感光干膜的技术要求印制电路制造者都希望选用性能良好的，以保证印制板质量，稳定生产，提高效益。生产干膜的厂家也需要有一个标准来衡量产品质量。为此在电子部、化工部的支持下，1983年在大连召开了光致抗蚀干膜技术协调会议，制定了国产水溶性光致抗蚀干膜的总技术要求。近年来随着电子工业的迅速发展，印制板的精度密度不断提高，为满足印制板生产的需要，不断推出新的干膜产品系列，性能和质量有了很大的改进和提高，但至

衡茶吉铁路A D C1  2中国铝合金标准GB/T?15115-94太阳方位角T5 固溶处理（淬火）加不完全人工时效用来得到较高的强度和塑性，但抗蚀性会有所下降，非凡是晶间腐蚀会有所增加。时效温度低，保温时间短，时效温度约150-170℃，保温时间为3-5h。广货网上行商城F: 挤压状态。指材料经由挤压成型未经任何冷作加工或热处理的状态；缩水甘油jasperreportASTM B 8

§2光刻工艺过程在平面管和集成电路生产中，都要经过多次光刻。虽然各次光刻的目的要求和工艺条件有所差别，但其工艺过程是基本相同的。光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘，暴光，显影，坚膜，腐蚀和去胶等七个步骤蛭石板1．涂胶涂胶就是在SIO2或其他薄膜表面，涂布一层粘附良好，厚度适当，厚薄均匀的光刻胶膜。涂胶前的硅片表面必须清洁干燥，如果硅片搁置较久或光刻返工，则应重新进行清洗并烘干后再涂胶。生产中，最好在氧