第3臂部)(18e：主轴、18f：连结部)；20：非接触型传感器；22：吸引垫；24：厚度测量单元；26：第1支承构造(26a、26b：立设部、26c：架设部)；28：y轴方向移动机构(第1移动机构)；30：导轨；32：移动部件(32a：立设部、32b：工作台支承部)；34：丝杠轴；36：电动机；38：θ工作台；40：暂放工作台；42：框体；44：多孔板；46：第2支承构造(46a：立设部、46b、46c：架设部)(46d：下方突出部、46e：上方突出部)；48a：第1测量器；48b：第2测量器；50：树脂包覆单元；52：基台；54：工作台；56：树脂固化器；58：光源；60：开闭器；62：滤光器；64：排气管；66：支承构造(66a：立设部、66b：檐部)；68：升降机构(第2移动机构)；70：主致动器；72：副致动器；74：保持板；76：控制单元；78：处理部；80：存储部；82：驱动部；84：检测部；86：厚度计算部；88：中心计算部；90：调整部。
具体实施方式
34.参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1的(a)是示意性地示出晶片的一例的俯视图，图1的(b)是示意性地示出晶片的一例的剖视图。晶片11具有大致平行的正面11a和背面11b，例如由si(硅)、sic(碳化硅)、gan(氮化镓)、gaas(砷化镓)或其他半导体材料构成。
35.该晶片11的外周缘附近被倒角。即，晶片11的侧面11c以向外侧凸出的方式弯曲。另外，在晶片11的正面11a上设定有相互交叉的多条分割预定线。在由该分割预定线划分出的多个区域13中分别形成有ic或lsi等器件。
36.另外，在各器件上设置有与该器件电连接的凸块15。凸块15在对晶片11进行分割而制造器件的芯片时作为将安装有该芯片的印刷布线板等与器件电连接的电极而发挥功能。凸块15例如由au(金)、ag(银)、cu(铜)或al(铝)等金属材料构成。
37.图2是示意性地示出对晶片11进行收纳的盒的一例的立体图。图2所示的盒2具有平板状的顶板4。该顶板4具有矩形状的平板的4个角中的相邻的一对角被倒角且剩余的一对角未被倒角而残留那样的形状。而且，在顶板4的位于被倒角的一对部分之间的端部(后端部)的下侧固定有沿与顶板4垂直的方向(高度方向)延伸的侧壁(未图示)的上端部。
38.另外，在顶板4的位于被倒角的部分与未被倒角的角之间的两个端部(左端部和右端部)各自的下侧固定有沿高度方向延伸的侧壁6a、6b的上端部。另一方面，在顶板4的位于未被倒角的一对角之间的端部(前端部)的下侧未固定有沿高度方向延伸的侧壁。即，顶板4的前端部的下侧开放。
39.在侧壁6a、6b的内侧面上沿高度方向以规定的间隔设置有沿着与高度方向垂直的方向的多个晶片支承槽8。具体而言，设置于侧壁6a的内侧面的多个晶片支承槽8分别设置成与设置于侧壁6b的内侧面的多个晶片支承槽8中的任意晶片支承槽8对置。
40.另外，顶板4和与侧壁6a、6b垂直的平面中的晶片支承槽8的剖面形状是大致长方形状。换言之，晶片支承槽8具有与高度方向大致垂直的一对内侧面以及与高度方向大致平行的底面。而且，在盒2中，以在晶片支承槽8的内侧面中的远离顶板4的一方放置晶片11的状态收纳晶片11。
41.另外，侧壁6a的下部和侧壁6b的下部经由细长的板状的连接部件10而连结。另外，设置于侧壁6a的内侧面和侧壁6b的内侧面的晶片支承槽8的数量没有限制。例如，可以在盒2中设置有与一批(25张左右)晶片11对应的数量的晶片支承槽8。
42.图3是示意性地示出通过树脂层包覆晶片11的正面11a的树脂包覆装置的一例的框图。具体而言，图3所示的树脂包覆装置12将收纳于盒2的晶片11搬出，在通过树脂层包覆晶片11的正面11a之后，将正面11a被树脂层包覆的晶片11搬入至盒2中。
43.另外，图3所示的带数字的箭头表示在通过树脂层包覆晶片11的正面11a时的晶片11的移动。即，在通过树脂层包覆晶片11的正面11a时，晶片11按照使图3所示的箭头所带的数字成为升序的方式移动。另外，树脂包覆装置12具有放置盒2的盒支承台(未图示)。
44.而且，树脂包覆装置12具有从放置于该盒支承台的盒2中搬出晶片11，并且将晶片11搬入至盒2的搬送单元14。图4是示意性地示出搬送单元14的一例的立体图。该搬送单元14具有沿着高度方向延伸的圆柱状的搬送基台16。
45.在搬送基台16的内部设置有气缸等致动器(未图示)，该致动器具有能够沿着高度方向移动的活塞杆，能够绕沿着高度方向的旋转轴进行旋转。另外，在搬送基台16的上表面侧设置有供该活塞杆通过的开口。而且，在该活塞杆的上端部连结有搬送臂18。
46.搬送臂18是具有多个关节的机器人手臂。具体而言，搬送臂18具有沿与高度方向垂直的方向延伸的板状的第1臂部18a。第1臂部18a的一端部的下侧按照与活塞杆一起移动和旋转的方式与活塞杆的上端部连结，并且在第1臂部18a的另一端部的上侧连结有圆柱状的第1关节部(未图示)的下侧。
47.在该第1关节部的上侧连结有沿与高度方向垂直的方向延伸的板状的第2臂部18b。第2臂部18b的一端部的下侧以能够绕沿着高度方向的旋转轴进行旋转的方式借助第1关节部而与第1臂部18a的另一端部的上侧连结，并且在第2臂部18b的另一端部的上侧连结有圆柱状的第2关节部18c的下侧。
48.在第2关节部18c的上侧连结有沿与高度方向垂直的方向延伸的第3臂部18d。该第3臂部18d的一端部的下侧以能够绕沿着高度方向的旋转轴进行旋转的方式借助第2关节部18c而与第2臂部18b的另一端部的上侧连结。
