电梯井防护门直拉法生长单晶硅的主要工艺流程为:准备→开炉sero-0151
→生长→停炉。 准备阶段先清洗和腐蚀多晶硅,去除表面的污物和氧化层,放人坩埚内。 K4T51163QG-HCE6再准备籽晶,籽晶作为晶核,必须挑选晶格完整性好的单晶,其晶向应与将要拉制的单晶锭的晶向一致,籽晶表面应无氧化层、无划伤。最后将籽晶卡在拉杆卡具上。 开炉阶段是先开启真空设各将单晶生长室的真空度抽吸至高真空,一般在102Pa以上,通入惰性气体(如氩)及所需的掺杂气体,至一定真空度。然后,打开加热器升温,同时打开水冷装置,通入冷却循环水。硅的熔点是1417℃,待多晶硅完全熔融,坩埚温度升至约14⒛℃。 s1200
高温气化炉热电偶 生长过程可分解为5个步骤:引晶→缩颈→放肩→等径生长→收尾。引晶又称为下种,是将籽晶与熔体很好地接触。缩颈是在籽晶与生长的单晶锭之问先收缩出晶颈,晶颈最细部分直径只有2~3mm。放肩是将晶颈放大至所拉制晶锭的直径尺寸,再等径生长硅锭.直至耗尽坩埚内的熔体硅。最后收尾结束单晶生长。
晶体生长中,控制拉杆提拉速度和转速、坩埚温度及坩埚反向转速是很重要的,硅锭的直径和
id卡制作
生长速度与上述囚素有关。在坩埚温度、坩埚反向转速一定时,主要通过控制拉杆提拉速度来控制硅锭的生长。即籽晶熔接好后先快速提拉进行缩颈,再渐渐放慢提拉度进行放肩至所需直径,最后等速拉出等径硅锭。
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