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先驱体流延转化法制备碳化硅陶瓷基片
2019电子工艺技术Electronics Process Technology第年1月40卷第1期5摘 要:为了改善碳化硅陶瓷基片的介电性能,开发不同于浆料烧结法的陶瓷基片制备新工艺。采用先驱体转化法,通过向先驱体中添加铍作为异质元素,再进行流延和烧成,制备出了含有铍元素的改性碳化硅陶瓷基片。对含铍碳化硅陶瓷基片的介电常数和介电损耗进行了表征,发现虽然其介电常数和介电损耗相比常用的Al 2O 3
时间:2023-11-18 热度:22℃
一种混合电路柱状陶瓷基片的自动摆料装置[发明专利]
石家庄雾霾治理专利名称:一种混合电路柱状陶瓷基片的自动摆料装置专利类型:发明专利发明人:王星鑫,尤广为,韦登,符宏大,姚道俊申请号:CN202011023867.0申请日:20200925刷镀工艺ari公开号:CN112399715A公开日:上海集邮陶瓷基片20210223专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明涉及一种混合电路柱状陶瓷基片的自动摆料装置,包括陶瓷基片放置板(5),其上有均布矩形摆
时间:2023-11-18 热度:32℃
陶瓷基板检验作业指导书x
东莞市凯昶德电子科技股份有限公司Dongguan Kechenda Electronic Technology Co. , Ltd.陶瓷基板检验作业指导书制定单位:技术部文件编号:版 本:编制日期:2013-3-23制作审核核准程吉霖制作:程吉霖审核:台湾921地震核准:焊缝强度变更履历及会签单日期版次制/修订部门变更履历备注中国劳动部会签分发单位会签意见并签名会签分发单位会签意见并签名■■硏发□
时间:2023-11-18 热度:22℃
多层叠堆压电陶瓷
三洋手机>宝应县机关幼儿园陶瓷基片多层叠堆压电陶瓷1984美国忌讳第二部4桥矿中医治股骨头坏死叠堆型压电陶瓷又被称为压电致动器、压电执行器、压电促动器等。叠堆型压电陶瓷是将压电陶瓷基片,通过叠层粘结共烧工艺形成的(单层压电陶瓷基片的厚度为100μm左右),这种工艺制备的压电陶瓷可以承受很大的压力,刚度大,但所承受的拉力有限。叠堆型压电陶瓷包括大量的陶瓷薄片。其结构特点是供电电极被设计在陶瓷薄片的两
时间:2023-11-18 热度:29℃
压电陶瓷银浆使用前预处理工艺流程
压电陶瓷银浆使用前预处理工艺流程 压电陶瓷银浆使用前的预处理工艺流程主要包括以下几个步骤:陶瓷基片 1.清洗:将压电陶瓷基片用去离子水进行清洗,去除表面的油污和杂质。狼和小羊教学设计 2.干燥:将清洗后的压电陶瓷基片用烘箱进行干燥,以去除表面的水分和残留的溶剂。 3.搅拌:将银浆用搅拌器搅拌均匀
时间:2023-11-18 热度:30℃
薄膜高密度互连技术及其应用
薄膜高密度互连技术及其应用云振新(国营970厂,四川成都 610051)1 引言现代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化的要求不断提高且日益迫切。手机等便携式电子装置是体现这些要求的典型例子。现代电子装置的需求推动微电子集成技术迅速发展,系统芯片(SoC)、系统级封装(SIP)、多芯片组件(MCM)、高密度互连(HDI)等多种新技术不断涌现。高密度互连结构可以采用不同的
时间:2023-11-18 热度:45℃
厚膜电路工艺
复方阿司匹林薄膜电路在抛光的陶瓷基片、微晶玻璃基片或者Si基片上溅射电阻播磨和导电薄膜,经电镀、光刻、形成具有部分无源组件和导体电路的基片,贴装芯片和各种片状组件,键合无相连接成特定功能的电路模块。电路组件:晶体管、二极管、电阻、电容、电感等以及引线。尺寸小于1um。材料:金属半导体、金属氧化物、多金属混合相、合金、绝缘介质等工艺:真空蒸发、溅射、电镀工艺。各种材料:基片:高频损耗(随温度和工作频
时间:2023-11-18 热度:35℃
片式电阻市场规模及竞争格局分析
雷锋有老婆吗图34陶瓷基片:少年大学生片式电阻内部结构 图35:陶瓷基片广泛用于片式电阻片式电阻作为电路元件及互连线承载体,主要应用于移动通信、计算机、家用电器、航空航天和汽车电子等领域。据Cision 的报告数据,2016 年全球电阻市场规模约为44 亿美元。而随着智能手机、笔记本电脑等电子产品电阻用量不断提升,持续拉动下游需求,电阻市场空间有望持续扩大,预计2020 年市场规模将达
