蒽类化合物、混合物、组合物以及有机电子器件的制作方法

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1.本技术涉及有机发光技术领域，尤其涉及蒽类化合物、混合物、组合物以及有机电子器件。

背景技术：

2.由于有机半导体材料在合成上具有多样性、制造成本相对较低和优良的光学与电学性能，有机电致发光二极管(organic electroluminescent diodes，又称oled)在光电器件(例如，平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。
3.有机电致发光现象是指利用有机物质将电能转化为光能的现象。利用了有机电致发光现象的有机电致发光元件通常包括正极、负极以及设置在正极与负极之间的有机物层。为了提高有机电致发光元件的效率与寿命，有机物层可以具有多层结构，每一层包含有不同的有机物质。具体的，有机物层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。在这种有机电致发光元件中，在正极与负极之间施加电压，由正极向有机物层注入空穴，由负极向有机物层注入电子，当注入的空穴与电子相遇时形成激子，该激子跃迁回基态时发光。这种有机电致发光元件具有自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、广视角、高对比度、高响应性等特性。
4.为了提高有机电致发光元件的发光效率，各种基于荧光和磷光的发光材料体系已被开发出来，而无论是荧光材料还是磷光材料，优秀蓝光材料的开发都是一个巨大的挑战。总体而言，目前大多数蓝光材料的效率偏低，不利于高端显示。同时，蓝光发光材料的oled的稳定性和寿命还需进一步提高。因此，需要开发具有高效率和长寿命的新型蓝光发光层材料，更有效地提高显示器件的整体性能。

技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术目的在于提供一种蒽类化合物、混合物、组合物以及有机电子器件。
6.蒽类化合物具有如通式(i)所示的结构：
[0007][0008]
其中，q选自如下结构(a-1)或(a-2)：
[0009]
[0010]
x表示o或s；
[0011]
r1、r2、r3分别独立地选自-h、-d、含有1-6个c原子的烷基、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；
[0012]
l1、l2分别独立选自单键、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；
[0013]
*表示连接的位置。
[0014]
本技术的蒽类化合物在共轭的萘基末端进行氘代，能提升结构的稳定性，在蒽基的一端，通过空穴传输较好的基团q进行调节，同时对稳定性和电荷传输能力进行提升。本技术的蒽类化合物作为蓝光材料使用，能够有效地提高器件的稳定性和寿命。
附图说明
[0015]
为了更清楚地说明本技术中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]
图1为本技术一实施方式提供的有机电子器件的结构示意图。
具体实施方式
[0017]
下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0018]
为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0019]
本文所使用的术语“和/或”、“或/和”、“及/或”的选择范围包括两个或两个以上相关所列项目中任一个项目，也包括相关所列项目的任意的和所有的组合，所述任意的和所有的组合包括任意的两个相关所列项目、任意的更多个相关所列项目、或者全部相关所列项目的组合。需要说明的是，当用至少两个选自“和/或”、“或/和”、“及/或”的连词组合连接至少三个项目时，应当理解，在本技术中，该技术方案毫无疑问地包括均用“逻辑与”连接的技术方案，还毫无疑问地包括均用“逻辑或”连接的技术方案。比如，“a及/或b”包括a、b和a+b三种并列方案。又比如，“a，及/或，b，及/或，c，及/或，d”的技术方案，包括a、b、c、d中任一项(也即均用“逻辑或”连接的技术方案)，也包括a、b、c、d的任意的和所有的组合，也即包括a、b、c、d中任两项或任三项的组合，还包括a、b、c、d的四项组合(也即均用“逻辑与”连接的技术方案)。
[0020]
在本技术中，芳香基团，芳香族，芳香环系具有相同的含义，可以互换。
[0021]
在本技术中，杂芳香基团，杂芳香族，杂芳香环系具有相同的含义，可以互换。
[0022]
在本技术中，“取代”表示被取代基中的一个或多个氢原子被取代基所取代。
[0023]
在本技术中，同一取代基多次出现时，可独立选自不同基团。如通式含有多个r，则r可独立选自不同基团。
[0024]
在本技术中，“取代或未取代”表示所定义的基团可以被取代，也可以不被取代。当
所定义的基团为被取代时，应理解为所定义的基团可以被一个或多个取代基r取代，所述r选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素，含有1-20个c原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、-nr’r”、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代；可理解的，-nr’r”中r’和r”分别独立选自但不限于：h、氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个c原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团。优选地，r选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个c原子烷基、含有3-10个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代。
[0025]
在本技术中，“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如，单环化合物、稠环化合物、交联化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原子数。该环被取代基所取代时，取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的“环原子数”，在没有特别说明的条件下也是同样的。例如，苯环的环原子数为6，萘环的环原子数为10，噻吩基的环原子数为5。
[0026]“芳基或芳香基团”是指在芳香环化合物的基础上除去一个氢原子衍生的芳族烃基，可以为单环芳基、或稠环芳基、或多环芳基，对于多环的环种，至少一个是芳族环系。例如，“取代或未取代的具有6至40个环原子的芳基”是指包含6至40个环原子的芳基，优选取代或未取代的具有5至30个环原子的芳基，更优选取代或未取代的具有6至18个环原子的芳基，特别优选取代或未取代的具有6至14个环原子的芳基，且芳基上任选进一步被取代；合适的实例包括但不限于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、并四苯基、芴基、二萘嵌苯基、苊基及其衍生物。可以理解地，多个芳基也可以被短的非芳族单元间断(例如《10％的非h原子，比如c、n或o原子)，具体如苊、芴，或者9,9-二芳基芴、三芳胺、二芳基醚体系也应该包含在芳基的定义中。
[0027]“杂芳基或杂芳香基团”是指在芳基的基础上至少一个碳原子被非碳原子所替代，非碳原子可以为n原子、o原子、s原子等。例如，“取代或未取代的具有5至40个环原子的杂芳基”是指具有5至40个环原子的杂芳基，优选取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳基，更优选取代或未取代的具有6至18个环原子的杂芳基，特别优选取代或未取代的具有6至14个环原子的杂芳基，且杂芳基任选进一步被取代，合适的实例包括但不限于：噻吩基、呋喃基、吡咯基、二唑基、三唑基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吲哚基、吡咯并咪唑基、吡咯并吡咯基、噻吩并吡咯基、噻吩并噻吩基、呋喃并吡咯基、呋喃并呋喃基、噻吩并呋喃基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、苯并咪唑基、邻二氮萘基、菲啶基、伯啶基、喹唑啉酮基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基及其衍生物。
