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萧文新亲历用药志(二)
151 1987年3月7日。为解决自己的腰部皮肤在冬天会发灼烧的问题,用鲜毛茛少许捣烂,敷于患部一小时后取下。次日检查,敷部发黑。3月9日,发现皮肤起泡,但感到冷灼现象减轻。152 1987年6月。同事芦水清爱人患疮疹,给予七叶一支花磨汁涂搽而愈。153 1987年9月。环保科李爱国爱人患红丝疔,求诊。给予蒲公英,三白草元宝草内服,渣外敷取效,三日愈。154 1987年10月。资料室顾某某之女脚底
时间:2023-11-11 热度:24℃
场效应晶体管
场效应晶体管食品价格连续上涨一、场效应晶体管概述场效应晶体管(FET)简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、温度系数低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管工作时只有一种极性的载流子参与导电,所以场效应管又称为单极型晶体管。场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两
时间:2023-08-23 热度:27℃
离子注入和退火对LTPSTFT特性的影响
电子技术• Electronic Technology日照国际海洋城86 •电子技术与软件工程 Electronic Technology & Software Engineering【关键词】离子注入 退火 LTPS-TFT 特性 影响平板显示的主要技术便是薄膜场效应晶体管,而具有源矩阵寻址的平板技术都需要薄膜场效晶体管来进行控制与驱动。而主动型面板按照薄膜晶体管技术可划分为
时间:2023-08-16 热度:12℃
AltiumDesigner元器件搜索中英文对照
AltiumDesigner元器件搜索中英⽂对照个⼈常⽤扬声器 spearker计量表(电流表,电压表) meter变压器 Trans CT肖特基⼆极管 D Schotty额外补充英⽂名称中⽂释义2N3904 NPN型通⽤放⼤器2N3906 PNP型通⽤放⼤器ADC-8 通⽤的8位AD转换器Antenna 天线0204电话录音Battery 电池
时间:2023-11-20 热度:16℃
氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能
氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能曹焕琦;朱长军;王安祥纯化水微生物限度【摘 要】为获得大量高质量、且尺寸均一的氧化铟纳米线,以高纯度氧化铟粉末与石墨粉末的混合物为原材料,利用化学气相沉积法制备出尺寸约50 nm的氧化铟纳米线.分别以二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)材料作为栅极绝缘层,计算分析其构筑的场效应晶体管的电学性能(迁移率、阈值电压、开关比等).对比3种
时间:2023-08-01 热度:17℃
场效应晶体管技术的创新与发展
场效应晶体管技术的创新与发展无线图像传输从普通的收音机到现在的智能手机,电子产品的发展已经越来越快速。而伴随着电子产品的发展,半导体器件也在不断地革新和发展,成为了一个不可或缺的部分。其中,场效应晶体管(MOSFET)就是半导体器件的重要组成部分之一。本文将围绕场效应晶体管技术的创新和发展,从原理、材料、工艺以及未来展望等方面展开讨论。一、场效应晶体管的原理轴套与轴承防辐射材料场效应晶体管是一种金
时间:2023-10-09 热度:20℃
一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法[发明专利]
专利名称:一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法专利类型:发明专利发明人:郭雪峰,曹阳,杨凌春申请号:CN200810226315.2申请日:20081112军事行动代号十八里店小学糖果屋历险记2公开号:CN101404322A公开日:20090408磨料加工专利内容由知识产权出版社提供摘要:本发明提供一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法。该器件中,构成源区和漏区的材料均为石
时间:2023-07-13 热度:9℃
有机单晶发光场效应晶体管研究进展
