晶锭少子寿命偏低事故报告一、事故概述最近品管部在对brick进行少子寿命检测的过程中发现有四个晶锭的平均少子寿命偏低。它们的晶锭编号和平均少子寿命分别为：1003B08012M、1003B03017M、1003A08032M、1003A02032，2.73µs、2.89µs 、2.53µs、1.79µs，而正常晶锭的平均少子寿命在3.5-5µs之间，brick低少子寿命分布图如图1-1所示。图1-

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硅晶片少子寿命测试仪1、性能参数测向天线中医推拿按摩床型号：匈牙利瑟米莱伯公司Semilab WT-1200样品电阻率范围：0.1--1000Ω·cm硅棒少子寿命测试范围 :0.1μs—30ms激光波长： 904nm蜂窝纸芯光斑直径：1mm扫描步长：0.5,1，2，4，8，16mmrs232和ttl测试分辨率：0.1%测试时间：30ms/数据点2、应用范围：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽

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PLB-55多晶铸锭检测一体机多晶量产、研发的完全解决方案Presented by Semilab设备外观道路反光镜功能一览•多晶方棒PL成像–最大尺寸: 156x156x500 mm测脑龄–表面处理: 抛光或不处理自攻丝生物质气化–单面采集时间：20S（300mm高度）–图像分辨率: 150 µm沼气汽水分离器•红外透射–最大尺寸: 156x156x500 mm–表面处理: 抛光或不处理–单面采

氧化铝钝化膜沉积工艺研究许烁烁;陈特超;禹庆荣;刘舟【摘 要】采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究.通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝(TMA)流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热

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半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体无人驾驶系统---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。加法器电路 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。&nbs

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  47vcd测试部分1.1光电导测量仪名称：WCT光电导测量工具仪器包含部分：个人计算机、少子寿命测试台、电池组Qpaq-X的电源碘酒钝化  原始硅片去除损伤层,并按生产线方式清洗或在通风橱中按RCA2（纯水H2O：H2O2：HCl=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗10分钟）-RCA1（纯水H2O：H2O2：NH4OH=5：1：1，沸腾后保持6分钟，纯水冲洗6分钟）-

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