[0028]“胺基”是指胺的衍生物，具有式-nr’r”的结构特征，r’和r”含义同上所述。
[0029]
本技术中，与单键相连的“*”表示连接或稠合位点；
[0030]
本技术中，基团中未指明连接位点时，表示基团中任选可连接位点作为连接位点；
[0031]
本技术中，当同一基团上含有多个相同符号的取代基时，各取代基可以彼此相同或不同，例如苯环上6个r可以彼此相同或不同。
[0032]
本技术中，取代基相连的单键贯穿相应的环，表述该取代基可与环的任选位置连接，例如中r与苯环的任一可取代位点相连。
[0033]
本技术中所使用的“其组合”、“其任意组合”、“其任意组合方式”、“组合”等中包括所列基团中任两个或任两个以上项目的所有合适的组合方式。
[0034]
本技术中，“进一步”、“更进一步”、“特别”等用于描述目的，表示内容上的差异，但并不应理解为对本技术保护范围的限制。
[0035]
本技术中，“可选地”、“可选的”、“可选”，指可有可无，也即指选自“有”或“无”两种并列方案中的任一种。如果一个技术方案中出现多处“可选”，如无特别说明，且无矛盾之处或相互制约关系，则每项“可选”各自独立。
[0036]
本技术中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
[0037]
本技术提供一种蒽类化合物、混合物、组合物及有机电子器件。
[0038]
蒽类化合物具有如通式(i)所示的结构：
[0039][0040]
其中，q选自如下结构(a-1)或(a-2)：
[0041][0042]
x表示o或s；
[0043]
r1、r2、r3分别独立地选自-h、-d、含有1-6个c原子的烷基、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；
[0044]
l1、l2分别独立选自单键、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；
[0045]
*表示连接的位置。
[0046]
本技术的蒽类化合物在共轭的萘基末端进行氘代，能提升结构的稳定性，在蒽基的一端，通过空穴传输较好的基团q进行调节，同时对稳定性和电荷传输能力进行提升。本技术的蒽类化合物作为蓝光材料使用，能够有效地提高器件的稳定性和寿命。
[0047]
在一实施例中，所述的“含有1-6个c原子的烷基”包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、正己基、或环己基。
[0048]
在一实施例中，r1、r2、r3分别独立表示-h、-d、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、或苯基。
[0049]
在一实施例中，r1、r2、r3均选自h；所述q选自(b-1)-(b-4)任一结构：
[0050][0051]
在一实施例中，r1不选自h；进一步，r1选自-d、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、或苯基；更进一步，r2、r3选自h；具体地，所述q选自(b-5)-(b-23)任一结构：
[0052][0053]
在一实施例中，r2不选自h；进一步，r2选自-d、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、或苯基；更进一步，r1、r3选自h；具体地，所述q选自(b-24)-(b-43)任一结构：
[0054][0055]
在一实施例中，r3不选自h；进一步，r3选自-d、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、或苯基；更进一步，r1、r2选自h；具体地，所述q选自(b-44)-(b-63)任一结构：
[0056][0057]
在一实施例中，l1、l2分别独立选自单键或苯基；进一步，l1、l2分别独立选自单键或(c-1)或(c-2)或(c-3)：
[0058][0059]
*表示连接的位置。
[0060]
在一实施例中，本技术涉及一种蒽类化合物，具有如通式(ii-1)或(ii-2)所示的结构：
[0061][0062]
其中：n选自0或1或2；m选自0或1或2。
[0063]
优选地，所述(ii-1)中r1选自-h或-d。
[0064]
优选地，所述(ii-2)中r3选自-h或-d。氘代可以进一步延长发光寿命。
[0065]
在一实施例中，m+n＝0或1或2；优选地，m+n＝1。当m+n＝1时，发光材料的性能会更好。
[0066]
在一实施例中，通式(i)所述的蒽类化合物选自以下结构，但不限于此：
[0067]
[0068]
[0069]
[0070]
[0071]
[0072]
[0073]
[0074]
[0075]
[0076]
[0077]
[0078]
[0079][0080][0081]
本技术还提供一种混合物，其包含第一有机化合物h1和第二有机化合物h2。第一有机化合物h1选自如上所述的蒽类化合物，第二有机化合物h2选自空穴注入材料(hole injection materials，him)、空穴传输材料(hole transport material,htm)、电子传输材料(electron transport etm)、电子注入材料(electron injection materials，eim)、电
子阻挡材料(electron blocking material,ebm)、空穴阻挡材料(hole blocking material,hbm)、发光客体材料(guestmaterial)、发光主体材料(hostmaterial)和有机染料中的至少一种。
[0082]
在一实施例中，所述第二有机化合物h2选自通式(iii-1)或(iii-2)所表示的有机化合物：
[0083][0084]
其中：ar
1-ar
10
独立选自取代或未取代的具有6-40个环原子的芳香基团，或者取代或未取代的具有5-40个环原子的杂芳香基团；其中一个或多个基团可以彼此和/或与所述基团键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系。
[0085]
在一实施例中，所述ar1选自式(d-1)、(d-2)或(d-3)；
[0086][0087]r4-r8分别独立地选自：-h、-d、具有1至20个c原子的直链烷基、具有1至20个c原子的烷氧基、具有1至20个c原子的硫代烷氧基、具有3至20个c原子的支链或环状的烷基、具有3至20个c原子的烷氧基、具有3至20个c原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个c原子的酮基、具有2至20个c原子的烷氧基羰基、具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有5至30个环原子的芳香基团、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团、具有5至30个环原子的芳氧基、具有5至30个环原子的杂芳氧基，或这些基团的组合；
[0088]
*表示连接位点。
[0089]
在一实施例中，r
4-r8分别独立地选自：-h、-d、具有1至10个c原子的直链烷基、具有3至10个c原子的支链或环状的烷基、苯基、或被-d、具有1至10个c原子的直链烷基或具有3至10个c原子的支链或环状的烷基取代的苯基。
[0090]
在一实施例中，在一实施例中，ar
2-ar8分别独立地表示取代或未取代的具有5至25个环原子的芳香基团，或取代或未取代的具有5至25个环原子的杂芳香基团；
[0091]
进一步，ar
2-ar8分别独立地选自如下基团：
[0092][0093]
其中，x每次出现时，分别独立地选自cr9或n；
[0094]
y每次出现时，分别独立地选自nr
10
、pr
10
、cr
11r12
、sir
11r12
、o、s、s(＝o)2或s(＝o)；
[0095]
r9、r
10
、r
11
、r
12
分别独立地选自：-h、-d、具有1至20个c原子的直链烷基、具有1至20个c原子的烷氧基、具有1至20个c原子的硫代烷氧基、具有3至20个c原子的支链或环状的烷基、具有3至20个c原子的烷氧基、具有3至20个c原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个c原子的酮基、具有2至20个c原子的烷氧基羰基、具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有5至30个环原子的芳香基团、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团、具有5至30个环原子的芳氧基、具有5至30个环原子的杂芳氧基，或这些基团的组合。