49.另外，在第3臂部18d的上表面的一端侧设置有非接触型传感器20，其对从第3臂部18d观察时存在于从第3臂部18d的另一端朝向一端的方向的构造物进行检测。非接触型传感器20例如是具有朝向该方向投射光(例如激光束)的投光部和接受被构造物反射的光的受光部的光传感器。
50.另外，在第3臂部18d的内部设置有使能够沿着与高度方向垂直的方向旋转的主轴18e进行旋转的电动机(未图示)。该主轴18e通过设置于第3臂部18d的另一端侧的侧面的开
口，其前端部在外部露出。另外，在主轴18e的前端部借助板状的连结部18f而连结有吸引垫22的长方体状的基端部。
51.此外，吸引垫22具有与其基端部一体化的椭圆板状的部分。具体而言，该部分具有椭圆的长轴与主轴18e平行那样的形状，并且在该部分从其中心朝向前端设置有线状的切口。另外，在吸引垫22的椭圆板状的部分的一面上例如设置有多个吸引孔(未图示)。
52.该吸引孔经由设置于吸引垫22的内部的流路和控制气体的流动的阀等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。而且，当在打开该阀的状态下使吸引源进行动作时，在该吸引孔附近的空间产生负压。
53.因此，吸引垫22的椭圆板状的部分的一面作为对晶片11进行吸引保持的保持面而发挥功能。另外，在搬送单元14中，通过在利用吸引垫22的保持面对晶片11进行吸引保持的状态下使主轴18e进行旋转，也能够使晶片11的上下翻转。即，晶片11能够保持在吸引垫22的上侧和下侧中的任意一侧。
54.此外，搬送基台16与设置于其下方的搬送单元移动机构(未图示)连结。该搬送单元移动机构例如具有滚珠丝杠和电动机等。而且，当使该电动机进行动作时，搬送单元14沿着水平方向移动。
55.在搬送单元14从盒2中搬出晶片11时，首先，按照将搬送单元14定位于放置有盒2的盒支承台的附近的方式使搬送单元移动机构进行动作。接着，为了检测收纳有晶片11的盒2的层(晶片支承槽8的高度)，一边使收纳于搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作一边使非接触型传感器20进行动作。
56.接着，按照使吸引垫22的中心点接近比检测到的盒2的层(晶片支承槽8的高度)略高或略低且与盒2的侧壁6a和侧壁6b的中间对应的位置的方式，使收纳于搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作。另外，吸引垫22的中心点是指假想在利用吸引垫22的保持面对晶片11进行吸引保持时晶片11的中心所处的点。
57.接着，使与设置于吸引垫22的保持面的吸引孔连接的吸引源进行动作。由此，将晶片11吸引保持于吸引垫22的保持面。接着，使致动器和搬送臂18进一步进行动作，由此从盒2中搬出晶片11。
58.这样从盒2中搬出的晶片11通过搬送单元14而被搬入至例如测量晶片11的厚度的厚度测量单元24。图5是示意性地示出厚度测量单元24的一例的立体图。另外，图5所示的x轴方向(前后方向)和y轴方向(左右方向)是在水平面上相互垂直的方向，另外，z轴方向(高度方向)是与x轴方向和y轴方向垂直的方向(铅垂方向)。
59.该厚度测量单元24具有门型的第1支承构造26。该第1支承构造26具有：一对平板状的立设部26a、26b，它们沿z轴方向延伸；以及平板状的架设部26c，其按照将一对立设部26a、26b的上端部连接起来的方式沿y轴方向延伸而设置。
60.在架设部26c的前表面(正面)侧设置有y轴方向移动机构(第1移动机构)28。该y轴方向移动机构28具有固定于架设部26c的前表面且沿着水平方向延伸的一对导轨30。而且，在一对导轨30的前表面(正面)侧设置有l字状的移动部件32。
61.该移动部件32具有：立设部32a，其沿z轴方向延伸；以及工作台支承部32b，其从立设部32a的下端部沿着x轴方向向前方延伸。另外，该立设部32a的后表面(背面)侧以能够滑动的方式连结于一对导轨30的前表面(正面)侧。
62.此外，在一对导轨30之间配置有沿着y轴方向延伸的丝杠轴34。在该丝杠轴34的立设部26b侧的端部连结有用于使丝杠轴34进行旋转的电动机36。而且，在丝杠轴34的形成有螺旋状的槽的表面上设置有对在旋转的丝杠轴34的表面上转动的滚珠进行收纳的螺母部(未图示)，从而构成滚珠丝杠。
63.即，当丝杠轴34进行旋转时，滚珠在螺母部内循环，螺母部沿着y轴方向移动。另外，该螺母部固定于移动部件32的后表面(背面)侧。因此，如果利用电动机36使丝杠轴34进行旋转，则移动部件32与螺母部一起沿着y轴方向移动。
64.另外，在移动部件32的工作台支承部32b的上表面侧设置有圆柱状的θ工作台38。该θ工作台38按照能够以沿着z轴方向的直线为旋转轴线进行旋转的方式与工作台支承部32b连结，并且在该θ工作台38的上部固定有圆盘状的暂放工作台40的下部。
65.暂放工作台40例如具有由不锈钢等金属材料构成的圆盘状的框体42。该框体42具有圆盘状的底壁以及从该底壁的外周部向上方延伸的圆环状的侧壁。而且，通过底壁和侧壁在框体42的上表面侧划分出凹部，在该凹部中固定有由陶瓷等构成的圆盘状的多孔板44。
66.此外，多孔板44具有与x轴方向和y轴方向平行的上表面。另外，多孔板44的下表面侧经由形成于框体42、θ工作台38、工作台支承部32b的内部的吸引路(未图示)以及与工作台支承部32b连接的配管和阀等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。
