光模块：PIN光电⼆极管和APD光电⼆极管
光模块接收端能正确识别信号并完成光电转换，就需要光电探测器，光电探测器通过检测出照射在其上⾯的光功率，从⽽并完成光/电信号的转换。我们常⽤的PIN光电⼆极管和APD（雪崩）光电⼆极管就属于光电探测器。要说探测器，就必须说说探测器基本的结构PN结。 PN结
PN结，指的将P型半导体和N型半导体制作在同⼀块半导体的基⽚上，在这两个半导体的交界处形成的空间电荷区。我们先看看什么是P型和N型半导体。 P型半导体：含有较⾼浓度的“空⽳”（空⽳相当于正电荷），所以是Positive的P，成为能导电的物质；
N型半导体：含电⼦浓度较⾼的半导体，导电性由⾃由电⼦导电，由于电⼦带负电，所以是Negative的N。
因此，在P型半导体和N型半导体交界处就出现了电⼦和空⽳的浓度差，从⽽形成空⽳和电⼦的扩散运动，导致⼀些电⼦从N型区向P型区扩散，⼀些空⽳⼜从P型区向N型区扩散。最终的结果就是在PN交汇处形成空间电荷区电场（内电场，从N指向P），也称之为PN结（缺少“多⼦”也叫耗尽层）。 （图⽚来源于⽹络）
在这⾥说明⼀下内部电场，这个电场的形成就导致了载流⼦的漂移运动，⼀是N区的载流⼦空⽳向P区漂移，另外是P区的载流⼦电⼦向N区漂移。
（图⽚来源于⽹络）
因此，单纯的PN⼆极管的扩散运动只发⽣在PN结附近，远离PN结的地⽅就没有电场存在，这也是为什么PN⼆极管的光电变换效率低下以及响应速度也很慢。buck电路图
PIN光管⼆极管
为了解决这个问题，提⾼转换效率和响应速率，通过在P型和N型半导体之间增加 ⼀层轻掺杂的N型材料I I（Intrinsic，本征的）层，以展宽耗尽层，提⾼转换效率，这是因为轻掺杂I层，电⼦浓度很低，经扩散后就可以形成⼀个很宽的耗尽层。这就是我们的PIN光电⼆极管。
PIN光电⼆极管
原理：
（1）光⼦照射在半导体材料上产⽣光⽣载流⼦；
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（2）光电流在外部电路作⽤下形成电信号并输出。
APD雪崩光管⼆极管
在前⾯的⽂章中我们说到，APD雪崩光电⼆极管具有较⾼的接收机灵敏度，这个较⾼灵敏度靠的就是对初级的电光流进⾏雪崩倍增效果。说到雪崩，估计⼤家脑海中的第⼀印象就是⼤雪⼭发⽣雪崩，其实也是同样的道理，⾼⼭上的⼀点雪发⽣碰撞，从上⽽下⼀路累积，雪团越来越⼤，最后形成雪崩。
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玻璃钢蓄水池从这⾥我们可以看出，要发⽣雪崩，必须具备⼀个条件就是⼭要⾜够的⾼。因此，雪崩光电⼆极管也就是在PIN光电⼆极管的基础结构中增加了雪崩区。使得光⽣载流⼦在其耗尽区(⾼场区)内的碰撞电离效应激发出新的电⼦-空⽳对，新产⽣的载流⼦通过电场加速，导致更多的碰撞电离产⽣，⼀⽣⼆，⼆⽣三，三⽣万物，从⽽获得光⽣电流的雪崩倍增。
8418模具钢APD雪崩光电⼆极管
原理：
（1）光⼦照射在半导体材料上产⽣光⽣载流⼦；
（2）光⽣载流⼦在雪崩区即⾼电场区发⽣雪崩倍增；
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（3）光电流在外部电路作⽤下形成电信号并输出。