[0096]
在本技术中，当x为连接位点时，x为c；当y为连接位点时，y为n。
[0097]
在一实施例中，所述通式(iii-1)选自如下结构，但不限于此：
[0098]
[0099]
[0100][0101][0102]
在一实施例中，通式(iii-2)的有机客体材料选自以下结构，但不限于此：
[0103][0104]
在一实施例中，所述有机混合物中，第一有机化合物h1与第二有机化合物h2的质量比范围为99:1～70:30；进一步，所述有机混合物中第一有机化合物h1与第二有机化合物h2的质量比范围为99:1～90:10。
[0105]
本技术还提供了一种组合物，包含至少一种如上所述有机化合物或混合物和至少一种第一有机溶剂。至少一种第一有机溶剂用于溶解所述有机化合物或混合物。
[0106]
在一些实施例中，至少一种第一有机溶剂选自芳族或杂芳族、酯、芳族酮或芳族醚、脂肪族酮或脂肪族醚、脂环族或烯烃类化合物，硼酸酯或磷酸酯类化合物，或两种及两种以上溶剂的混合物。
[0107]
在一些实施例中，至少一种第一有机溶剂选自基于芳族或杂芳族溶剂。
[0108]
适合本技术的基于芳族或杂芳族溶剂的例子有，但不限制于：对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、环己基苯、苄基丁基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、4,4-二氟二苯甲烷、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、n-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α，α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、喹啉、异喹啉、2-呋喃甲酸甲酯、2-呋喃甲酸乙酯等；
[0109]
适合本技术的基于芳族酮溶剂的例子有，但不限制于：1-四氢萘酮，2-四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮等；
[0110]
适合本技术的基于芳族醚溶剂的例子有，但不限制于：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2h-吡喃、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1,4-苯并二噁烷、1,3-二丙基苯、2,5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1,3-二丙氧基苯、1,2,4-三甲
氧基苯、4-(1-丙烯基)-1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1,2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚；
[0111]
在一些实施例中，至少一种第一有机溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、葑酮、佛尔酮、异佛尔酮、二正戊基酮等；或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
[0112]
在另一些实施例中，至少一种第一有机溶剂可选自基于酯的溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。特别优选辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、异壬酸异壬酯。
[0113]
在一些实施例中，组合物还可以包含第二有机溶剂。
[0114]
第二有机溶剂的例子包括但不限于：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
[0115]
优选的，本技术的第一有机溶剂和第二有机溶剂是汉森(hansen)溶解度参数在以下范围内的溶剂：
[0116]
δd(散力)在17.0～23.2mpa1/2的范围，尤其是在18.5～21.0mpa1/2的范围；
[0117]
δp(极性力)在0.2～12.5mpa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0mpa1/2的范围；
[0118]
δh(氢键力)在0.9～14.2mpa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0mpa1/2的范围。
[0119]
第一有机溶剂和第二有机溶剂在选取时需考虑其沸点参数。第一有机溶剂和第二有机溶剂的沸点≥150℃；优选为≥180℃；较优选为≥200℃；更优为≥250℃；最优为≥275℃或≥300℃。这些范围内的沸点对防止喷墨印刷头的喷嘴堵塞是有益的。第一有机溶剂和第二有机溶剂可从溶剂体系中蒸发，以形成包含功能材料薄膜。
[0120]
组合物可以是溶液或者悬浮液。
[0121]
组合物中蒽类化合物或者混合物的质量分数可以是0.01wt％至10wt％，优选地，组合物中蒽类化合物或者混合物的质量分数为0.1wt％至15wt％，更优选地，组合物中蒽类化合物或者混合物的质量分数为0.2wt％至5wt％，最优选的，组合物中蒽类化合物或者混合物的质量分数为0.25wt％至3wt％。
[0122]
组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时，优选通过打印或涂布的方法制备成有机层。其中，适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，喷印(nozzle printing)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷，喷印及喷墨印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。
[0123]
请参考图1，本技术还提供一种有机电子器件100。有机电子器件100包含如上所述的蒽类化合物或混合物，或者由上述组合物制备而成。
[0124]
有机电子器件可选于，但不限于有机发光二极管(oled)，有机光伏电池(opv)，有机发光电池(oleec)，有机场效应管(ofet)，有机发光场效应管，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(organic plasmon emitting diode)等，特别优选的是有机电致发光器件，如oled，oleec，有机发光场效应管。具体地，有机电子器件100包含第一电极10、第二电极20、位于第一电极10和第二电极20之间的有机功能层30，有机功能层30包含如上所述有机化合物、混合物或由上述的组合物制成。进一步地，第一电极为阳极，第二电极为阴极。
[0125]
有机功能层30可选自空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子阻挡层(ebl)、电子注入层(eil)、电子传输层(etl)和空穴阻挡层(hbl)的至少一个。
[0126]
在本实施例中，有机电子器件100包括基板s及依次层叠在基板s上的阳极10、空穴注入层31、空穴传输层32、电子阻挡层33、发光层34、空穴阻挡层35、电子传输层36、电子注入层37和阴极20。
[0127]
在一实施例中，有机电子器件100可以仅包含阳极10、阴极20以及设置于阳极10与阴极20之间的至少一发光层34；发光层34包含如上所述有机化合物或混合物，或者由上述组合物制备而成。
[0128]
可以理解，有机电子器件的结构不限于此。
[0129]
基板s可以是透明或不透明。透明的基板s可以用来制造一个透明的发光元器件。例如，可参见，bulovic等的文献：nature 1996,380,p29，和gu等，appl.phys.lett.1996,68,p2606。基板s还可以是刚性的或弹性的。在一些实施例中，基板s是塑料、金属、半导体晶片或玻璃。优选地，基板s具有一个平滑的表面，无表面缺陷的基板s是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基板s是柔性的，可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的柔性基板s的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(pet)和聚乙二醇(2,6-萘)(pen)。