67.而且，当在使该吸引源进行动作的状态下打开阀时，在多孔板44的上表面附近的空间产生负压。因此，多孔板44的上表面作为对晶片11进行保持的暂放工作台40的保持面而发挥功能。另外，该圆状的保持面的直径(框体42的外径)被设计成比晶片11的直径短。
68.此外，θ工作台38与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。而且，当使该旋转驱动源进行动作时，θ工作台38和暂放工作台40以通过暂放工作台40的保持面的中心且与z轴方向平行的直线为旋转轴线而进行旋转。
69.另外，在立设部26a的前方设置有第2支承构造46。该第2支承构造46具有：立设部46a，其设置成在y轴方向上与暂放工作台40并排；一对架设部46b、46c，它们按照从立设部46a的暂放工作台40侧的侧面的不同的高度朝向暂放工作台40的方式延伸；下方突出部46d，其从架设部46b的前端朝向下方突出；以及上方突出部46e，其从架设部46c的前端朝向上方突出。
70.另外，下方突出部46d的下表面与上方突出部46e的上表面相对。另外，下方突出部46d的下表面设置于比暂放工作台40的保持面高的位置。另外，上方突出部46e的上表面设置于比暂放工作台40的保持面低的位置。
71.而且，在下方突出部46d中内置有第1测量器48a，并且在上方突出部46e中内置有第2测量器48b。而且，第1测量器48a和第2测量器48b设置成在z轴方向上相互对置。
72.该第1测量器48a例如具有朝向下方投射激光束的投光部以及接受从下方入射的激光束的受光部。因此，当在将暂放工作台40所保持的晶片11的一部分定位于第1测量器48a与第2测量器48b之间的测量位置的状态下从第1测量器48a的投光部投射激光束时，该激光束被晶片11的上表面反射而被第1测量器48a的受光部接受。然后，第1测量器48a根据从投光部投射的激光束与由受光部接受的激光束的相位差等来测量到晶片11的距离(第1测量器48a和晶片11的间隔)。
73.同样地，第2测量器48b例如具有朝向上方投射激光束的投光部以及接受从上方入射的激光束的受光部。因此，当在将暂放工作台40所保持的晶片11的一部分定位于第1测量器48a与第2测量器48b之间的测量位置的状态下从第2测量器48b的投光部投射激光束时，该激光束被晶片11的下表面反射而被第2测量器48b的受光部接受。然后，第2测量器48b根据从投光部投射的激光束与由受光部接受的激光束的相位差等来测量到晶片11的距离(第2测量器48b和晶片11的间隔)。
74.在第1测量器48a和第2测量器48b分别测量到晶片11的距离时，首先，按照将搬送晶片11的搬送单元14定位于厚度测量单元24的附近的方式使搬送单元移动机构进行动作。
75.接着，按照将晶片11定位于能够通过搬送单元14搬入至暂放工作台40的保持面的位置(例如从第1测量器48a和第2测量器48b分开的位置)的方式使y轴方向移动机构28进行动作。
76.接着，按照使晶片11朝下的方式、即按照利用吸引垫22的下侧对晶片11进行吸引保持的方式，通过内置于第3臂部18d的电动机使主轴18e进行旋转。
77.接着，按照使吸引垫22的中心点接近暂放工作台40的保持面的中心的方式使收纳于搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作。接着，使与设置于吸引垫22的保持面的吸引孔连接的吸引源的动作停止。
78.由此，将晶片11放置于暂放工作台40的保持面。另外，该保持面的直径(框体42的外径)比晶片11的直径短。因此，晶片11的外周缘配置于比暂放工作台40的保持面靠外侧的位置。
79.接着，在使经由阀等而与多孔板44的下表面侧连接的吸引源进行动作的状态下，将该阀打开。由此，利用暂放工作台40的保持面对晶片11的中央区域进行吸引保持。
80.接着，按照将位于比暂放工作台40的保持面靠外侧的位置的晶片11的部分定位于第1测量器48a和第2测量器48b之间(下方突出部46d的下表面与上方突出部46e的上表面之间)的测量位置的方式使y轴方向移动机构28进行动作。
81.接着，使第1测量器48a进行动作而测量第1测量器48a和晶片11的间隔，并且使第2测量器48b进行动作而测量第2测量器48b和晶片11的间隔。
82.这样测量了分别距第1测量器48a和第2测量器48b的距离的晶片11通过搬送单元14而从厚度测量单元24搬出，例如搬入至通过树脂层包覆晶片11的正面11a的树脂包覆单元50。图6是示意性地示出树脂包覆单元50的一例的立体图。
83.树脂包覆单元50具有长方体状的基台52，该基台52具有内部空间。在该基台52的上部按照将内部空间关闭的方式配置有具有大致平坦的上表面的工作台54。该工作台54例如由硼酸玻璃、石英玻璃以及透光性氧化铝等透过紫外线的材料构成。
84.而且，例如从树脂提供源(未图示)向工作台54的上表面提供液态的紫外线固化树脂。另外，向工作台54的紫外线固化树脂的提供可以在使用片材提供单元(未图示)在工作台54的上表面设置了片材之后进行。即，也可以隔着该片材而向工作台54上提供紫外线固化树脂。由此，能够抑制紫外线固化树脂对工作台54的污染等。
85.另外，该片材提供单元例如从两面平坦的片材卷绕成辊状而成的片材辊拉出片材，以规定的长度切断片材，将切断后的片材搬送至工作台。另外，该片材例如由聚烯烃和聚对苯二甲酸乙二醇酯等透过紫外线的材料构成。
