陶瓷基板溅射金属化工艺是怎样的陶瓷基板金属化中包括真空蒸发、真空溅射、离子镀等气相沉积金属化的方法在近几年来被越来越广泛的应用大的心工艺。今天小编主要分享的是关于陶瓷基板的溅射工艺。溅射工艺分为二级溅射、四级溅射及高级溅射等，其中以直流二溅射为最简单，也是溅射工艺的基板形式。人蟒情深首先将真空容器至高真空，在充以一定压强的氩气，然后在距陶瓷支持级（处于接地电位）有一定距离的阴极溅射靶上加以直流负

MMIC芯片衰减器的设计与检测王聪玲;钟清华;龙立铨;张铎;张青【摘 要】本文提供了一种单片微波集成电路(MMIC)芯片衰减器,采用氮化钽薄膜作为电阻材料,利用嵌套掩膜刻蚀技术将芯片衰减器结构一层一层套刻在陶瓷基片上.主要研究了利用氮化钽薄膜电阻制作芯片衰减器的优点,结合HFSS仿真软件,建立3 dB和10 dB芯片衰减器的有限元模型,并对实物产品进行测试验证.试验结果表明:3 dB芯片衰减器在D

利用磁控管溅射沉积的硬而韧的低摩擦钼镀层的报告，600字湍流度磁控管溅射沉积可以用来制备硬而韧的低摩擦钼镀层（Low-friction molybdenum coatings）。磁控管溅射可以产生薄高度分布均匀的氧化物膜材料，具有很好的耐久性、良好的摩擦性能和低电阻。磁控管溅射还可以在金属表面形成一层很薄的金属，使金属表面具有更高的硬度和抗磨性。中国农学通报商品流通企业会计制度本报告旨在研究利用磁

溅射技术及其发展的历程1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。他在研究电子管阴极腐蚀问题时，发现阴极材料迁移到真空管壁上来了。但是，真正应用于研究的溅射设备到1877年才初露端倪。迄后70年中，由于实验条件的限制，对溅射机理的认同长期处于模糊不请状态，所以，在1950年之前有关溅射薄膜特性的技术资料，多数是不可*的。19世纪中期，只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和

摘　要：近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控溅射技术也获得进一步的发展。本文将介绍磁控溅射技术的发展,以及闭合磁场非平衡溅射、高速率溅射及自溅射、中频及脉冲溅射等各种新技术及特点,阐述磁控溅射技术在电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等许多方面的应用。关键词：磁控管　溅射率　非平衡磁控溅射　闭合场非平衡磁控溅射

本技术公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本技术制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％98％，铝元素1％10％，稀土元素1％14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本技术制备的薄膜材料作为有源层

中国宪政网磁控溅射法制备Cu膜礼品论坛2015上海工博会摘要给汶川小朋友的一封信沉积速率高、基材温升低的磁控溅射工艺,已经成为半导体集成电路金属化工艺的主流。本文重点对在硅晶圆上溅射金属铜薄膜的实际镀膜过程中的淀积速率进行了理论和实验研究。结果表明淀积速率随工作气压的增大先增大后减小;随着温度增大而减小,但均匀性增强;当入射离子的能量超过溅射阈值时,淀积速率随着溅射功率的增加先增加后下降;同时还讨

专业用语注释一、不良用语MURA  ——画面污渍的总称。TFT LCD画面显示后产生的污渍形态的不良。X/Y Block——以X/Y TAB Block单位产生的不良；以Block单位产生异常点灯和Line Defect现象。IDD      ——指TFT LCD的消耗电流。是驱动LCD时消耗的电流，IDD不良是指消耗电流的不良。Data Loss ——指

ZnO薄膜材料制备技术及其应用领域研究【摘　要】近几年，ZnO作为宽禁带半导体受到人们越来越多的重视。和目前最成功的宽禁带半导体材料GaN相比，ZnO具有很多优点。本文综述了ZnO薄膜的制备的主要方法及其优缺点。并深入探讨了ZnOdna探针薄膜材料的应用及其发展前景。【关键词】ZnO薄膜；应用；微电子近几年，由于短波长激光二极管 LD激光器的前景，人们对宽禁带半导体的研究产生了极大的兴趣。目前已经

薄膜晶体管的制备技术和过程（以ZnO 薄膜为例）一、薄膜的常用制备方法介绍ZnO 薄膜的制备主要有以下几种方法：射频磁控溅射、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）、脉冲激光沉积（PLD）、原子层淀积（ALD）以及溶胶-凝胶法（Sol-gel）等。下面先简单介绍后五种方法，着重介绍射频磁控溅射法。1、分子束外延法（MBE）分子束外延法（MBE）可以制备得到高质量的光电子器件

镀膜的发展‎历史‎化学镀膜‎最早用于在‎光学元件表‎面制备保护‎膜。随后，‎1817年‎，Frau‎n hofe‎在德国用浓‎硫酸或硝酸‎侵蚀玻璃，‎偶然第一次‎获得减反射‎膜，183‎5年以前有‎人用化学湿‎选法淀积了‎银镜膜它们‎是最先在世‎界上制备的‎光学薄膜。‎后来，人们‎在化学溶液‎和蒸气中镀‎制各种光学‎薄膜。50‎年代，除大‎快窗玻璃增‎透膜的一些‎应用外，化‎学溶液镀膜‎法逐步被真

薄膜技术发‎展历程(一)：镀膜发展史‎化学镀膜最‎早用于在光‎学元件表面‎制备保护膜‎。随后，1817年‎，Fraun‎h ofe在‎德国用浓硫‎酸或硝酸侵‎蚀玻璃，偶然第一次‎获得减反射‎膜，1835年‎以前有人用‎化学湿选法‎淀积了银镜‎膜它们是最‎先在世界上‎制备的光学‎薄膜。后来，人们在化学‎溶液和蒸气‎中镀制各种‎光学薄膜。50年代，除大快窗玻‎璃增透膜的‎一些应用外‎，化学溶液镀‎膜法

  文章编号:16732095X (2008)0320021202Zn 1-x Cr x O 稀磁半导体薄膜的制备及磁性研究陈　霞1,2，陈希明1,2，李　杰1,2，张俊萍1,2kernelfaultcheck(1.天津理工大学电子信息与通信工程学院，天津300191;2.天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津300191)摘　要：采用磁控交替溅射方法和真空退火处理制备了Zn 1-x

直流磁控溅射法制备ito薄膜的研究十字墓  ITO薄膜是一种广泛应用于电子器件中的透明导电薄膜，其具有高透明度、低电阻率、优良的化学稳定性和机械强度等优点。因此，ITO薄膜在平板显示器、太阳能电池、触摸屏、LED等领域得到了广泛的应用。本文将介绍以直流磁控溅射法制备ITO薄膜的研究。高密度沉淀池  甲基化  直流磁控溅射法是一种常用的制备ITO薄膜的方法。该方法利用高

第32卷　第2期2009年4月电子器件Chinese J ournal Of Elect ron DevicesVol.32　No.2Ap r.2009Microstru ctu re and Optoelectrical P erform ance of IT O Film by DC M agnetron SputteringGU I T ai 2long3,W A N G Gang ,Z H