[0130]
阳极10是注入空穴的电极，且阳极10可以容易地注入空穴到空穴注入层31、空穴传输层32、或发光层34中。阳极10可包含一导电金属、导电金属氧化物、或导电聚合物。在一个的实施例中，阳极10的功函数和发光层34中的发光体、作为hil、htl或电子阻挡层(ebl)的p型半导体材料的homo能级或价带能级的差的绝对值小于0.5ev，较好是小于0.3ev，最好是小于0.2ev。阳极10的材料的例子包含但不限于：al、cu、au、ag、mg、fe、co、ni、mn、pd、pt、ito、铝掺杂氧化锌(azo)等。阳极10的材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。在某些实施例中，阳极10是图案化的。图案化的ito导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本技术的器件。
[0131]
阴极20是注入电子的电极，且阴极20可以容易地注入电子到电子注入层37、电子传输层36、或发光层34中。阴极20可包含一导电金属或导电金属氧化物。在一个实施例中，阴极20的功函数和发光层34中发光体、作为电子注入层(eil)、电子传输层(etl)或空穴阻挡层(hbl)的n型半导体材料的lumo能级或导带能级的差的绝对值小于0.5ev，较好是小于0.3ev，最好是小于0.2ev。阴极20的材料的例子包含但不限于：al、au、ag、ca、ba、mg、lif/al、mgag合金、baf2/al、cu、fe、co、ni、mn、pd、pt、ito等。阴极20的材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)
等。
[0132]
空穴注入层31是用于促进将空穴从阳极10注入至发光层34的层，并且空穴注入层31中所使用的空穴注入材料是可以在低电压下熟练地接收从正电极注入的空穴的材料，并且优选的是，空穴注入材料的最高占据分子轨道(homo)在正电极材料的功函数与周围的有机材料层的homo之间。空穴注入材料具体包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
[0133]
空穴传输层32可以用于顺利地传输空穴。优选的，空穴传输层32的材料具有高空穴迁移率，其可以接收从阳极10或空穴注入层31传输的空穴并将空穴转移至发光层34。空穴传输层32的材料包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分二者的嵌段共聚物等，但不限于此。
[0134]
电子阻挡层33的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种。
[0135]
空穴阻挡层35是阻挡空穴到达负电极的层，通常可以在与空穴注入层31的那些相同的条件下形成。其具体实例包括二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、bcp、铝配合物等，但不限于此。
[0136]
电子传输层36可以用于顺利地传输电子。电子传输层36的材料具有高电子迁移率，其可以熟练地接收从负电极注入的电子并将电子转移至发光层34。电子传输层36的材料可以包括但不限于：8-羟基喹啉的al配合物、包含alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物、8-羟基喹啉锂(liq)、和基于苯并咪唑的化合物中的至少一种。
[0137]
电子注入层37可以用于顺利地注入电子。电子注入层37的材料优选为：具有传输电子的能力，具有注入来自负电极的电子的效应，并具有将电子注入到发光层34的发光材料中的优异效应，防止由发光层34产生的激子移动至空穴注入层31，并且还具有优异的形成薄膜的能力。电子注入层36的材料具体包括8-羟基喹啉锂(liq)、芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物，金属配合物化合物，含氮5元环衍生物等，但不限于此。
[0138]
有机电子器件的发光波长在300到1000nm之间，较好的是在350到900nm之间，更好的是在400到800nm之间。
[0139]
本技术的有机电子器件可以应用于显示设备，照明设备，光源，传感器等中。
[0140]
下面将结合优选实施例对本技术进行了说明，但本技术并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本技术的范围在本技术构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本技术的各实施例进行的一定的改变，都将被本技术的权利要求书的精神和范围所覆盖。
[0141]
实施例1：化合物(m1)的合成：
[0142][0143]
合成路线：
[0144][0145]
1)中间体m1-2的合成：氮气环境下，将(28.6g，100mmol)化合物m1-1和100ml无水四氢呋喃溶剂加入到300ml三口瓶中，搅拌溶解，降温到-78℃，缓慢滴加100mmol的正丁基锂，反应2小时，一次性加入150mmol氘代水，让反应液缓慢升到室温，继续搅拌反应4小时，待反应完成，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率74％。
[0146]
2)中间体m1-3的合成：氮气环境下，将(12.5g,60mmol)的化合物m1-2和100ml无水四氢呋喃加入到300ml的三口瓶中，降温到-78℃，缓慢滴加60mmol正丁基锂，反应2小时，一次性注入65mmol异丙醇频哪醇硼酸酯，让反应自然升到室温，继续反应12小时，加入纯净水淬灭反应，将反应液旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷萃取并水洗3遍，收集有机相，旋转蒸发干后进行重结晶纯化，产率80％。
[0147]
3)中间体m1-5的合成：氮气环境下，将(9g，40mmol)化合物m1-3、(10.3g，40mmol)化合物m1-4、(2.2g，2mmol)四(三苯基膦)钯、(11g，80mmol)碳酸钾的20ml水溶液和100ml甲苯加入到500ml三口瓶中，加热搅拌至110℃反应12小时，结束反应，冷却到室温，将滤液进行抽滤，收集滤液，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率72％。
[0148]
4)中间体m1-6的合成：将(6.1g，20mmol)化合物m1-5和80ml加入到250ml两口瓶中，常温下缓慢滴加20mmol的n-溴代丁二酰亚胺的溶液，滴加完毕后，继续搅拌反应6小时，加水淬灭，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率85％。
[0149]
5)化合物m1的合成：氮气环境下，将(3.84g，10mmol)化合物m1-6、(3.7g，10mmol)化合物m1-7、(0.55g，0.5mmol)四(三苯基膦)钯、(2.8g，20mmol)碳酸钾的10ml水溶液和50ml甲苯加入到250ml三口瓶中，加热搅拌至110℃反应12小时，结束反应，冷却到室温，将滤液进行抽滤，收集滤液，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率70％。ms(asap)：548。
[0150]
实施例2：化合物(m2)的合成：
[0151][0152]
合成路线：
2，产率75％。
[0165]
3)化合物m3的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m3-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率70％。ms(asap)：549。
[0166]
实施例4：化合物(m4)的合成：
[0167][0168]
合成路线：
[0169][0170]
1)中间体m4-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m4-1替代化合物m2-2，产率78％。
[0171]
2)化合物m4的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m4-2分别替代化合物m1-6和m1-7，产率72％。ms(asap)：604。
[0172]
实施例5：化合物(m5)的合成：
[0173][0174]