86.另外，在基台52的内部空间设置有使提供到工作台54上的紫外线固化树脂固化的树脂固化器56。该树脂固化器56具有：光源58，其照射紫外线；开闭器60，其设置于工作台54和光源58之间，遮断来自光源58的紫外线；以及滤光器62，其遮断在紫外线固化树脂的固化中不需要的波长的光。
87.此外，为了抑制基台52的内部空间的温度上升，在基台52的侧壁上设置有与排气泵(未图示)等连接的排气管64。具体而言，在树脂包覆单元50中，有可能基台52的内部空间的温度伴随着光源58的紫外线的照射而上升。
88.在该情况下，有可能使工作台54变形而使上表面(支承面)的平坦性降低。因此，在树脂包覆单元50中，通过经由排气管64而对基台52的内部空间进行排气，抑制基台52的内部空间的温度上升。
89.另外，在基台52上设置有支承构造66。该支承构造66包含：立设部66a，其从基台52向上方延伸；以及檐部66b，其从立设部66a的上端部延伸，位于工作台54的上方。而且，在檐部66b的中央部设置有升降机构(第2移动机构)68。
90.升降机构68包含：主致动器70，其按照与檐部66b垂直的方式贯穿檐部66b的中央部而设置；以及多个副致动器72，它们与主致动器70大致平行地贯穿檐部66b而设置。而且，多个副致动器72按照围绕主致动器70的方式大致等间隔地配置。
91.主致动器70和多个副致动器72分别具有能够沿着高度方向移动的活塞杆(未图示)。而且，在这些活塞杆的下端部固定有圆盘状的保持板74。该保持板74在下部具有下表面露出的多孔板(未图示)。
92.该多孔板的上表面侧经由形成于主致动器70、支承构造66、基台52的内部的吸引路(未图示)以及与基台52连接的配管和阀等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。
93.而且，当在使该吸引源进行动作的状态下打开阀时，在该多孔板的下表面(保持板74的下表面)附近的空间产生负压。因此，保持板74的下表面作为对晶片11进行吸引保持的保持面而发挥功能。
94.在树脂包覆单元50中通过树脂层包覆晶片11的正面11a时，首先，按照使搬送晶片11的搬送单元14移动至树脂包覆单元50的附近的方式使搬送单元移动机构进行动作。接着，按照使晶片11的背面11b朝上的方式、即按照利用吸引垫22的上侧对晶片11的正面11a侧进行吸引保持的方式，通过内置于第3臂部18d的电动机使主轴18e进行旋转。
95.接着，按照使吸引垫22的中心点接近保持板74的保持面的中心的方式，使收纳于搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作。接着，使与设置于吸引垫22的保持面的吸引孔连接的吸引源的动作停止。接着，使与保持板74的多孔板的上表面侧连接的吸引源进行动作。由此，将晶片11的背面11b侧吸引保持于保持板74的保持面。
96.接着，按照使吸引垫22从保持板74和工作台54之间退避的方式，使收纳于搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作。接着，向工作台54的上表面上提供液态的紫外线固化树脂。另外，向工作台54的上表面侧的紫外线固化树脂的提供也可以在工作台54的上表面设置了片材之后进行。
97.接着，按照使保持板74下降而使晶片11的正面11a与紫外线固化树脂接触的方式，使升降机构68进行动作。接着，将开闭器60打开。接着，经由滤光器62和工作台54而从光源58向紫外线固化树脂照射紫外线。由此，使与晶片11的正面11a接触的紫外线固化树脂固
化。其结果为，通过树脂层包覆晶片11的正面11a。
98.这样通过树脂层包覆了正面11a的晶片11通过搬送单元14而从树脂包覆单元50搬出，例如按照在与被该树脂层包覆之前收纳有晶片11的盒2的层(晶片支承槽8的高度)相同的层进行收纳的方式搬入至盒2中。
99.另外，上述的搬送单元14、厚度测量单元24以及树脂包覆单元50的动作由内置于树脂包覆装置12的控制单元76控制。图7是示意性地示出控制单元76的一例的框图。
100.图7所示的控制单元76例如具有：处理部78，其生成用于控制搬送单元14、厚度测量单元24以及树脂包覆单元50的动作的信号；以及存储部80，其存储在处理部78中使用的各种信息(数据和程序等)。例如，在存储部80中，预先存储有厚度测量单元24所包含的第1测量器48a和第2测量器48b的间隔以及包覆晶片11的正面11a的树脂层的预定厚度等。
101.处理部78的功能通过读出并执行存储于存储部80的程序的cpu(central processing unit：中央处理器)等来具体实现。另外，存储部80的功能通过dram(dynamic random access memory：动态随机存取存储器)、sram(static random access memory：静态随机存取存储器)和nand型闪存等半导体存储器、以及hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)等磁存储装置中的至少一个来具体实现。
102.处理部78具有驱动部82、检测部84、厚度计算部86、中心计算部88以及调整部90。在处理部78中，这些功能部同时或不同时地独立地进行处理。
103.驱动部82对使搬送单元14移动的搬送单元移动机构、使厚度测量单元24的暂放工作台40移动的y轴方向移动机构(第1移动机构)28、以及使树脂包覆单元50的保持板74升降的升降机构(第2移动机构)68进行控制。例如，驱动部82对升降机构68进行控制，以使对晶片11进行吸引保持的保持板74的保持面与被提供了紫外线固化树脂的工作台54的上表面之间的间隔成为规定的间隔。
