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ELECTRONICS WORLD ・技术交流
随着科技的发展，人们对电子产品需求日渐增加，对集成电路的要求也随之增加，静电防护是集成电路设计、封装、运输和组装中十分重要的一部分工作。本文从静电产生的原因、静电的危害以及静电放电模型出发进行分析，最后给出了在生产中静电防护的一些建议，供相关人员进行参考使用。 1 静电的产生原因
自然界中的物质都是由分子和原子所构成，原子是由带正电荷的原子核和带负电荷的电子组成，其中原子核又有带正电荷的质子和不带电荷的中子所形成。在正常条件下，原子所带的正电荷数量与负电荷数脚手架扣件
量相等，因此对外不显示带电性质。最常见的静电产生方式有三种：第一，摩擦带电：当物体之间进行快速的摩擦或者相互碰撞时，不仅会在表面产生一定量的热能，而且两个接触面之间的距离也因此迅速减小；如果两者之间的距离小于物体分子力所作用的距离，并且摩擦或者碰撞所产生的能量大于一定的阈值，那么对电子束缚能力相对弱的物体将失去电子，而对电子束缚能力强的电子将得到电子。第二，感应带电：当物体处于强电场空间时，物体表面两端的正负电荷因分布不均匀而带电。第三，接触带电：当两个物体表面接触，并且存在电位差，在接触面就会发生电荷转移而带电。
2 静电危害
静电放电是一种瞬时的放电现象，发生在两个带电物体接近时，静电电荷在其间转移，其典型持续时间约150ns ，其瞬间电流可能到达几十安培，而电压甚至可能为几十千伏特。静电放电过程探究静电放电的原理，更好地对静电放电这一过程进行防护，对静电放电的放电源和放电形式进行归纳建模总结，常采用的有三种模型：（1)人体模型（Human Body Model, HBM)；（2）机器模型（Machine Model, MM)；（3）带电器件模型（Charged Device Model, CDM)。3.1 人体模型HBM
pwm转模拟电压
人体模型是半导体行业中最常用的放电模型，在各种复杂条件下人体均可以携带静电，然后通过在正常的处理或组装操作时将电荷转移到半导体器件，该模型旨在模拟当人体被充电（通过运动、步行等），然后通过触摸集成电路的引脚放电时所发生的情况。一次性封条
假设该设备在放电时处于较低电势，其中最坏的情况是器件设备接地。等效的HBM 电路包括HBM 电阻R=1.5kQ ，HBM 电容器C=100pF ，串联电感LS=8H 和HBM 电阻的可选杂散电容CS=1.5pF ，具有寄生元件的HBM 的等效RLC 电路如图1所示。
由于H B M 中存在较大的电阻，因此可以将放电模型等效为电流源；对于2kV 的HBM 静电放电模型，电流峰值通常为1.20A-1.48A ，上升时间为2ns-10ns ，衰减时间为130ns–170ns 。
在现实世界中，人的电阻和电容可能与此模型不同。一方面是由于环境温度和相对湿度也会影响电流波形，空气中的水分含量控制着空气阻力，在较高的湿度下，更难产生和维持电荷。
退火窑例如：走过地毯可以在低湿度下产生35kV ，而在高湿度下产生 1.5kV 。另一方面，静电放电电流随着环境温度的升高而增加。在恒定湿度下温度的升高导致空气中离子动能的增加，从而导致更高速度的流动。
浅析集成电路的静电保护
顺桨中国电子科技集团公司第二十四研究所 杨 勇 蔡建荣
图1 人体模型HBM等效电路图
将对集成电路产生作用力，对集成电路造成硬击穿和软击穿，使集成电路瞬间受到破坏或者使用寿命缩短。尤其是M0S 场效应管和JFET 结型场效应管，他们的栅极与衬底间的二氧化硅绝缘层之间的击穿电压大概在150V ，当距离带电体较近时形成脉冲放电，则栅极会产生不可逆转性烧毁从而造成集成电路损坏。
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3 常见静电放电模型分析
为了深入理解静电放电过程，