合成路线：
[0175][0176]
1)中间体m5-2的合成：氮气环境下，将(25.2g，100mmol)化合物m5-1、(4.6g，5mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、(4.8g，10mmol)2-二环己基磷-2',4',6'-三异丙基联苯和150ml的无水四氢呋喃加入到500ml的三口瓶中，冰浴下缓慢滴加100mmol的甲基溴化镁，继续搅拌反应12小时，待反应完毕，加水淬灭，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率75％。
[0177]
2)中间体m5-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m5-2替代化合物m2-2，产率76％。
[0178]
3)中间体m5-5的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m5-4替代化合物m1-4，产率81％。
[0179]
4)中间体m5-6的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m5-5替代化合物m2-2，产率74％。
[0180]
5)中间体m5-7的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m5-6替代化合物m1-3，产率74％。
[0181]
6)中间体m5-8的合成：依照化合物m1-6的合成方法，将化合物m5-7替代化合物m1-5，产率82％。
[0182]
7)化合物m5的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m5-8和m5-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率71％。ms(asap)：562。
[0183]
实施例6：化合物(m6)的合成：
[0184][0185]
合成路线：
[0186][0187]
1)中间体m6-2的合成：依照化合物m5-2的合成方法，将化合物m6-1替代化合物甲基溴化镁，产率72％。
[0188]
2)中间体m6-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m6-2替代化合物m2-2，产率74％。
[0189]
3)中间体m6-5的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m6-4替代化合物m1-4，产率78％。
[0190]
4)中间体m6-6的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m6-5替代化合物m2-2，产率72％。
[0191]
5)中间体m6-7的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m6-6替代化合物m1-3，产率70％。
[0192]
6)中间体m6-8的合成：依照化合物m1-6的合成方法，将化合物m6-7替代化合物m1-5，产率80％。
[0193]
7)化合物m6的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m6-8和m6-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率70％。ms(asap)：590。
[0194]
实施例7：化合物(m7)的合成：
[0195][0196]
合成路线：
[0197][0198]
1)中间体m7-1的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m3-3和m2-1分别替代化合物m1-3和m1-4，产率80％。
[0199]
2)中间体m7-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m7-1替代化合物m2-2，产率74％。
[0200]
3)化合物m7的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m7-2替代化合物m1-7，产率75％。ms(asap)：549。
[0201]
实施例8：化合物(m8)的合成：
[0202][0203]
合成路线：
[0204][0205]
1)中间体m8-2的合成：依照化合物m5-2的合成方法，将化合物m3-1替代化合物m5-1，化合物m8-1替代化合物甲基溴化镁，产率71％。
[0206]
2)中间体m8-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m8-2替代化合物m2-2，产率72％。
[0207]
3)中间体m8-4的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m8-3和m5-4分别替代化合物m1-3和m1-4，产率82％。
[0208]
4)中间体m8-5的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m8-4替代化合物m2-2，产率75％。
[0209]
5)化合物m8的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m8-5替代化合物m1-7，产率77％。ms(asap)：604。
[0210]
实施例9：化合物(m9)的合成：
[0211][0212]
合成路线：
[0213][0214]
1)中间体m9-2的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m9-1和m6-4分别替代化合物m1-3和m1-4，产率80％。
[0215]
2)中间体m9-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m9-2替代化合物m2-2，产率73％。
[0216]
3)化合物m9的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m9-3替代化合物m1-7，产率76％。ms(asap)：624。
[0217]
实施例10：化合物(m10)的合成：
[0218][0219]
合成路线：
[0220][0221]
1)化合物m10的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m7-2替代化合物m1-6和m1-7，产率74％。ms(asap)：625。
[0222]
实施例11：化合物(m11)的合成：
[0223][0224]
合成路线：
[0225][0226]
1)化合物m11的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m6-8和m11-1替代化合物m1-6和m1-7，产率72％。ms(asap)：624。
[0227]
实施例12：化合物(m12)的合成：
[0228][0229]
合成路线：
[0230][0231]
1)化合物m12的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m12-1替代化合物m1-7，产率75％。ms(asap)：472。
[0232]
实施例13：化合物(m13)的合成：
[0233][0234]
合成路线：
[0235][0236]
1)中间体m13-1的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m2-1替代化合物m1-1，产率85％。
[0237]
2)中间体m13-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m13-1替代化合物m2-2，产率78％。
[0238]
3)中间体m13-4的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m13-2和m13-3分别替代化合物m1-3和m1-4，产率83％。
[0239]
4)中间体m13-5的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m13-4替代化合物m2-2，产率76％。
[0240]
5)化合物m13的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m13-5替代化合物m1-7，产率72％。ms(asap)：549。
[0241]
