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适用于PCB表面焊接加工的半自动焊接机的制作方法
适用于pcb表面焊接加工的半自动焊接机技术领域1.本实用新型涉及焊接工作台的技术领域,具体为适用于pcb表面焊接加工的半自动焊接机。背景技术:2.现有专利号cn208713108u,提出一种半自动焊接
时间:2023-03-31 热度:76℃
集成电路封装和支撑基板的制作方法
1.本文的实施例涉及集成电路封装和支撑基板,特别是控制安装有集成电路裸片的集成电路封装的层压基板的翘曲。背景技术:2.图1示出集成电路封装10的一部分的横截面。封装10包括层压基板12。层压基板12由
时间:2023-03-30 热度:58℃
一种通过蓝牙操控手机、平板软件的踏板的制作方法
1.本实用新型涉及蓝牙硬件设备领域,具体是一种通过蓝牙操控手机、平板软件的踏板。背景技术:2.目前,市面上的蓝牙踏板设备种类比较多,现有的蓝牙踏板通常为:采用2.0、3.0、4.0蓝牙模块,通过按压踏
时间:2023-03-30 热度:33℃
集成电路基板的制作方法
1.本技术是有关一种装置,详细来说,是有关于一种集成电路基板。背景技术:2.在现有技术中,当要对一批次的第一件集成电路基板进行钻孔时,必须通过人工方式摆放集成电路基板,钻孔装置必须在产品成型区中通过对
时间:2023-03-26 热度:42℃
集成电路内部缺陷检测方法、装置与系统与流程
1.本技术涉及集成电路缺陷检测技术领域,特别是涉及一种集成电路内部缺陷检测方法、装置与系统。背景技术:2.随着半导体制造和封装技术的发展,塑封集成电路在电子系统、电子通讯和半导体应用等行业已取代密封器
时间:2023-03-13 热度:47℃
集成电路存储器芯片引脚的信号特性的可编程控制的制作方法
1.总的来说,本文中公开的至少一些实施例涉及存储器系统,且更具体地说,涉及但不限于控制存储器芯片引脚的信号特性。背景技术:2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性
时间:2023-03-13 热度:36℃
集成电路封装和支撑基板的制作方法
1.本文的实施例涉及集成电路封装和支撑基板,特别是控制安装有集成电路裸片的集成电路封装的层压基板的翘曲。背景技术:2.图1示出集成电路封装10的一部分的横截面。封装10包括层压基板12。层压基板12由
时间:2023-03-13 热度:43℃
集成电路存储器芯片引脚的信号特性的可编程控制的制作方法
1.总的来说,本文中公开的至少一些实施例涉及存储器系统,且更具体地说,涉及但不限于控制存储器芯片引脚的信号特性。背景技术:2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性
时间:2023-03-06 热度:33℃
集成电路制造设备及其真空管道组件的制作方法
1.本实用新型涉及集成电路技术领域,特别涉及一种集成电路制造设备及其真空管道组件。背景技术:2.在集成电路加工过程中,例如在晶圆制造过程中很多工艺步骤需要真空环境,如化学气相沉积、物理气相沉积、刻蚀、
时间:2023-03-03 热度:30℃
集成电路工艺系统的制作方法
1.本技术是有关一种装置,详细来说,是有关于一种集成电路工艺系统。背景技术:2.在现有技术中,通常会对集成电路基板(例如但不限于wbga基板)进行镍电镀工艺以实现基板防腐蚀并且有效降低成本。然而,由于
时间:2023-03-03 热度:42℃
集成电路封装和支撑基板的制作方法
1.本文的实施例涉及集成电路封装和支撑基板,特别是控制安装有集成电路裸片的集成电路封装的层压基板的翘曲。背景技术:2.图1示出集成电路封装10的一部分的横截面。封装10包括层压基板12。层压基板12由
时间:2023-02-28 热度:68℃
手持式薄型音乐电扇的制作方法
专利名称:手持式薄型音乐电扇的制作方法技术领域:本实用新型属日常生活用品,尤其是一种手持式薄型音乐电扇。专利申清CN89205520、CN89202073公开了两种微型电扇,这两种电扇都是低压直流电机
时间:2023-02-27 热度:46℃
一种焊盘结构及其电子控制单元的制作方法
1.本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种焊盘结构及其电子控制单元。背景技术:2.焊盘是形成于pcb电路板上的用于与元件的引脚相连接的覆铜区域。元件的引脚和焊盘一般通过焊锡焊接。pcb电路板上的印制
时间:2023-02-24 热度:55℃
集成电路封装和支撑基板的制作方法
1.本文的实施例涉及集成电路封装和支撑基板,特别是控制安装有集成电路裸片的集成电路封装的层压基板的翘曲。背景技术:2.图1示出集成电路封装10的一部分的横截面。封装10包括层压基板12。层压基板12由
时间:2023-02-24 热度:48℃
一种显示基板、其驱动方法及显示装置与流程
1.本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板、其驱动方法及显示装置。背景技术:2.当前对于薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal displa
时间:2023-02-23 热度:51℃
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