104.检测部84参照厚度测量单元24的第1测量器48a或第2测量器48b的测量结果，对与x轴方向和y轴方向平行的平面(xy坐标平面)上的晶片11的外周缘上的点的坐标进行检测。例如，检测部84将不能通过第1测量器48a或第2测量器48b测量到晶片11的距离的xy坐标平面上的坐标检测为晶片11的外周缘上的点的坐标。
105.具体而言，第1测量器48a和第2测量器48b分别朝向晶片11投射激光束并且接受在晶片11上反射的激光束。这里，当该激光束照射到晶片11的被倒角的外周缘附近时，朝向与分别朝向第1测量器48a和第2测量器48b的方向不同的方向反射。
106.而且，在该情况下，不能通过第1测量器48a和第2测量器48b分别测量到晶片11的距离。另一方面，在该激光束被投射至晶片11的平坦的正面11a或背面11b的情况下，能够通过第1测量器48a和第2测量器48b分别测量到晶片11的距离。
107.因此，通过参照以使晶片11的外周缘上的点通过测量位置的方式使暂放工作台40移动时的第1测量器48a或第2测量器48b的测量结果，能够检测晶片11的外周缘上的点在xy坐标平面上的坐标。例如，能够将与能够测量到晶片11的距离的xy坐标平面上的坐标相邻的不能测量到晶片11的距离的坐标检测为晶片11的外周缘上的点的坐标。
108.厚度计算部86根据第1测量器48a和第2测量器48b的测量结果来计算晶片11的厚度。例如，厚度计算部86通过从存储于存储部80的第1测量器48a和第2测量器48b之间的间隔减去通过第1测量器48a测量的第1测量器48a和晶片11的之间间隔以及通过第2测量器
48b测量的第2测量器48b和晶片11之间的间隔，测量晶片11的厚度。
109.中心计算部88计算放置于厚度测量单元24的暂放工作台40的保持面的晶片11的中心的位置。具体而言，中心计算部88根据由检测部84检测出的晶片11的外周缘上的至少3点在xy坐标平面上的坐标，计算晶片11的中心的位置。
110.关于这一点，参照图8进行说明。图8是示意性地示出在晶片11的中心与暂放工作台40的保持面的中心偏移的状态下放置于该保持面的晶片11的俯视图。另外，在图8中，为了便于说明，省略了形成于晶片11的正面11a上的凸块15。
111.另外，图8也可以表现为示出以暂放工作台40的保持面的中心为原点o的xy坐标平面。而且，在图8中，晶片11的中心位于从保持面的中心(原点o)偏移的位置、即xy坐标平面上的坐标(xc，yc)的位置。
112.这里，当将晶片11的外周缘上的3点在xy坐标平面上的坐标设为(x1，y1)、(x2，y2)以及(x3，y3)时，晶片11的中心在xy坐标平面上的坐标(xc，yc)通过以下的数式1和数式2来计算。
[0113][0114][0115]
而且，中心计算部88通过将由检测部84检测出的晶片11的外周缘上的至少3点在xy坐标平面上的坐标的具体值代入到上述的数式1和数式2，计算晶片11的中心在xy坐标平面上的坐标(xc，yc)。
[0116]
调整部90将通过搬送单元14从暂放工作台40搬出晶片11时的吸引垫22的中心点调整为与晶片11的中心对应的位置。即，调整部90按照使此时的吸引垫22的中心点成为xy坐标平面上的坐标(xc，yc)的方式，使收纳于搬送单元14的搬送基台16的致动器和搬送臂18进行动作。
[0117]
图9是示意性地示出使用树脂包覆装置12通过树脂层包覆晶片11的正面11a的树脂包覆方法的一例的流程图。在该方法中，首先，使用厚度测量单元24对晶片11的厚度进行测量(厚度测量步骤：s1)。
[0118]
图10是示意性地示出厚度测量步骤(s1)的详细过程的一例的流程图。在该厚度测量步骤(s1)中，首先，利用暂放工作台40对晶片11进行保持(暂放工作台保持步骤：s11)。图11是示意性地示出暂放工作台保持步骤(s11)的情形的侧视图。
[0119]
在该暂放工作台保持步骤(s11)中，搬送单元14按照使晶片11的正面11a朝上的方式将晶片11搬入至暂放工作台40。具体而言，首先，在吸引垫22吸引保持着晶片11的正面11a侧的状态下，搬送单元14从盒2中搬出晶片11。
[0120]
接着，按照将搬送晶片11的搬送单元14定位于厚度测量单元24的附近的方式使搬送单元移动机构进行动作。接着，按照将晶片11定位于能够通过搬送单元14搬入至暂放工作台40的保持面的位置(例如从第1测量器48a和第2测量器48b分开的位置)的方式使y轴方向移动机构28进行动作。
[0121]
接着，在晶片11的背面11b朝下的状态、即利用吸引垫22的下侧吸引保持着晶片11的正面11a侧的状态下，按照使吸引垫22的中心点接近暂放工作台40的保持面的中心的方式使搬送单元14进行动作。接着，使与设置于吸引垫22的保持面的吸引孔连接的吸引源的动作停止。
[0122]
由此，将晶片11的背面11b侧放置于暂放工作台40的保持面。另外，该保持面的直径(框体42的外径)比晶片11的直径短。因此，晶片11的外周缘配置于比暂放工作台40的保持面靠外侧的位置。
[0123]
接着，在使经由阀等而与暂放工作台40的多孔板44的下表面侧连接的吸引源进行动作的状态下，将该阀打开。由此，利用暂放工作台40的保持面对晶片11的背面11b的中央区域进行吸引保持。通过以上，完成暂放工作台保持步骤(s11)。
[0124]
在该暂放工作台保持步骤(s11)之后，参照第1测量器48a或第2测量器48b的测量结果，对晶片11的外周缘上的点的坐标进行检测(检测步骤：s12)。图12是示意性地示出检测步骤(s12)的情形的侧视图。