实施例14：化合物(m14)的合成：
[0242][0243]
合成路线：
[0244][0245]
1)化合物m14的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m12-1分别替代化合物m1-6和m1-7，产率81％。ms(asap)：548。
[0246]
实施例15：化合物(m15)的合成：
[0247][0248]
合成路线：
[0249][0250]
1)中间体m15-1的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m13-3替代化合物m1-1，产率82％。
[0251]
2)中间体m15-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m15-1替代化合物m2-2，产率76％。
[0252]
3)化合物m15的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m15-2分别替代化合物m1-6和m1-7，产率82％。ms(asap)：549。
[0253]
实施例16：化合物(m16)的合成：
[0254][0255]
合成路线：
[0256][0257]
1)中间体m16-2的合成：依照化合物m5-2的合成方法，将化合物m16-1替代化合物m5-1，化合物m8-1替代化合物甲基溴化镁，产率70％。
[0258]
2)中间体m16-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m16-2替代化合物m2-2，产率75％。
[0259]
3)化合物m16的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m5-8和m16-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率84％。ms(asap)：604。
[0260]
实施例17：化合物(m17)的合成：
[0261][0262]
合成路线：
[0263][0264]
1)中间体m17-2的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m17-1替代化合物m1-1，产率81％。
[0265]
2)中间体m17-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m17-2替代化合物m2-2，产率73％。
[0266]
3)中间体m17-4的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m17-3和m2-1分别替代化合物m1-3和m1-4，产率85％。
[0267]
4)中间体m17-5的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m17-4替代化合物m2-2，产率75％。
[0268]
5)化合物m17的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m17-5替代化合物m1-7，
产率82％。ms(asap)：549。
[0269]
实施例18：化合物(m18)的合成：
[0270][0271]
合成路线：
[0272][0273]
1)中间体m18-1的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m15-2和m6-4分别替代化合物m1-3和m1-4，产率78％。
[0274]
2)中间体m18-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m18-1替代化合物m2-2，产率70％。
[0275]
3)化合物m18的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m18-2替代化合物m1-7，产率76％。ms(asap)：549。
[0276]
实施例19：化合物(m19)的合成：
[0277][0278]
合成路线：
[0279][0280]
1)化合物m19的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m19-1替代化合物m1-7，产率82％。ms(asap)：564。
[0281]
实施例20：化合物(m20)的合成：
[0282]
[0283]
合成路线：
[0284][0285]
1)化合物m20的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m20-1分别替代化合物m1-6和m1-7，产率80％。ms(asap)：564。
[0286]
实施例21：化合物(m21)的合成：
[0287][0288]
合成路线：
[0289][0290]
1)中间体m21-2的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m21-1替代化合物m1-1，产率82％。
[0291]
2)中间体m21-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m21-2替代化合物m2-2，产率74％。
[0292]
3)化合物m21的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m21-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率75％。ms(asap)：565。
[0293]
实施例22：化合物(m22)的合成：
[0294][0295]
合成路线：
[0296][0297]
1)中间体m22-1的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m21-3和m2-1分别替代化合物m1-3和m1-4，产率83％。
[0298]
2)中间体m22-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m22-1替代化合物m2-2，产率76％。
[0299]
3)化合物m22的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m22-2替代化合物m1-7，产率77％。ms(asap)：565。
[0300]
实施例23：化合物(m23)的合成：
[0301][0302]
合成路线：
[0303][0304]
1)中间体m23-2的合成：依照化合物m5-2的合成方法，将化合物m23-1替代化合物m5-1，化合物m8-1替代化合物甲基溴化镁，产率72％。
[0305]
2)中间体m23-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m23-2替代化合物m2-2，产率76％。
[0306]
3)化合物m23的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m5-8和m23-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率82％。ms(asap)：620。
[0307]
实施例24：化合物(m24)的合成：
[0308][0309]
合成路线：
[0310][0311]
1)化合物m24的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m24-1替代化合物m1-7，产率80％。ms(asap)：564。
[0312]
实施例25：化合物(m25)的合成：
[0313][0314]
合成路线：
[0315][0316]
1)化合物m25的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m25-1分别替代化合物m1-6和m1-7，产率81％。ms(asap)：564。
[0317]
实施例26：化合物(m26)的合成：
[0318][0319]
合成路线：
[0320][0321]
1)中间体m26-2的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m26-1替代化合物m1-1，产率80％。
[0322]
2)中间体m26-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m26-2替代化合物m2-2，产率75％。
[0323]
