第36卷第3期2007年5月内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)Journal of Inner Mongolia Normal University (Natural Science Edition )Vol.36No.3May 2007收稿日期:2006-07-12基金项目:国家自然科学基金资助项目(50662003)作者简介:周炳卿(1963-),男,内蒙古兴和县人,内蒙古师范大学教授,博士
HJT⼯艺细节,你了解多少?肽链合成异质结 HJT ( Hereto- junctionwith Intrinsic Thin-layer )电池(同时也简称 HIT ,SH1J, SJT 等),H1JT电池的结构如图所⽰。以 N 型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正⾯依次沉积厚度为5-10nm的本征⾮晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型⾮晶硅(P-a-Si: H
HJT⼯艺细节,你了解多少?异质结 HJT ( Hereto- junctionwith Intrinsic Thin-layer )电池(同时也简称 HIT ,SH1J, SJT 等),H1JT电池的结构如图所⽰。以 N 型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正⾯依次沉积厚度为5-10nm的本征⾮晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型⾮晶硅(P-a-Si: H ),和