[0125]
在该检测步骤(s12)中，首先，开始来自第1测量器48a的激光束l1的投光或者来自第2测量器48b的激光束l2的投光。接着，y轴方向移动机构28使暂放工作台40沿着y轴方向移动，以使晶片11的外周缘上的点通过第1测量器48a和第2测量器48b之间的测量位置。
[0126]
即，在检测步骤(s12)中，取得包含在测量位置不存在晶片11的状态、存在晶片11的外周缘的状态以及存在晶片的比外周缘靠内侧的部分的状态的各个状态下的第1测量器48a或第2测量器48b的测量值在内的测量结果。
[0127]
这里，当该激光束l1、l2照射到晶片11的被倒角的外周缘附近时，朝向与分别朝向第1测量器48a和第2测量器48b的方向不同的方向反射。而且，在该情况下，不能通过第1测量器48a和第2测量器48b分别测量到晶片11的距离。
[0128]
另一方面，在该激光束投射至晶片11的平坦的正面11a或背面11b的情况下，能够通过第1测量器48a和第2测量器48b分别测量到晶片11的距离。因此，在检测步骤(s12)中取得的第1测量器48a或第2测量器48b的测量结果不仅包含表示到晶片11的距离的测量值，还包含表示不能测量的错误值。
[0129]
而且，在该测量结果中，将与能够测量到晶片11的距离的xy坐标平面上的坐标相邻的不能测量到晶片11的距离的xy坐标平面上的坐标检测为晶片11的外周缘上的点的坐标。通过以上，完成检测步骤(s12)。
[0130]
在检测步骤(s12)之后，第1测量器48a测量第1测量器48a和晶片11之间的间隔，并且第2测量器48b测量第2测量器48b和晶片11之间的间隔(测量步骤：s13)。图13是示意性地示出测量步骤(s13)的情形的侧视图。
[0131]
在该测量步骤(s13)中，首先，将晶片11的被测量点定位于第1测量器48a和第2测量器48b之间的测量位置，该晶片11的被测量点在俯视时比通过检测步骤(s12)检测出的晶片11的外周缘上的点接近晶片11的中心规定的距离d，并且位于暂放工作台40的保持面的外侧。
[0132]
接着，第1测量器48a朝向下方而投射激光束l1，并且接受在晶片11的正面11a上反射的激光束l1。同样地，第2测量器48b朝向上方而投射激光束l2，并且接受在晶片11的背面11b上反射的激光束l2。
[0133]
由此，对从第1测量器48a到晶片11的正面11a的距离(第1测量器48a和晶片11之间的间隔)i1以及从第2测量器48b到晶片11的背面11b的距离(第2测量器48b和晶片11之间的间隔)i2进行测量。通过以上，完成测量步骤(s13)。
[0134]
在测量步骤(s13)之后，计算晶片11的厚度(厚度计算步骤：s14)。具体而言，控制单元76的厚度计算部86通过从存储于存储部80的第1测量器48a和第2测量器48b之间的间隔减去在测量步骤(s13)中测量出的第1测量器48a和晶片11之间的间隔i1以及第2测量器48b和晶片11之间的间隔i2，计算晶片11的厚度。
[0135]
通过以上，完成厚度测量步骤(s1)。在厚度测量步骤(s1)之后，使用树脂包覆单元50通过树脂层包覆晶片11的正面11a。具体而言，首先，使用片材提供单元将片材放置于树脂包覆单元50的工作台54(片材载置步骤：s2)。另外，也可以省略片材载置步骤(s2)。
[0136]
在该片材载置步骤(s2)之后，利用保持板74对晶片11的背面11b侧进行保持(保持步骤s3)。具体而言，首先，在吸引垫22吸引保持着晶片11的正面11a的状态下，搬送单元14从暂放工作台40搬出晶片11。
[0137]
接着，按照将搬送晶片11的搬送单元14定位于树脂包覆单元50的附近的方式使搬送单元移动机构进行动作。接着，按照使晶片11的背面11b朝上的方式、即按照利用吸引垫22的上侧对晶片11的正面11a侧进行吸引保持的方式使吸引垫22翻转。
[0138]
接着，按照使吸引垫22的中心点接近保持板74的保持面的中心的方式使搬送单元14进行动作。接着，使与设置于吸引垫22的保持面的吸引孔连接的吸引源的动作停止。接着，使与保持板74的多孔板的上表面侧连接的吸引源进行动作。由此，将晶片11的背面11b侧吸引保持于保持板74的保持面。
[0139]
在该保持步骤(s3)之后，按照使吸引垫22从保持板74和工作台54之间退避的方式使搬送单元14进行动作。然后，从树脂提供源向工作台54的上表面提供液态的紫外线固化树脂(树脂提供步骤：s4)。另外，该树脂提供步骤(s4)也可以在保持步骤(s3)之前进行。
[0140]
在保持步骤(s3)和树脂提供步骤(s4)之后，使保持板74与工作台54接近(接近步骤：s5)。此时，保持板74与工作台54之间的间隔根据通过厚度测量步骤(s1)测量出的晶片11的厚度来决定。例如，该间隔的值等于通过厚度测量步骤(s1)测量出的晶片11的厚度与存储于存储部80的包覆晶片11的正面11a的树脂层的预定厚度之和。
[0141]
在该接近步骤(s5)之后，使液态的紫外线固化树脂固化(固化步骤：s6)。具体而言，首先，将开闭器60打开。接着，经由滤光器62和工作台54而从光源58对紫外线固化树脂照射紫外线。由此，与晶片11的正面11a接触的紫外线固化树脂固化。其结果为，晶片11的正面11a被树脂层包覆。
[0142]