3)化合物m26的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m2-5和m26-3分别替代化合物m1-6和m1-7，产率78％。ms(asap)：565。
[0324]
实施例27：化合物(m27)的合成：
[0325]
[0326]
合成路线：
[0327][0328]
1)中间体m27-2的合成：依照化合物m1-2的合成方法，将化合物m27-1替代化合物m1-1，产率78％。
[0329]
2)中间体m27-3的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m27-2替代化合物m2-2，产率74％。
[0330]
3)中间体m27-4的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m27-3和m5-4分别替代化合物m1-3和m1-4，产率80％。
[0331]
4)中间体m27-5的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m27-4替代化合物m2-2，产率76％。
[0332]
5)化合物m27的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m27-5替代化合物m1-7，产率76％。ms(asap)：565。
[0333]
实施例28：化合物(m28)的合成：
[0334][0335]
合成路线：
[0336][0337]
1)中间体m28-1的合成：依照化合物m5-2的合成方法，将化合物m27-1替代化合物m5-1，化合物m8-1替代化合物甲基溴化镁，产率72％。
[0338]
2)中间体m28-2的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m28-1替代化合物
m2-2，产率73％。
[0339]
3)中间体m28-3的合成：依照化合物m1-5的合成方法，将化合物m28-2和m5-4分别替代化合物m1-3和m1-4，产率80％。
[0340]
4)中间体m28-4的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m28-3替代化合物m2-2，产率72％。
[0341]
5)化合物m28的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m28-4替代化合物m1-7，产率73％。ms(asap)：620。
[0342]
实施例29：化合物(m29)的合成：
[0343][0344]
合成路线：
[0345][0346]
1)化合物m29的合成：氮气环境下，将(14.3g，60mmol)化合物m29-1、(13.3g，30mmol)化合物m29-2、(5.73g，30mmol)碘化亚铜、(3.42g，30mmol)反式环己二胺、(19.1g，60mmol)磷酸钾和150ml甲苯加入到300ml三口瓶中，加热搅拌至110℃反应12小时，结束反应，冷却到室温，将滤液进行抽滤，收集滤液，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率65％。ms(asap)：761。
[0347]
实施例30：化合物(m30)的合成：
[0348][0349]
合成路线：
[0350][0351]
1)化合物m30的合成：依照化合物m29的合成方法，将化合物m30-1替代化合物m29-1，产率63％。ms(asap)：885。
[0352]
实施例31：化合物(m31)的合成：
[0353][0354]
合成路线：
[0355][0356]
1)化合物m31的合成：依照化合物m29的合成方法，将化合物m31-1和m31-2分别替代化合物m29-1和m29-2，产率68％。ms(asap)：751。
[0357]
实施例32：化合物(m32)的合成：
[0358][0359]
合成路线：
[0360][0361]
1)化合物m31的合成：依照化合物m29的合成方法，将化合物m31-1和m31-2分别替代化合物m29-1和m29-2，产率68％。ms(asap)：751。
[0362]
实施例33：化合物(m33)的合成：
[0363][0364]
合成路线：
[0365][0366]
1)化合物m33的合成：氮气环境下，将(16.9g，60mmol)化合物m33-1、(21g，30mmol)化合物m33-2、(2.75g，3mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、(2.43g，6mmol)二环己基(2,2-二苯
基-1-甲基环丙基)膦、60mmol双(三甲基甲硅烷基)氨基锂和150ml二甲苯加入到300ml三口瓶中，加热搅拌至150℃反应12小时，结束反应，冷却到室温，将滤液进行抽滤，收集滤液，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液旋转蒸发后进行重结晶纯化，产率23％。ms(asap)：964。
[0367]
实施例34：化合物(m34)的合成：
[0368][0369]
合成路线：
[0370][0371]
1)中间体m34-3的合成：氮气环境下，将(30.2g，100mmol)化合物m34-1、(22.5g，100mmol)化合物m34-2、(19.1g，100mmol)碘化亚铜、(11.4g，100mmol)反式环己二胺、(15.2g，200mmol)磷酸钾和250ml甲苯加入到500ml三口瓶中，加热搅拌至110℃反应12小时，结束反应，冷却到室温，将滤液进行抽滤，收集滤液，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行柱层析纯化，产率83％。
[0372]
2)中间体m34-4的合成：将(26.8g，60mmol)化合物m34-3和100ml加入到500ml三口瓶中，冰浴搅拌下缓慢滴加60mmol n-溴代丁二酰亚胺的溶液，滴加完毕，让反应自然升至室温，继续反应6小时，结束反应，加水淬灭反应，水洗3遍，收集有机液拌硅胶进行重结晶纯化，产率80％。
[0373]
3)中间体m34-5的合成：依照化合物m2-3的合成方法，将化合物m34-4替代化合物m2-2，产率82％。
[0374]
4)化合物m34的合成：依照化合物m1的合成方法，将化合物m34-6和两倍摩尔量的化合物m34-5分别替代化合物m1-6和m1-7，产率70％。ms(asap)：1518。
[0375]
实施例35：化合物(m35)的合成：
[0376][0377]
合成路线：
[0378][0379]
1)化合物m35的合成：氮气环境下，将(33.6g，50mmol)化合物m35-1和150ml无水四氢呋喃加入到500ml三口瓶中，降温到-30℃，缓慢滴加入55mmol的叔丁基锂溶液，滴加完毕，让反应升到60℃搅拌反应2小时，再让反应降温到-30℃，一次性加入60mmol的三溴化硼，让反应自然升至室温反应1小时，在加入100mmol的n,n-二异丙基乙胺，再缓慢升温到100℃反应3小时，结束反应，冷却到室温，加入乙酸钠水溶液淬灭反应，旋转蒸发掉大部分溶剂，用二氯甲烷溶解，水洗3遍，收集有机液旋转蒸发后进行柱层析纯化，产率24％。ms(asap)：645。
[0380]
实施例36：化合物(m36)的合成：
[0381][0382]
合成路线：
[0383][0384]
1)化合物m36的合成：氮气环境下，将(45.8g，50mmol)化合物m36-1、50mmol的三溴化硼和150ml邻二氯苯加入到500ml三口瓶中，升温到170℃下搅拌反应24小时，待结束反应，让反应液冷却到室温，旋转蒸发掉大部分溶剂，加入乙酸钠水溶液淬灭反应，水洗3遍，收集有机液旋转蒸发后进行柱层析纯化，产率53％。ms(asap)：924。
[0385]
实施例37：化合物(m37)的合成：
[0386][0387]
合成路线：
[0388][0389]
1)化合物m37的合成：依照化合物m35的合成方法，将化合物m37-1替代化合物m35-1，产率25％。ms(asap)：715。
[0390]
2.oled器件的制备及表征
[0391]
oled器件的结构为：ito/hil(80nm)/htl(100nm)/host：5％dopant(60nm)/etl(25nm)/liq(1nm)/al(150nm)/阴极的oled器件的制备步骤如下：
[0392]
1)ito透明电极(阳极)玻璃衬底的清洗：使用5％decon90清洗液的水溶液超声处理30分钟，之后去离子水超声清洗数次，然后异丙醇超声清洗，氮气吹干；在氧气等离子下处理5分钟，以清洁ito表面并提升ito电极的功函。
