一种增强磁屏蔽的低互调环形器的制作方法

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1.本实用新型涉及环形器技术领域，特别指一种增强磁屏蔽的低互调环形器。

背景技术：

2.随着现代无线通讯技术的发展，在微波电路中具有端口匹配、保护前后级功放、低噪放等用于中间耦合、极间耦合、去耦保护发射源、减少频率牵引、去干扰、分离收发、清除不必要的辐射等电路的环形器应用也越来越广，利用好环形器的作用，可以有效地改善电路品质。
3.现有的环形器尺寸较小，环形器的外壳起到磁场屏蔽的作用，外壳的底部一般会设有开口方便连接柱的安装，但现有的环形器底部开口一般会设计比较大，这样会使环形器的磁屏蔽效果差，产品的电性能达不到预想的效果，满足不了用户要求。
4.因此，针对上述的缺陷和不足，现有技术还有待提高和改进。

技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构紧凑，组装方便，能有效增强磁场屏蔽的增强磁屏蔽的低互调环形器。
6.为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
7.本实用新型所述的一种增强磁屏蔽的低互调环形器，包括壳体、盖板和连接柱，所述壳体内从下往上依次放置有介质环、第一永磁体、第一导磁片、第一旋磁体、中心导体、第二旋磁体、第二导磁片、第二永磁体，还包括第三导磁片，所述壳体外壁设有若干个开槽，所述介质环向外伸出的若干第一安装部，所述第一安装部置于所述开槽内，所述第三导磁片紧密置于所述介质环的环内，所述中心导体向外伸出若干个第二安装部，所述连接柱依次穿设于所述第一安装部和第二安装部上，并与所述中心导体连接，所述盖板位于所述第二永磁体上方且与所述壳体上端固定连接。
8.根据以上方案，所述第一安装部上设有第一安装孔，所述第二安装部上设有第二安装孔，所述连接柱依次穿过第一安装孔和第二安装孔。
9.根据以上方案，所述第一安装部设有开口向上的凹槽，所述凹槽底部设有第一安装孔，所述第二安装部置于所述凹槽内。
10.根据以上方案，包括温度补偿片，所述温度补偿片设于所述第二永磁体与所述盖板之间，且紧贴所述第二永磁体。
11.根据以上方案，所述温度补偿片向外伸出若干个限位块，所述限位块设有开口，所述限位块置于所述凹槽内，所述开口与所述第一安装孔相对应。
12.根据以上方案，所述第一永磁体为锶钙铁氧体，
13.根据以上方案，所述第二永磁体为钐钴磁铁。
14.根据以上方案，所述第一旋磁体和第二旋磁体为铁氧体旋磁。
15.本实用新型在现有技术基础上在环形器底部即所述的第一永磁体下侧增设了一
片导磁片，这样设置能解决壳体底部开口影响磁屏蔽效果的问题，增强了磁场屏蔽；此外本实用新型的壳体内从下至上设置为第三导磁片、第一永磁体、第一导磁片、第一旋磁体、中心导体、第二旋磁体、第二导磁片、第二永磁体，所述第一永磁体为锶钙铁氧体，所述第二永磁体为钐钴磁铁，所述第一旋磁体和第二旋磁体为铁氧体旋磁，通过这样选用合适材料，并将上述置于合适的位置上，使得各个部件间相互配合起到增强磁场的作用，解决的磁场不足的问题。
附图说明
16.图1是本实用新型的爆炸结构示意图。
17.图中：1、壳体；2、盖板；3、连接柱；4、介质环；5、第一永磁体；6、第一导磁片；7、第一旋磁体；8、中心导体；9、第二旋磁体；10、第二导磁片；11、第二永磁体；12、第三导磁片；13、温度补偿片。
具体实施方式
18.下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
19.如图1所示，本实用新型所述的一种增强磁屏蔽的低互调环形器，包括壳体1、盖板2和连接柱3，所述壳体1内从下往上依次放置有介质环4、第一永磁体5、第一导磁片6、第一旋磁体7、中心导体8、第二旋磁体9、第二导磁片10、第二永磁体11，还包括第三导磁片12，所述壳体1外壁设有若干个开槽，所述介质环4向外伸出的若干第一安装部，所述第一安装部置于所述开槽内，所述第三导磁片12紧密置于所述介质环4的环内，所述中心导体8向外伸出若干个第二安装部，所述连接柱3依次穿设于所述第一安装部和第二安装部上，并与所述中心导体8连接，所述盖体2位于所述第二永磁体11上方且与所述壳体1上端固定连接，所述第一永磁体5为锶钙铁氧体；所述第二永磁体11为钐钴磁铁；所述第一旋磁体7和第二旋磁体9为铁氧体旋磁，采用这样设置，即现有技术基础上在环形器底部即所述的第一永磁体5下侧增设了一片导磁片，这样设置能解决壳体底部开口影响磁屏蔽效果的问题，增强了磁场屏蔽；此外本实用新型的壳体内从下至上设置为第三导磁片12、第一永磁体5、第一导磁片6、第一旋磁体7、中心导体8、第二旋磁体9、第二导磁片10、第二永磁体11，所述第一永磁体5为锶钙铁氧体，所述第二永磁体11为钐钴磁铁，所述第一旋磁体7和第二旋磁体9为铁氧体旋磁，通过这样选用合适材料，并将上述置于合适的位置上，使得各个部件间相互配合起到增强磁场的作用，解决的磁场不足的问题。
20.所述第一安装部上设有第一安装孔，所述第二安装部上设有第二安装孔，所述连接柱3依次穿过第一安装孔和第二安装孔，具体的所述第一安装部和第二安装部均设为三个，且均匀分布设置，所述连接柱3与所示中心导体8焊接，采用这样设置，有利于连接柱3的固定，还有利于连接柱3与所述中心导体8进行有效和稳定的连接。
21.所述第一安装部设有开口向上的凹槽，所述凹槽底部设有第一安装孔，所述第二安装部置于所述凹槽内，所述凹槽起到导向和限位的作用，有利于各部件的快速安装。
22.还包括温度补偿片13，所述温度补偿片13设于所述第二永磁体11与所述盖板2之间，且紧贴所述第二永磁体11，所述温度补偿片13能进行温度补偿，使得本实用新型能够应用于高温环境中。
23.所述温度补偿片13向外伸出若干个限位块，所述限位块设有开口，所述限位块置于所述凹槽内，所述开口与所述第一安装孔相对应，采用这样设置，便于温度补偿片13快速稳定的安装于壳体1内部，稳定发挥温度补偿的作用。
24.以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。

