1.本实用新型涉及
交直流开关技术领域,具体是一种交直流开关的直流
线圈检测装置。
背景技术:
2.目前,交直流电气系统中用电设备的供电控制通常采用交直流接触器、断路器等交直流开关,接触器和断路器均为机械式结构,通过直流线圈可控制接触器或断路器主触点的吸合和关断。若直线线圈两端电压出现异常,导致接触器或断路器不能良好吸合,而触点阻抗较大,工作电流较大时,会导致接触器或断路器的触点粘连,造成损坏。
技术实现要素:
3.本实用新型要解决的技术问题是提供一种交直流开关的直流线圈检测装置,对交直流开关直流线圈的电压进行检测,从而快速实现交直流开关的通断控制,保证交直流开关不受损坏。
4.本实用新型的技术方案为:
5.一种交直流开关的直流线圈检测装置,包括有稳压芯片、光
耦合器和三极管,稳压芯片的引脚1、光耦合器发光二极管的
正极均与交直流开关直流线圈的正极连接,稳压芯片的引脚2与光耦合器发光二极管的负极连接,交直流开关直流线圈的负极、稳压芯片的引脚3均接地,三极管的基极与光耦合器光探测二极管的负极连接,三极管的漏极与微处理器连接,三极管的发射极、光耦合器光探测二极管的正极均连接供电电源。
6.所述的直流线圈检测装置还包括有分压电路,分压电路包括有两个分压电阻,两个分压电阻相互串联连接于交直流开关直流线圈的正极和负极之间,稳压芯片的引脚1连接于两个分压电阻之间的串联线路上。
7.所述的光耦合器发光二极管的正极通过限流电阻与交直流开关直流线圈的正极连接。
8.所述的光耦合器发光二极管上并联有滤波电容和匹配电阻。
9.所述的光耦合器光探测二极管的负极通过第一下拉电阻后接地。
10.所述的光三极管的漏极通过第二下拉电阻后接地。
11.所述的三极管的漏极与微处理器的io接口连接,微处理器通过驱动电路与交直流开关的直流线圈连接。
12.所述的交直流开关的直流线圈检测装置为多个时,多个直流线圈检测装置中三极管的漏极相互并联连接后与微处理器的io接口连接。
13.本实用新型的优点:
14.(1)、本实用新型电路原理简单、元器件少,能快速检测交直流开关直流线圈的电压值;
15.(2)、本实用新型设置有分压电路,可根据实际使用的交直流开关的最低工作电压
要求,调节分压电阻阻值;
16.(3)、本实用新型适用范围宽,可应用于所有采用直流线圈驱动工作的交直流开关;
17.(4)、使用时,可将多个不同交直流开关的直流线圈检测装置与微处理器连接,实现多个交直流开关的同步检测和控制。
附图说明
18.图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
19.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
20.见图1,一种交直流开关的直流线圈检测装置,包括有分压电路、稳压芯片v1、光耦合器e1和三极管q1,分压电路包括有两个分压电阻r1和r2,两个分压电阻r1和r2相互串联连接于交直流开关直流线圈k1的正极和负极之间,稳压芯片v1的引脚1连接于两个分压电阻r1和r2之间的串联线路上,光耦合器e1发光二极管的正极通过限流电阻r3与交直流开关直流线圈k1的正极连接,稳压芯片v1的引脚2与光耦合器e1发光二极管的负极连接,交直流开关直流线圈k1的负极、稳压芯片v1的引脚3均接地,光耦合器e1发光二极管上还并联有滤波电容c1和匹配电阻r4;三极管q1的发射极、光耦合器e1光探测二极管的正极均连接5v供电电源,三极管q1的基极与光耦合器e1光探测二极管的负极连接,光耦合器e1光探测二极管的负极通过第一下拉电阻r5后接地,光三极管的漏极通过第二下拉电阻r6后接地,三极管q1的漏极与微处理器的io接口连接,微处理器通过驱动电路与交直流开关的直流线圈连接。