2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件有机单晶发光场效应晶体管研究进展朱伟钢”2’付红兵D’姚建年1)(北京分子科学国家实验室,中国科学院化学研究所,北京100190)2)(中国科学院大学,北京市石景山区玉泉路19号甲,100049)摘要:近几年来,有机单晶发光场效应晶体管作为下一代多功能、集成化、微型化光电器件,在光通讯、先进显示技术、固态发光和电泵浦激光的潜在应用,成为有机光电材料领
时间:2023-07-13 热度:21℃
有机单晶发光场效应晶体管研究进展
2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件血氧仪测试方法有机单晶发光场效应晶体管研究进展朱伟钢”2’付红兵D’姚建年1)(北京分子科学国家实验室,中国科学院化学研究所,北京100190)2)(中国科学院大学,北京市石景山区玉泉路19号甲,100049)摘要:近几年来,有机单晶发光场效应晶体管作为下一代多功能、集成化、微型化光电器件,在光通讯、先进显示技术、固态发光和电泵浦激光的潜在应用,成为
时间:2023-08-04 热度:38℃
芯片 pvin1 半桥场效应晶体管
芯片 pvin1 半桥场效应晶体管密封杯芯片 pvin1 半桥场效应晶体管是一种常用于电路控制和功率放大的器件。它由多个晶体管组成,能够实现电流的开关控制和电压的放大,广泛应用于电子产品、通信设备和工业控制系统等领域。自制纳米胶带教程半桥场效应晶体管是一种特殊类型的场效应晶体管,具有两个输出端口,分别为高侧驱动器和低侧驱动器。通过控制这两个驱动器的导通和截止状态,可以实现对电流的开关控制。在半桥电
时间:2023-07-31 热度:24℃
芯片 pvin1 半桥场效应晶体管
芯片 pvin1 半桥场效应晶体管芯片pvin1半桥场效应晶体管(MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电路中。它具有优良的开关特性和低功耗特点,因此在电源管理、电机驱动、电子变换器等领域得到了广泛应用。链轮设计半桥场效应晶体管是由两个MOSFET组成的,其中一个被称为高侧开关,另一个被称为低侧开关。它们通过共享电源和地连接在一起,形成了一个半桥结构。高侧开关控制电路的上半部分,低侧开
时间:2023-07-25 热度:22℃
移相全桥参数计算
Prepared on 22 November 2020移相全桥参数计算1、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿标准,一些供电设
时间:2023-07-25 热度:15℃
固体中eu~(3+)离子能级的晶场效应
固体中eu~(3+)离子能级的晶场效应欧米伽~(3+)离子的晶场效应是一种重要的物理现象,它给我们提供了宝贵的研究资料,也发挥了重要的实际作用。导电泡棉成型机首先,要了解晶场效应,我们需要了解的是,欧米伽~(3+)离子的晶场效应严格遵循以下规则:晶体中的eu~(3+)离子结构越来越紧,离子大致均匀地分布,欧米伽~(3+)离子表面电荷越来越强,从而在两个离子之间产生特殊的作用力。这种作用力不仅影响着
时间:2023-07-09 热度:22℃
功率场效应晶体管
深度剖析功率场效应晶体管功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种非常重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电源电路中。它具有低开启电阻、高开关速度、可靠性高等优点,因而被誉为现代电子技术中的“晶体管之王”。本文将从基本原理、结构特点、主要应用领域等方面对功率场效应晶体管进行深度剖析。金属卤化物灯接线图路轨两用消防车首先,功率场效应晶体管的基本原理是利用场效应的作用,在控制栅极电压的作用下控
时间:2023-06-08 热度:66℃
石墨烯场效应晶体管设计加工及特性研究
第一章绪论1.1课题研究背景及意义英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫在2004年发现了二维材料石墨烯,他们因为发现二维材料石墨烯的存在,在2010年收获了诺贝尔物理学奖,这一奖项说明了他们的发现预示了一个新的时代的来临。自从石墨烯发现以来,关于石墨烯材料的科学研究不断取得重要进展,其在微电子、量子物理、材料、化学等领域都表现出许多非凡的性能和潜在的广阔应用前景[1],石墨烯
时间:2023-06-21 热度:24℃
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