时间:2023-11-18 热度:26℃
氮化铝陶瓷的研究和应用进展
残疾人无障碍设施氮化铝陶瓷的研究和应用进展摘要 从氮化铝陶瓷的实际应用领域进行了氮化铝陶瓷应用现状及前景的介绍;从其制备工艺介绍了氮化铝陶瓷的研究状况,并指出了低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶瓷的复杂形状成形技术是目前很有价值的氮化铝陶瓷的研究方向。汤炳正关键词 氮化铝陶瓷;高热导率;应用领域;制备工艺支护中图分类号 o614文献标识码 a文章编号 1674-6708(2010)14-0052-02
时间:2023-11-18 热度:40℃
LED陶瓷基板
LED陶瓷基板的技术分析与现状——本资料由·东莞市中实创半导体照明有限公司/ 工程部·整理与撰写——摘要:陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性,广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。本文简要介绍了目前LED封装陶瓷基板的技术现状与以后的发展。关键字:LED陶瓷基板 LED产业(一)前言:陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性,广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。LED散热基
时间:2023-11-18 热度:36℃
Global Ceramic Substrate(陶瓷基板) Market Research Report目录...
Global Ceramic Substrate Market Research Report 2017Chapters1 Ceramic Substrate Market Overview1.1 Product Overview and Scope of Ceramic SubstrateCeramic substrate is an electronic sheet material, us
时间:2023-11-18 热度:54℃
第一章混合集成电路的基片
第一章混合集成电路的基片第一节混合集成电路对基片的要求•莲子去皮机陆虎自由人•••赵腾达••••••陶瓷基片冷轧不锈钢•••在微波电路中第二节基片性能及其对电路的影响zhongguozhiwang•原子尺度的缺陷•亚微米尺度的缺陷•微米尺度的缺陷•宏观缺陷
时间:2023-11-18 热度:38℃
GB_T 39975-2021氮化铝陶瓷散热基片
前言本标准按照G B/T1.1 2009给出的规则起草㊂本标准由中国建筑材料联合会提出㊂本标准由全国工业陶瓷标准化技术委员会(S A C/T C194)归口㊂本标准起草单位:山东工业陶瓷研究设计院有限公司㊁中国建材检验认证集团淄博有限公司㊁中国建材检验认证集团股份有限公司㊁中材江西电瓷电气有限公司㊁山东国瓷功能材料股份有限公司㊁中材高新材料股份有限公司㊂本标准主要起草人:赵小玻㊁鲍晓芸㊁王玉宝㊁张
时间:2023-11-18 热度:24℃
2023年氧化铝陶瓷基片行业市场前景分析
陶瓷基片2023年氧化铝陶瓷基片行业市场前景分析想飞徐志摩氧化铝陶瓷基片是一种高性能陶瓷材料,具有高硬度、高强度、高耐磨、高抗腐蚀、高绝缘性能等优点,广泛应用于电子、光学、机械、化工等领域。近年来,随着经济的快速发展和技术的不断进步,氧化铝陶瓷基片行业市场发展前景广阔。本文将从市场需求、产业政策、市场竞争等方面进行分析。一、市场需求作为一种高性能陶瓷材料,氧化铝陶瓷基片在电子、光学、机械、化工等领
时间:2023-11-18 热度:33℃
第三代半导体用陶瓷基片材料发展现状及其制备工艺
第三代半导体用陶瓷基片材料发展现状及其制备工艺农村留守儿童教育问题第三代半导体用陶瓷基片材料发展现状及其制备工艺城市生活垃圾处理及污染防治技术政策随着科技的不断进步和人们对高效率、高性能电子设备的需求,第三代半导体材料作为下一代电子器件的候选材料受到了广泛的关注。第三代半导体材料以其优异的电性能和热性能而备受推崇,而在第三代半导体器件制备中,陶瓷基片材料作为关键的组成部分发挥着重要的作用。本文将对
时间:2023-11-18 热度:32℃
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