在上述树脂包覆方法中，能够使对晶片11进行保持的暂放工作台40沿着y轴方向移动。因此，在上述树脂包覆方法中，能够在参照第1测量器48a或第2测量器48b的测量结果而检测出晶片11的外周缘上的点的坐标之后，对从该点接近晶片11的中心规定的距离而得的被测量点处的晶片11的厚度进行测量。由此，在上述树脂包覆方法中，通过根据晶片11的种类设定该规定的距离，能够适当地实施用于抑制包覆晶片11的正面的树脂层的厚度的偏差的晶片11的厚度的测量。
[0143]
此外，在本发明的树脂包覆方法中，也能够高效地实施搬入至树脂包覆单元50的晶片11的对位。以下，对这一点进行说明。首先，在盒2中，晶片11收纳于宽度比晶片11宽的
空间，有时晶片11的中心从盒2的水平方向上的中心偏移。
[0144]
在该情况下，使用搬送单元14从盒2中搬出晶片11时的吸引垫的中心点和与晶片11的中心对应的位置偏移。在这样的状态下，当搬送单元14将晶片11搬入至厚度测量单元24的暂放工作台40的保持面时，晶片11的中心与暂放工作台40的保持面的中心也偏移。
[0145]
与此相对，在上述树脂包覆装置12中，暂放工作台40借助θ工作台38而与旋转驱动源连结，因此能够检测晶片11的外周缘上的多个点的坐标。即，通过使暂放工作台40以任意的角度旋转几次，并且在各旋转的前后进行在上述检测步骤(s12)中进行的动作，能够检测晶片11的外周缘上的多个点的坐标。
[0146]
如果能够这样检测晶片11的外周缘上的至少3点的坐标，则如上所述，控制单元76的中心计算部88能够计算晶片11的中心。即，本发明的树脂包覆方法也可以包含根据在检测步骤(s12)中检测出的晶片11的外周缘上的至少3点的坐标来计算晶片11的中心的中心计算步骤。
[0147]
而且，如果能够这样计算晶片11的中心，则如上所述，控制单元76的调整部90能够将通过搬送单元14将晶片11从暂放工作台40搬出时的吸引垫22的中心点调整为与晶片11的中心对应的位置。即，本发明的树脂包覆方法也可以包含将通过搬送单元14将晶片11从暂放工作台40搬出时的吸引垫22的中心点调整为与晶片11的中心对应的位置的调整步骤。
[0148]
通过这样实施中心计算步骤和调整步骤，在进行搬入至树脂包覆单元50的晶片11的对位的情况下，不需要在上述树脂包覆装置12中设置用于晶片11的对位的机构。因此，能够抑制树脂包覆装置12的制造成本的上升。
[0149]
另外，本发明的树脂包覆方法也可以使用构成要素与上述树脂包覆装置12不同的树脂包覆装置来实施。例如，也可以没有树脂包覆装置12的厚度测量单元24所包含的第2测量器48b。在该情况下，也可以在控制单元76的存储部80中预先存储暂放工作台和第1测量器48a的间隔。
[0150]
在这样的树脂包覆装置中，通过从存储于存储部80的暂放工作台和第1测量器48a之间的间隔减去由第1测量器48a测量的第1测量器48a和晶片11之间的间隔，能够计算晶片11的厚度。
[0151]
但是，晶片11有时产生翘曲。即，晶片11的正面11a和背面11b有时会呈圆弧状弯曲。因此，在这样的树脂包覆装置中，有可能无法准确地测量晶片11的厚度。例如，在晶片11以晶片11的正面11a的外周缘附近的位置比中心附近的位置高的方式翘曲的情况下，如上述那样计算的晶片11的厚度比实际的晶片11的厚度厚。
[0152]
另一方面，在这样的树脂包覆装置中，通过具有直径比晶片11长的圆状的保持面的暂放工作台对晶片11进行吸引保持，由此能够抑制晶片11的翘曲。但是，测量为了在这样的暂放工作台中对晶片11进行吸引保持而设置的多孔板的准确的厚度并不容易。因此，在这样的树脂包覆装置中，也有可能无法准确地测量晶片11的厚度。
[0153]
另外，树脂包覆装置12的厚度测量单元24所包含的第1测量器48a和第2测量器48b也可以置换成接触式的厚度测量器。但是，在通过接触式的厚度测量器对晶片11的厚度进行测量的情况下，有可能损伤形成于晶片11的正面11a的凸块15等。
[0154]
因此，本发明的树脂包覆方法优选使用上述树脂包覆装置12来实施。即，本发明的树脂包覆方法优选使用具有厚度测量单元24的树脂包覆装置12来实施，该厚度测量单元24
具有：非接触式的第1测量器48a和第2测量器48b；以及暂放工作台40，其具有直径比晶片11短的圆状的保持面。
[0155]
另外，在本发明的树脂包覆方法中，也可以在将晶片11搬入至树脂包覆单元50之前，将晶片11的正面11a借助带而与环状框架一体化。该带具有直径比晶片11长的带基材以及呈环状设置于与晶片11和环状框架对置的带基材的面的粘接层。
[0156]
而且，该粘接层设置成粘贴于环状框架的一个面和晶片11的正面11a的外周缘附近的未设置凸块15的区域。即，该粘接层未设置于与晶片11的正面11a的设置有凸块15的区域对置的带基材的区域。
[0157]
另外，在该情况下，保持板74与工作台54之间的间隔的值等于通过厚度测量步骤(s1)测量出的晶片11的厚度、存储于存储部80的包覆晶片11的正面11a的树脂层的预定厚度以及粘贴于晶片11的正面11a的带的厚度之和。
[0158]
除此以外，上述实施方式的构造和方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则能够适当地变更来实施。例如，在本发明的树脂包覆装置中，也可以将厚度测量单元24的y轴方向移动机构28置换成使第1测量器48a和第2测量器48b沿着y轴方向移动的y轴方向移动机构。
[0159]
即，在本发明的树脂包覆装置中，只要能够使暂放工作台40与第1测量器48a和第2测量器48b沿着与暂放工作台40的保持面平行的方向相对地移动即可，用于此功能的构成要素没有限定。
[0160]
