陶粒砂过滤
镀膜技术简答题
金属薄膜（功能：电极、互连、功函数层）：Al、Au、Cu、Ta、TaN、Ti、TiN、W等•半导体薄膜，单晶硅、Poly-Si、α-Si、SiGe等，绝缘体薄膜（功能：介质层、隔离层、钝化层）–SiO2、Si3N4、SiON、BPSG、High K等。
2：薄膜沉积的常见方法有哪些？(至少列出5种）
蒸发法、溅射法、APCVD、LPCVD、PECVD、MOCVD、热氧化、ALD. 3：请简述溅射制备薄膜的优点。
v型锚固钉
（1）任何固体材料的沉积（高熔点、低蒸气压密度）
（2）薄膜与衬底的粘附性好（1-10eV）
发货系统
（3）较好的台阶覆盖能力（深宽比10:1 TSV）
（4）更高的薄膜纯度，更好的薄膜质量
（5）膜厚的可控性和重复性好
（6）合金薄膜的组分控制好
1-甲基环戊醇（7）车载式高空作业平台可利用反应溅射实现化合物薄膜制备
4：请简述开发PECVD、ICPCVD等低温CVD工艺的意义。 APCVD和LPCVD，工艺温度都需要数百摄氏度以上的高温，在集成电路和电子元器件的制作中，往往难以承受如此高的温度。即使对于能经受高温的硬质合金，高温也容易引起晶粒粗大，生成脆性相，使其变坏，因此必须开发能低温成膜的CVD工艺。 PECVD的低温化工艺，使得电子元器件的制作工艺更加多元化，衬底和薄膜材料的选择更加的广泛。例LPCVD沉积Si3N4，需要在1000℃左右的高温，而采用PECVD，则在300-350℃，ICP在100℃以下即可完成。
5：常规氧化工艺中，为什么一般选择“干氧-湿氧-干氧”的交替氧化方式？
环保电镀
干氧氧化得到的氧化膜质量最好，但是氧化速率慢，难以形成厚膜；湿氧氧化因H2O在高温时分解成H+和HO—，HO-在SiO2中的扩散更快，所以湿氧氧化的生长速率比干氧氧化快很多，但是氧化层的密度比干氧要小，因此在氧化工艺中，为了既保证氧化质量，又要提高氧化速率，硅片的氧化工艺一般选择为“干氧-湿氧-干氧”的交替氧化方式。