技术特征：

1.一种增强磁屏蔽的低互调环形器，包括壳体(1)、盖板(2)和连接柱(3)，所述壳体(1)内从下往上依次放置有介质环(4)、第一永磁体(5)、第一导磁片(6)、第一旋磁体(7)、中心导体(8)、第二旋磁体(9)、第二导磁片(10)、第二永磁体(11)，其特征在于，还包括第三导磁片(12)，所述壳体(1)外壁设有若干个开槽，所述介质环(4)向外伸出的若干第一安装部，所述第一安装部置于所述开槽内，所述第三导磁片(12)紧密置于所述介质环(4)的环内，所述中心导体(8)向外伸出若干个第二安装部，所述连接柱(3)依次穿设于所述第一安装部和第二安装部上，并与所述中心导体(8)连接，所述盖板(2)位于所述第二永磁体(11)上方且与所述壳体(1)上端固定连接。2.根据权利要求1所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述第一安装部上设有第一安装孔，所述第二安装部上设有第二安装孔，所述连接柱(3)依次穿过第一安装孔和第二安装孔。3.根据权利要求2所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述第一安装部设有开口向上的凹槽，所述凹槽底部设有第一安装孔，所述第二安装部置于所述凹槽内。4.根据权利要求3所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，还包括温度补偿片(13)，所述温度补偿片(13)设于所述第二永磁体(11)与所述盖板(2)之间，且紧贴所述第二永磁体(11)。5.根据权利要求4所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述温度补偿片(13)向外伸出若干个限位块，所述限位块设有开口，所述限位块置于所述凹槽内，所述开口与所述第一安装孔相对应。6.根据权利要求1所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述第一永磁体(5)为锶钙铁氧体。7.根据权利要求1所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述第二永磁体(11)为钐钴磁铁。8.根据权利要求1所述的增强磁屏蔽的低互调环形器，其特征在于，所述第一旋磁体(7)和第二旋磁体(9)为铁氧体旋磁。

技术总结

本实用新型涉及环形器技术领域，特别指一种增强磁屏蔽的低互调环形器，包括壳体、盖板和连接柱，壳体内从下往上依次放置有介质环、第一永磁体、第一导磁片、第一旋磁体、中心导体、第二旋磁体、第二导磁片、第二永磁体，还包括第三导磁片，壳体外壁设有若干个开槽，介质环向外伸出的若干第一安装部，第一安装部置于开槽内，第三导磁片紧密置于介质环的环内，中心导体向外伸出若干个第二安装部，连接柱依次穿设于第一安装部和第二安装部上，并与中心导体连接，盖体位于第二永磁体上方且与壳体上端固定连接。本实用新型在现有的低互调环形器的底部增设一片导磁片，能增强环形器的磁屏蔽效果，相应的提升产品电性能，使其满足用户需求。使其满足用户需求。使其满足用户需求。