21.交直流开关的直流线圈可为交直流断路器、交直流接触器或交直流继电器的直流线圈;当稳压芯片v1的引脚1和引脚3之间的触发电压为1.24v,直流线圈两端的电压通过分压电阻r1和r2进行分压,当分压电阻r1上的电压达到1.24v后,稳压芯片v1导通,使得稳压芯片v1的引脚2与引脚3之间形成通路,直流线圈上的电压经过限流电阻r3、光耦合器e1、稳压芯片v1形成导通回路,即光耦合器e1的发光二极管导通,使得光耦合器e1的光探测二极管导通,此时,第一下拉电阻r5上的电压接近5v,三极管q1截止,则第二下拉电阻r6两端的电压为0v,微处理器的io接口为低电平,则判定直流线圈两端的电压正常,微处理器通过控制驱动模块使得交直流开关的直流线圈k1导通上电,交直流开关的主触点保持闭合状态。
22.当直流线圈两端的电压通过分压电阻r1和r2进行分压后,分压电阻r1上的电压小于1.24v后,稳压芯片v1不导通,限流电阻r3、光耦合器e1、稳压芯片v1不能形成导通回路,即光耦合器e1截止,此时,三极管q1导通,5v供电电源经过三极管q1、第二下拉电阻r6形成导通回路,第二下拉电阻r6两端的电压约为5v,微处理器的io接口为高电平,则判定直流线圈两端的电压过低,微处理器通过控制驱动模块使得交直流开关的直流线圈k1断电,交直流开关的主触点断开。
23.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征:
1.一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:包括有稳压芯片、光耦合器和三极管,稳压芯片的引脚1、光耦合器发光二极管的正极均与交直流开关直流线圈的正极连接,稳压芯片的引脚2与光耦合器发光二极管的负极连接,交直流开关直流线圈的负极、稳压芯片的引脚3均接地,三极管的基极与光耦合器光探测二极管的负极连接,三极管的漏极与微处理器连接,三极管的发射极、光耦合器光探测二极管的正极均连接供电电源。2.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的直流线圈检测装置还包括有分压电路,分压电路包括有两个分压电阻,两个分压电阻相互串联连接于交直流开关直流线圈的正极和负极之间,稳压芯片的引脚1连接于两个分压电阻之间的串联线路上。3.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的光耦合器发光二极管的正极通过限流电阻与交直流开关直流线圈的正极连接。4.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的光耦合器发光二极管上并联有滤波电容和匹配电阻。5.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的光耦合器光探测二极管的负极通过第一下拉电阻后接地。6.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的三极管的漏极通过第二下拉电阻后接地。7.根据权利要求1所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的三极管的漏极与微处理器的io接口连接,微处理器通过驱动电路与交直流开关的直流线圈连接。8.根据权利要求7所述的一种交直流开关的直流线圈检测装置,其特征在于:所述的交直流开关的直流线圈检测装置为多个时,多个直流线圈检测装置中三极管的漏极相互并联连接后与微处理器的io接口连接。
技术总结
本实用新型公开了一种交直流开关的直流线圈检测装置,包括有稳压芯片、光耦合器和三极管,稳压芯片的引脚1、光耦合器发光二极管的正极均与交直流开关直流线圈的正极连接,稳压芯片的引脚2与光耦合器发光二极管的负极连接,交直流开关直流线圈的负极、稳压芯片的引脚3均接地,三极管的基极与光耦合器光探测二极管的负极连接,三极管的漏极与微处理器连接,三极管的发射极、光耦合器光探测二极管的正极均连接供电电源。本实用新型可对交直流开关直流线圈的电压进行快速检测,从而快速实现交直流开关的通断控制,保证交直流开关不受损坏。坏。坏。
技术研发人员:
王燕玲 吴鹏 刘东 张红
受保护的技术使用者:
合肥同智机电控制技术有限公司
技术研发日:
2022.10.18
技术公布日:
2023/3/28