采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计慈朋亮自动排焊机【摘 要】研究了一种N型50V RFLDMOS器件的结构.该类型器件对击穿电压BV和导通电阻RDSon等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构.通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻RDsSon.最终仿真得到的击穿电