[0393]
2)hil及htl的制备：在经过氧气等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂pedot:pss(clevios
tm
pedot:pss al4083)，得到80nm的薄膜，旋涂完成后在空气中150℃退火20分钟，然后在pedot:pss层上旋涂得到20nm的poly-tfb薄膜(cas:223569-31-1，购自lumtec.corp；5mg/ml甲苯溶液)，随后在180℃的热板上处理60分钟。
[0394]
3)发光层制备：先将主体材料(选自m1～m28和ref-1～ref-4中的一种)和客体材料(选自m29～m37中的一种)按照95:5的重量比例溶于二甲苯中，溶液的浓度为20mg/ml,将此溶液在氮气手套箱中旋涂得到60nm薄膜，然后在120℃退火10分钟。
[0395]
4)电子传输、注入层和阴极制备:依次通过将旋涂完成的器件放入真空蒸镀腔体，依次蒸镀25nm的etl材料、1nm的liq、150nm的铝，完成发光器件的制备。
[0396]
5)封装：所有器件在氮气手套箱中采用紫外固化树脂加玻璃盖板封装。
[0397][0398][0399]
其中，ref-1参见专利wo2018164510。
[0400]
采用表征设备测试蓝光器件实施例a1至a28和对比例1至4的有机发光二极管的电流电压(j-v)特性，同时记录外量子效率(external quantum efficiency,eqe)和t90@1000nits，并将所有实施例的外量子效率和t90@1000nits分别除以对比例1的有机发光二极管的外量子效率和t90@1000nits，得到相对值。其中，t90@1000nits表示以1000nit为手动最大亮度，把显示屏亮度调到手动最大亮度，显示屏亮度衰减到手动最大亮度的95％所用的时间。
[0401]
表1
[0402]
[0403][0404]
由表1可知，实施例a1-a28的器件的eqe除以对比例1的有机发光二极管的外量子效率得到的eqe相对值最低为1.62，最高为1.92。而其他对比例2-4，的eqe相对值最高也只有1.21，可见基于本技术的蒽类化合物和组合物用于oled中在发光效率上得到了大大提高。并且，萘基上仅有一个氘代比萘基上的氢全部被氘代的效果更好。实施例1-28的器件的t90@1000nits相对值除以对比例1的有机发光二极管的t90@1000nits得到的t90@1000nits相对值最低为1.62，最高为2.05。而其他对比例2-4，的eqe相对值最高也只有1.28，可见基于本技术的蒽类化合物和组合物用于oled中在使用寿命上也得到了大大提高。
[0405]
当q选择通式(a-1)所表示的基团，r1选择-d，r2和r3为-h，且l1和l2的其中一个为单键，另一个为苯基时，主体材料的发光效率更高，且寿命更长。并且，当客体材料选择通式(iii-2)的结构时，主体材料的发光效率更高，且寿命更长。这一点在实施例a7，a21和a3中得到了验证：在实施例a7中使用了m7作为主体材料和m36作为客体材料；在实施例a21中使用了m21作为主体材料和m37作为可以材料；在实施例a3中使用了m3作为主体材料和m37作为客体材料，这三个实施例中得到的eqe值和t90@1000nits值最高。
[0406]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0407]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
[0408]
以上对本技术实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本技术。同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所
述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。

技术特征：

1.一种蒽类化合物，具有如通式(i)所示的结构：其中，q选自如下结构(a-1)或(a-2)：x表示o或s；r1、r2、r3分别独立地选自-h、-d、含有1-6个c原子的烷基、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；l1、l2分别独立选自单键、苯基、联苯基、被含有1-6个c原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个c原子的烷基取代的联苯基；*表示连接的位置。2.一种如权利要求1所述的蒽类化合物，其特征在于
·
r1、r2、r3均选为h；或者r1、r2以及r3的其中一个选自-d、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、或苯基，另外两个为h。3.一种如权利要求1所述的蒽类化合物，其特征在于，所述蒽类化合物具有如通式(ii-1)或(ii-2)所示的结构：其中：n选自0或1或2；m选自0或1或2。4.一种如权利要求3所述的蒽类化合物，其特征在于，所述(ii-1)中r1选自-h或-d，所述(ii-2)中r3选自-h或-d，m+n＝1。5.一种如权利要求1所述的蒽类化合物，其特征在于，所述蒽类化合物选自以下结构：
6.一种混合物，其特征在于，包含第一有机化合物和第二有机化合物，其中，所述第一有机化合物选自如权利要求1至5任一项所述的蒽类化合物，所述第二有机化合物选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光客体材料、发光主体材料和有机染料中的至少一种。7.如权利要求6所述的混合物，其特征在于，所述第二有机化合物选自通式(iii-1)或(iii-2)所表示的有机化合物：
其中，ar
1-ar
10
独立选自取代或未取代的具有6-40个环原子的芳香基团，或者取代或未取代的具有5-40个环原子的杂芳香基团；其中，ar
1-ar5之间两两不成环，或者ar
1-ar5之间形成单环或多环，ar
6-ar
10
之间两两不成环，或者ar
6-ar
10
之间形成单环或多环。8.如权利要求7所述的混合物，其特征在于，所述ar1选自式(d-1)、(d-2)或(d-3)；r
4-r8分别独立地选自：-h、-d、具有1至20个c原子的直链烷基、具有1至20个c原子的烷氧基、具有1至20个c原子的硫代烷氧基、具有3至20个c原子的支链或环状的烷基、具有3至20个c原子的烷氧基、具有3至20个c原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个c原子的酮基、具有2至20个c原子的烷氧基羰基、具有7至20个c原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、胺基、-cf3、-cl、-br、-f、-i、取代或未取代的具有2-20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有5至30个环原子的芳香基团、取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团、具有5至30个环原子的芳氧基、具有5至30个环原子的杂芳氧基，或这些基团的组合；*表示连接位点。9.如权利要求7所述的混合物，其特征在于，所述通式(iii-1)选自如下结构：
10.如权利要求7所述的混合物，其特征在于，通式(iii-2)的有机客体材料选自以下结构：
11.一种组合物，其特征在于，所述组合物包括至少一种如权利要求1至5任一项所述的蒽类化合物或如权利要求6至10任一项所述的混合物，以及至少一种有机溶剂。12.一种有机电子器件，其特征在于，所述有机电子器件包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的有机功能层，所述有机功能层包括至少一种如权利要求1至5任一项所述的蒽类化合物或如权利要求6至10任一项所述的混合物，或者由权利要求11所述的组合物制成。

技术总结

本申请提供一种蒽类化合物、混合物、组合物以及有机电子器件。蒽类化合物具有如通式(I)所示的结构：其中，Q选自如下结构(A-1)或(A-2)：X表示O或S；R1、R2、R3分别独立地选自-H、-D、含有1-6个C原子的烷基、苯基、联苯基、被含有1-6个C原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个C原子的烷基取代的联苯基；L1、L2分别独立选自单键、苯基、联苯基、被含有1-6个C原子的烷基取代的苯基、或被含有1-6个C原子的烷基取代的联苯基；*表示连接的位置。置。置。