同样地，在本发明的树脂包覆装置中，也可以将树脂包覆单元50的升降机构68置换成使工作台54升降的升降机构。即，在本发明的树脂包覆装置中，只要能够使保持板74与工作台54沿着铅垂方向相对地移动即可，用于此功能的构成要素没有限定。
[0161]
另外，在本发明的树脂包覆方法中，用于在晶片11的正面11a上形成树脂层的液态树脂并不限定于紫外线固化树脂。例如，该树脂也可以置换成热固化性树脂。另外，在该情况下，树脂包覆单元50的树脂固化器56也可以置换成加热器。

技术特征：

1.一种树脂包覆方法，通过树脂层包覆圆板状的晶片的正面，其特征在于，该树脂包覆方法具有如下的步骤：厚度测量步骤，对该晶片的厚度进行测量；保持步骤，利用保持板对该晶片的背面侧进行保持；树脂提供步骤，向与该保持板对置的工作台提供液态树脂；接近步骤，按照使该保持板与该工作台之间的间隔成为根据通过该厚度测量步骤测量出的该晶片的厚度而决定的间隔的方式，使该保持板与该工作台接近；以及固化步骤，使该液态树脂固化，该厚度测量步骤具有如下的步骤：暂放工作台保持步骤，利用具有保持面并能够以通过该保持面的中心且与该保持面垂直的直线为旋转轴线进行旋转的暂放工作台，对在俯视时外周缘配置于比该保持面靠外侧的位置的该晶片进行保持；检测步骤，一边使该暂放工作台与在垂直于该保持面的方向上相互对置的第1测量器和第2测量器按照使该外周缘上的点通过该第1测量器和该第2测量器之间的测量位置的方式沿着与该保持面平行的方向相对地移动，一边通过该第1测量器测量该第1测量器与该晶片之间的间隔或者通过该第2测量器测量该第2测量器与该晶片之间的间隔，参照由此得到的测量结果来检测该点的坐标；测量步骤，在将该晶片的被测量点定位于该测量位置的状态下，通过该第1测量器测量该第1测量器与该晶片之间的间隔，并且通过该第2测量器测量该第2测量器与该晶片之间的间隔，其中，该晶片的被测量点在俯视时比该点接近该晶片的中心规定的距离并且位于该保持面的外侧；以及厚度计算步骤，通过从该第1测量器与该第2测量器之间的间隔减去在将该被测量点定位于该测量位置的状态下由该第1测量器测量的该第1测量器与该晶片之间的间隔以及由该第2测量器测量的该第2测量器与该晶片之间的间隔，计算该晶片的厚度。2.根据权利要求1所述的树脂包覆方法，其特征在于，该树脂包覆方法还包含如下的步骤：中心计算步骤，根据在该检测步骤中检测到的该外周缘上的至少3点的坐标来计算该晶片的中心；以及调整步骤，将通过搬送单元从该暂放工作台搬出该晶片时的该吸引垫的中心点调整成与该晶片的中心对应的位置，其中，该搬送单元具有对该晶片进行吸引的吸引垫，对该晶片进行搬送。3.一种树脂包覆装置，其通过树脂层包覆圆板状的晶片的正面，其特征在于，该树脂包覆装置具有：厚度测量单元，其对该晶片的厚度进行测量；树脂包覆单元，其通过该树脂层包覆该晶片的该正面；以及控制单元，其对该厚度测量单元和该树脂包覆单元进行控制，该厚度测量单元具有：暂放工作台，其具有对该晶片进行保持的保持面，能够以通过该保持面的中心且与该保持面垂直的直线为旋转轴线进行旋转；
第1测量器和第2测量器，该第1测量器和第2测量器在与该保持面垂直的方向上相互对置；以及第1移动机构，其使该暂放工作台与该第1测量器和该第2测量器沿着与该保持面平行的方向相对地移动，该第1测量器对该第1测量器与被定位于该第1测量器和该第2测量器之间的测量位置的该晶片之间的间隔进行测量，该第2测量器对该第2测量器与被定位于该测量位置的该晶片之间的间隔进行测量，该树脂包覆单元具有：保持板，其对该晶片进行保持；工作台，其与该保持板对置；树脂提供源，其向该工作台提供液态树脂；第2移动机构，其调整该保持板与该工作台之间的间隔；以及树脂固化器，其使该液态树脂固化，该控制单元具有：驱动部，其按照使在俯视时外周缘配置于比该保持面靠外侧的位置的该晶片的该外周缘上的点通过该测量位置的方式对该第1移动机构进行驱动，并且按照使对该晶片进行保持的该保持板与被提供了该液态树脂的该工作台之间的间隔成为根据该晶片的厚度而决定的间隔的方式对该第2移动机构进行驱动；检测部，其参照该外周缘上的点通过该测量位置时的该第1测量器或该第2测量器的测量结果来检测该点的坐标；以及厚度计算部，其通过从该第1测量器与该第2测量器之间的间隔减去在将该晶片的被测量点定位于该测量位置的状态下由该第1测量器测量的该第1测量器与该晶片之间的间隔以及由该第2测量器测量的该第2测量器与该晶片之间的间隔，计算该晶片的厚度，其中，该晶片的被测量点在俯视时比该点接近该晶片的中心规定的距离并且位于比该保持面靠外侧的位置。4.根据权利要求3所述的树脂包覆装置，其特征在于，该树脂包覆装置还具有搬送单元，该搬送单元具有对该晶片进行吸引的吸引垫，对该晶片进行搬送，该控制单元还具有：中心计算部，其根据由该检测部检测到的该外周缘上的至少3点的坐标来计算该晶片的中心；以及调整部，其将通过该搬送单元从该暂放工作台搬出该晶片时的该吸引垫的中心点调整成与该晶片的中心对应的位置。

技术总结

本发明提供树脂包覆方法和树脂包覆装置，在不受晶片的种类影响的情况下适当地实施用于抑制包覆晶片的正面的树脂层的厚度的偏差的晶片的厚度的测量。使对晶片进行保持的暂放工作台与第1测量器和第2测量器沿着与暂放工作台的保持面平行的方向相对地移动。在该情况下，在参照第1测量器或第2测量器的测量结果而检测出晶片的外周缘上的点的坐标之后，能够测量从该点接近晶片的中心规定的距离的被测量点处的晶片的厚度。由此，通过根据晶片的种类来设定该规定的距离，能够适当地实施用于抑制包覆晶片的正面的树脂层的厚度的偏差的晶片的厚度的测量。的厚度的测量。的厚度的测量。