电磁炉电路板简单维修方法
一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序 电流保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。 2．检测IGBT是否击穿：
用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿。
A：“E”极与“G”极；“C”极与“G”极，正反测试均不导通(正常)。
B：万用表红笔接”E“极，黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降（型号为GT40T101三极全不通）。 3．测量互感器是否断脚，正常状态如下：
用万用表电阻档测量互感器次级电阻约80Ω；初极为0Ω。
4．整流桥是否正常（用万用表二极管档测试）：
A：万用表红笔接“-”，黑笔接“+”有0.9V左右的电压降，调反无显示。
B：万用表红笔接“-”，黑笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降，调反无显示。
C：万用表黑笔接“+”，红笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降，调反无显示。
5．检查电容C301；C302；C303；是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔） 6．检测芯片8316是否击穿：
测量方法：用万用表测量8316引脚，要求1和2；1和4；7和2；7和4之间不能短路。
7．IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿：
二、按键动作不良
用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有0.7V左右的电压降，万用表红笔接“地”；黑笔接“CPU每一极口线”。否则，说明CPU口线击穿。
三、功率不能达到到要求
1．线圈盘短路：测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157±5μH，PD系列为L=140±5μH。
2．锅具与线圈盘距离是否正常。
3．锅具是否是指定的锅具。
四、检查各元气件是否松动，是否齐全。
装配后不良状况的检查：
1.不加热：检查互感器是否断脚。
2.插电后长鸣：检查温度开关端子是否接插良好。
3.无法开机：检查热敏电阻端子是否接插良好。
4.无小物检知（不报警）：检查电阻R301~R307是否正常。
R301~R302为68KΩ
R303~R306为130KΩ
R307为3.0KΩ
5.风扇不转；检查三极管Q2是否烧坏。（一般烧坏三极管引脚跟部已发黄；也可用万用表二极管档测量）
电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析(一)
一.电磁加热原理
电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电
路将 50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为 20-40KHz 的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿 ( 导磁又导电材料 ) 底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。
二、电磁炉电路工作原理分析
2.1 常用元器件简介
2.1.1 LM339 集成电路
LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器 , 当电压比较器输入端电压正向时 (+ 输入端电压高于 - ca3780入输端电压 ), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止 , 此时输出端相当于开路 ; 当电压比较器输入端电压反向时 (- 输入端电压高于 + 输入端电压 ), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管导通 , 将比较器外部接入输出端的电压拉低 , 此时输出端为 0V 。
2.1.2 IGBT洗衣机面板
水垢过滤器
绝缘双栅极晶体管 (Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。 IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C
(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET电线杆广告的Rds(on) 的10%。 4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。 IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的 IGBT, 它们的参数如下 :
(1) SGW25N120---- 西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 46A,100 ℃ 时 25A,
内部不带阻尼二极管 , 所以应用时须配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管 (D11) 使用 , 该 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢复二极管 (D11) 后可代用 SKW25N120 。
(2) SKW25N120---- 西门子公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 46A,100 ℃ 时 25A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用时将原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(3) GT40Q321---- 东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 42A,100 ℃ 时 23A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(4) GT40T101---- 东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃肛门塞 时 80A,100 ℃ 时 40A, 内部不带阻尼二极管 , 黄光制程所以应用时须配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管 (D11) 使用 , 该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管 (D11) 后可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管 (D11) 后可代用 GT40T301 。
(5) GT40T301---- 东芝公司出品 , 耐压 1500V, 电流容量 25 ℃ 时 80A,100 ℃ 时 40A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
(6) GT60M303 ---- 东芝公司出品 , 耐压 900V, 电流容量 25 ℃ 时 120A,100 ℃ 时 60A, 内部带阻尼二极管。
(7) GT40Q323---- 东芝公司出品 , 耐压 1200V, 电流容量 25 ℃ 时 40A,100 ℃ 时 20A, 内部带阻尼二极管 , 该 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。
