颗粒冷却塔
工作特点
1．晶圆厂简介
3．晶圆厂所需化学物质及其特性
4．工作内容
1．晶圆厂简介
晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。相对湿度为65%。一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能
由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。一般我们皆以气体特性来区分。微型麦克风
可分为特殊气体及一般气体两大类。前者为使用量较小之气体。如SiH4、NF3等。后者为使用量较大之气体。如N2、CDA等。因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。即Bulk Gas。特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。 目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：
采集重构半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：
<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化
合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机 缓衡储存槽 冷却干燥机
过滤器 CDA
冯代存
<2> GN2
利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=°C O2=-183°C
PN2
将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为%
经纯化器纯化过的氮的纯度为%
GN2&PN2 System(见附图)
<3> PO2
经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。另外可由电解方式解离H2&O2
PO2 System（见附图）
<4> PAr
经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得%以上纯度之氩气。因Ar在空气中含量仅%。生产成本相对较高。
PAr System (见附图)
<5> PH2
经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得%以上纯度之H2。另外可由H2O电解解离H2&O2。制程廉价但危险性高易触发爆炸。
PH2 System (见附图)
<6> PHe
由稀有富含He的天然气中提炼，其主产地为美国及俄罗斯。利用压缩机压缩冷却气体为液态气体，易由分溜获得。
He lium=°C Methane (甲烷)= °C
PHe System (见附图)
2-1-3 大宗气体在半导体厂中的用途
CDA主要供给FAB内气动设备动力气源及吹净(Purge),Local Scurruber助燃。
ICA主要供给厂务系统气动设备动力气源及吹净。
N2主要供给部份气动设备气源或供给吹净、稀释惰性气体环境及化学品输送压力来源。
透水混凝土施工方案 O2供给ETCH制程氧化剂所需及CPCVD制程中供给氧化制程用，供给O3 Generator所
需之O2供应及其他制程所需。
Ar供给Sputter制程，离子溅镀热传导介质，Chamber稀释及惰性气体环境。
金属活接 H2供给炉管设备燃烧造成混氧环境，POLY制程中做H2 BAKE之用。W-PLUG制程中作为WF6之还原反应气体及其他制程所需。
