人造板热压机
受控状态：
生效日期：
版 本 | 修改范围或修改条例 | 修改日期 | 修改人 | 校 核 |
A/0 | 新编制 | | | |
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led灯罩 | | | | |
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1 目的
为进一步提高半导体模块的质量，在进料时严格把关，明确来料品质验收标准，规范检验动作，使检验、判定标准达到一致性。
2 范围
本规范适用我司所有半导体模块件，即为半导体模块检验通用标准，具体包括二极管（包括整流桥）、IGBT、晶闸管及其模块。 3 参考资料
《外购件检验规范》。
4 检验工具及要求
4.2 检验要求：此类器件为静电敏感型，来料包装必须符合相关防静电要求，检验时必须佩带静电手环或者静电手套。
5 常见半导体厂商
此类器件进货渠道均为代理厂家，检验记录同时填写代理厂商和原厂商。
常见原厂商 | 品牌标识 |
英飞凌 | |
西门康 | |
艾赛斯 | pva抛光轮 |
威世 | |
科锐 | |
美高森美 | |
威海新佳 | |
APT | |
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6 外观检验
6.1 检查产品的型号规格、厂商是否正确；
6.2 包装良好且符合防静电要求，有产品出厂检验合格证或条形码
6.3 生产日期必须在两年以内，同一次送货，每一种类电子元器件的批次号不能超过2个批次。
6.4 标志丝印应正确、清晰；
6.5 本体不应有损伤、沾污、锈斑、开裂，底部要求平整，无划痕。
7 二极管模块检验
7.1 测试方法
二极管符号
将数字万用表档位调节到二极管测试档，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测试的是二极管的正向电压，然后将表笔对调测试二极管的反向电压，应符合以下规定。 规定：小功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6～0.8V；锗管0.2～0.5V。大功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6～1.0V；锗管0.2～0.6V。反向不导通，数字万用表显示0L。
7.2 常见二极管模块
对于以下二极管模块，可将其拆分为多个二极管进行测试，分别测量单个二极管的管压降，必须全部符合上述规定。
串联 共阳 共阴
单向整流桥 三相整流桥
8 IGBT模块检验
8.1 工作原理
制备乙酸乙酯的装置 如下图所示，在IGBT的栅极G和发射机E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G与发射极E之间施加十几V的直流电压，只有uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
IGBT等效电路 IGBT符号
8.2 管压降测试
将数字万用表档位调节到二极管测试档，参照二极管测试方法，测量EC脚正向和反向电压值（即EC极外接续流二极管的压降），应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》。
管压降测试
8.3 结电容测试
将数字万用表档位调节到电容测试档，测量GE结电容值（即输入电容），万用表红表笔接G极，黑表笔接E极，所测得的电容值应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》。
8.4 绝缘测试
对于存放三年以上或从其它仓转原材料仓的IGBT类半导体电子元器件，需增加绝缘电阻测试。
要求：500V绝缘电阻测试仪测定逆变器对外壳的绝缘电阻＞10MΩ。
9 晶闸管模块检验
9.1 工作原理
如下图所示，晶闸管有三个极，阳极A，阴极K，门极G，只有在GK两极之间加上正向偏置电压，AK极之间才能导通，此时撤销GK两极正向偏置电压，不影响AK极导通，只有将AK极电压倒置，才能阻断AK极之间的导通状态。
晶闸管结构原理图
9.2 测试方法
① 数字万用表选用电阻档，测量晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时万用表读数均为几十兆欧（阻值无穷大），若万用表阻值读数不为几十兆欧（不为无穷大），说明该单向晶闸管内部已击穿损坏。
② 数字万用表选用电阻档，测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正
向电阻值较小（小于2kΩ），反向电阻值较大（大于80kΩ）。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效，其G、K极间PN结已失去单项导电作用。
